【技术实现步骤摘要】
一种以Y2Si2O7为基体的Si3N4/SiO2/SiC基微波吸收陶瓷的制备方法
[0001]本专利技术涉及一种以Y2Si2O7为基体的Si3N4/SiO2/SiC基微波吸收陶瓷的制备方法,属于微波吸收材料
技术介绍
[0002]无线通信和雷达探测技术已成为爆炸性的应用,严重威胁着人类健康、国防和电子安全。为了缓解这些问题,电磁波吸收材料被广泛应用于许多领域的。大多数电磁波吸收材料被广泛应用于室温。然而,高温潮湿环境的不利环境由于其微观结构恶化和电导率波动,通常导致微波吸收能力差,是其应用的严重障碍。因此,电磁波吸收材料的设计为在环境、高温甚至恶劣环境下保持显著的电磁波吸收性能。
[0003]目前,单吸收器阻抗匹配差,单损耗机制不能满足要求。为了扩大电磁波吸收材料的应用环境,二元/三元复合材料的构建在电磁波场中很受欢迎。复合材料的高温吸收性能仍需进一步提高,因此开发适合恶劣环境应用的新型电磁波吸收材料是非常必要的。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是提出一种以Y2Si2O7为基体的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种以Y2Si2O7为基体的Si3N4/SiO2/SiC基微波吸收陶瓷的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)将Si(OC2H5)4溶解于乙醇中得到溶液A,Y(NO3)3·
6H2O搅拌溶解于去离子水中得到溶液B;室温下,溶液A和溶液B搅拌混合得到凝胶C,凝胶C干燥得到干凝胶,干凝胶研磨成凝胶粉,凝胶粉进行冷压成型后置于温度为1400~1500℃的空气中烧结热处理2~3h,得到Y2Si2O7粉末;(2)Y2Si2O7粉末经碳化硅化学气相渗透沉积,得到SiC
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Y2Si2O7复合陶瓷;(3)SiC
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Y2Si2O7复合陶瓷经氧化处理得到SiO2/SiC
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Y2Si2O7复合陶瓷;(4)SiO2/SiC
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Y2Si2O7复合陶瓷经氮化硅化学气相渗透沉积,得到Si3N4/SiO2/SiC
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Y2Si2O7复合陶瓷。2.根据权利要求1所述以Y2Si2O7为基体的Si...
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