像素电路及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种像素电路及显示装置，包括有机发光二极管和像素驱动电路，有机发光二极管包括阳极，阳极通过导线与像素驱动电路连接，导线具有寄生电容；像素驱动电路包括复位模块，复位模块包括连接至复位信号线的栅极，有机发光二极管阳极与复位模块栅极之间设有耦合电容。根据本申请实施例提供的技术方案，通过在有机发光二极管的阳极和复位模块的栅极之间增加设置耦合电容，使得复位模块在关闭阶段，有机发光二极管的阳极节点被耦合到一个更高的电压值，从而抵消有机发光二极管阳极与像素驱动电路不等位导致的导线电容过大造成的相应节点充电时间较长，亮度较低的问题。亮度较低的问题。亮度较低的问题。

【技术实现步骤摘要】
像素电路及显示装置


[0001]本专利技术一般涉及显示
，尤其涉及像素电路及显示装置。

技术介绍

[0002]近年来，随着显示行业的迅猛发展，消费者对于显示边框的要求越来越严格，窄边框甚至零边框逐渐成为了潮流和趋势。其中，为了实现窄边框有多种方式，例如将Fanout压缩到AA发光区内，有一种将Fanout&GOA电路放入AA的方法是将AA区的像素通过纵向&横向压缩，在GOP区域采用密排的压缩后的像素，而在非GOP的正常区域采用压缩后的像素插入行dummy和列dummy的方式排列；或者，窄边框导致的部分阳极位于GOA区域或Fanout区域；FDC区由于透过率的要求导致阳极在FDC区而其驱动像素位于FDC区外等，会出现一部分OLED器件阳极与像素电路主体部位相距甚远，需要通过较长的走线进行连接(即不等位)。
[0003]上述情况中，dummy的插入，会导致以下问题的产生：相同样色的像素背板像素电路和其上方的阳极开口之间的相对位置不相同，相同颜色像素的ITO与像素之间的连线长度不相同；这就导致了他们的阳极点(N4)点的寄生电容有差异，从而导致了低灰阶的亮度差异；上述较长的走线增加了N4节点电容，使得在EM开启后需要更长的时间将N4节点电压充电至OLED开启电压，从而导致不等位区域较等位区域的OLED在其他条件相同的情况下更暗，该亮度均一性问题在低灰阶下更为显著。
[0004]因此，在追求窄边框的情况下会出现N4节点的寄生电容存在差异，在低灰阶下产生亮度差异问题。
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技术实现思路

[0005]鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种像素电路及显示装置。
[0006]第一方面，提供一种像素电路，包括有机发光二极管和像素驱动电路，所述像素驱动电路设置在电源和所述有机发光二极管之间，用来控制提供所述有机发光二极管的驱动电流；
[0007]所述有机发光二极管包括阳极，所述阳极通过导线与所述像素驱动电路连接，所述导线与其临近的金属层产生导线电容；
[0008]所述像素驱动电路包括复位模块，所述复位模块包括连接至复位信号线的栅极，所述有机发光二极管阳极与所述复位模块栅极之间设有耦合电容。
[0009]第二方面，提供一种显示装置，包括：多条扫描线，沿第一方向延伸，所述扫描线中包括有复位信号线，
[0010]多条数据线，沿与第一方向不同的第二方向延伸；
[0011]多个有机发光二极管和像素驱动电路，所述有机发光二极管的阳极层通过导线与所述像素驱动电路连接，所述导线具有导线电容，
[0012]所述像素驱动电路包括复位模块，所述复位模块包括连接至复位信号线的栅极，所述有机发光二极管阳极与所述复位模块栅极之间设有耦合电容。
[0013]根据本申请实施例提供的技术方案，通过在有机发光二极管的阳极和复位模块的栅极之间增加设置耦合电容，使得复位模块在关闭阶段，有机发光二极管的阳极，也就是图1中所示的N4节点被耦合到一个更高的电压值，从而抵消有机发光二极管阳极与像素驱动电路不等位导致的导线电容过大造成的N4节点充电时间较长，亮度较低的问题。
附图说明
[0014]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0015]图1为本实施例中像素电路原理图；
[0016]图2为本实施例中有机发光二极管与像素驱动电路设置位置示意图；
[0017]图3为本实施例中红素子像素在等位及不等位情况下一帧的情况；
[0018]图4为本实施例中增加耦合电容后等位及不等位情况下一帧的情况；
[0019]图5为本实施例中像素电路N4节点与Reset2的耦合情况；
[0020]图6为本实施例像素电路中不同耦合电熔值对应的电流补偿情况；
[0021]图7为本实施例中像素电路的布局俯视图；
[0022]图8
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图10为本实施例中像素电路结构示意图。
具体实施方式
[0023]下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与专利技术相关的部分。
[0024]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0025]请参考图1，本实施例提供一种像素电路，包括有机发光二极管和像素驱动电路，所述像素驱动电路用来控制所述有机发光二极管的驱动电流；
[0026]所述有机发光二极管包括阳极，所述阳极通过导线与所述像素驱动电路连接，所述导线具有寄生电容；
[0027]所述像素驱动电路包括复位模块，所述复位模块包括连接至复位信号线的栅极，所述有机发光二极管阳极与所述复位模块栅极之间设有耦合电容C1。
[0028]本实施例中提供的像素电路由于设计需求，会出现有机发光二极管器件的阳极3与像素电路的主体部分1相距较远，需要通过较长的走线进行连接，形成如图2所示的结构，该情况称之为不等位情况，相比较常规的有机发光二极管器件阳极与像素电路主体连接的等位情况，图2中的结构采用较长的导线2，该导线2与其临近的金属层会产生一定的导线电容也就是寄生电容，也就是如图1所示的电容C_N4_con，该电容的存在使得EM开启后需要更长的时间将N4节点也就是有机发光二极管阳极的电压充至相应的开启电压，从而导致不等位的区域相比较等位区域的有机发光二极管在其他条件相同的情况下更暗，低灰阶情况下的亮度均一性不一致；
[0029]因此，本实施例在有机发光二极管的阳极和复位模块的栅极之间增加设置耦合电容，使得复位模块在关闭阶段，有机发光二极管的阳极，也就是图1中所示的N4节点被耦合
到一个更高的电压值，从而抵消有机发光二极管阳极与像素驱动电路不等位导致的导线电容过大造成的N4节点充电时间较长，亮度较低的问题。
[0030]本实施例中导线连接有机发光二极管的阳极和像素驱动电路，该导线会和其临近的金属层产生寄生电容，和当前导线临近的金属层为阳极层或者连接其他有机发光二极管的金属层或者为源漏极金属层，具体的根据实际情况而定。
[0031]进一步的，所述有机发光二极管阳极3连接至所述像素驱动电路1的导线2长度不完全相同，连接至所述有机发光二极管的耦合电容C1大小不完全相同。
[0032]如图2所示，本实施例中出现有机发光二极管的阳极3位于像素驱动电路1外侧，出现不等位的情况，此时需要采用导线2进行相应阳极3和像素驱动电路1的连接，但是不同的有机发光二极管距像素驱动电路的距离不完全相同，因此，使用的导线长度也不完全相同，因此，导线与其他金属层产生的导线电容也是不相同的，不同的导线对应需要进行耦合的电容也不相同，因此，相应的耦合电容需要根据相应导线的导线电容来确定，因此，不同的有机发光二极管阳极连接的耦合电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，其特征在于，包括有机发光二极管和像素驱动电路，所述像素驱动电路用来控制提供所述有机发光二极管的驱动电流；所述有机发光二极管包括阳极，所述阳极通过导线与所述像素驱动电路连接，所述导线具有寄生电容；所述像素驱动电路包括复位模块，所述复位模块包括连接至复位信号线的栅极，所述有机发光二极管阳极与所述复位模块栅极之间设有耦合电容。2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述有机发光二极管阳极连接至所述像素驱动电路的导线长度不完全相同，连接至所述有机发光二极管的耦合电容大小也不完全相同。3.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，连接至所述有机发光二极管的耦合电容小于等于当前有机发光二极管阳极连接至所述像素驱动电路的导线的寄生电容。4.根据权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述复位模块包括第一复位模块和第二复位模块，所述第一复位模块的栅极连接至第一复位信号，第一极连接至电容模块，第二极连接至第一输入电压，所述第二复位模块的栅极连接至第二复位信号，第一极连接至所述有机发光二极管的阳极，第二极连接至第二输入电压；所述耦合电容具体设置在所述有机发光二极管的阳极和所述第二复位模块的栅极之间。5.根据权利要求1
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4任一所述的像素电路，其特征在于，所述导线连接至所述像素驱动电路上的导电层和所述有机发光二极管的阳极，所述导线至少包括第一寄生电容和第二寄生电容，所述第一寄生电容大于所述第二寄生电容，与所述第一寄生电容的导线对应的所述导电层或者所述阳极的面积为第一面积，与所述第二寄生电容的导线对应的所述导电层或者所述阳极的面积为第二面积，所述第一面积小于所述第二面积。6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张竞文，肖云升，高文辉，陈文波，张跳梅，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：