一种低剖面高隔离度的双极化天线辐射单元制造技术

本发明专利技术涉及一种低剖面高隔离度的双极化天线辐射单元，其特点在于包括反射板、馈电机构和主金属环；主金属环定位在反射板的反射面上，主金属环的顶面至反射板的反射面之间的间距D2在（0.125*λ）

【技术实现步骤摘要】
一种低剖面高隔离度的双极化天线辐射单元


[0001]本专利技术涉及通信设备
，特别是一种低剖面高隔离度的双极化天线辐射单元。

技术介绍

[0002]现时的天线中，为了实现天线的低剖面,一般使用微带贴片结构,这样的结构在实现双极化贴片天线时，由于其馈电的不对称性,一般单个双极化振子的两个极化的端口隔离度为20dB左右，隔离度低；另外，对称双极化偶极子的隔离度虽然一般可以达到35～40dB，但是对称双极化偶极子的高度约为四分之一的工作波长，这样导致了天线的体积较大。基于现有的天线存在的不足，亟需设计出一种低剖面、高隔离度且体积小的天线辐射单元。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种低剖面高隔离度的双极化天线辐射单元，该低剖面高隔离度的双极化天线辐射单元具有结构简单、设计科学、隔离度高且体积小等优点。
[0004]本专利技术的技术方案是这样实现的：一种低剖面高隔离度的双极化天线辐射单元，其特点在于包括反射板、馈电机构和主金属环；所述主金属环是薄片状结构，主金属环的内径D1在（0.25*λ）
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低剖面高隔离度的双极化天线辐射单元，其特征在于：包括反射板、馈电机构和主金属环；所述主金属环是薄片状结构，主金属环的内径D1在（0.25*λ）
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10%的范围内，主金属环定位在反射板的反射面上，主金属环的顶面至反射板的反射面之间的间距D2在（0.125*λ）
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10%的范围内，λ是工作波长；所述馈电机构包括4个结构相同的馈电片，4个馈电片均被主金属环包围，4个馈电片环绕主金属环的中心布设成十字状，各馈电片的内端靠近主金属环的中心，各馈电片的外端与主金属环馈电连接，主金属环上与馈电片馈电连接的点为馈电点，主金属环通过馈电点分间成四段路径段，每段路径段的长度相同，各馈电片均通过巴伦安装在反射板上。2.根据权利要求1所述的一种低剖面高隔离度的双极化天线辐射单元，其特征在于：所述主金属环的轮廓是圆形或正多边形结构；当主金属环的轮廓为正多边形结构时，主金属环的轮廓的边的数量M大于3，且M为2的倍数。3.根据权利要求1所述的一种低剖面高隔离度的双极化天线辐射单元，其特征在于：各馈电片与主金属环之间通过物理馈电连接或耦合馈电连接。4.根据权利要求1所述的一种低剖面高隔离度的双极化天线辐射单元，其特征在于：还包括副金属环，副金属环的形状与主金属环的形状相同，...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚春辉，郑洪振，芦永超，钱伟雄，黄雅珊，杨世潮，叶雪芬，
申请(专利权)人：广东福顺天际通信有限公司，
类型：发明
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