一种用于提高光电转换率的单晶硅片制造技术

本实用新型专利技术涉及单晶硅加工技术领域，且公开了一种用于提高光电转换率的单晶硅片，包括外框，外框底部一侧固定有垫板，垫板上方架设有硅片基体，硅片基体外壁与外框挤压接触，外框顶部对称地安装有具有转动锁定结构的反射调节组件，通过反射调节组件增加照射到硅片基体的光强以增加光电转换率。本实用新型专利技术在硅片基体上表面等距地开设有半圆形槽，利用表面的刻蚀处理增加硅片基体表面的不平整度，减少光的反射，增加吸收，提高光学转换率，另外合理利用反射调节组件，根据装置整体安装的位置来通过手柄转动调节反射镜的转角，使得阳光在照射时尽可能地通过反射镜反射到硅片基体表面，增加光学转换率。加光学转换率。加光学转换率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于提高光电转换率的单晶硅片


[0001]本技术涉及单晶硅加工
，具体为一种用于提高光电转换率的单晶硅片。

技术介绍

[0002]单晶硅片即硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，用于制造半导体器件、太阳能电池等，用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
[0003]单晶硅片在应用到太阳能电池领域时，根据研究显示，由于光照射到电池板(硅片制成)上，在正反两面发生的反射、折射等现象导致部分光不能集中到硅片上进行光电转换，即光学损失，降低了电池的短路电流，仅这一项损失就使标准电池的转换效率局限至44％左右，而现有的单晶硅片往往不具备对光照吸收的加强结构，导致光学损失较大，因此需要做出相应改进。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种用于提高光电转换率的单晶硅片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于提高光电转换率的单晶硅片，包括外框；
[0006]所述外框底部一侧固定有垫板，垫板上方架本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于提高光电转换率的单晶硅片，其特征在于：包括外框(1)；所述外框(1)底部一侧固定有垫板(2)，垫板(2)上方架设有硅片基体(3)，硅片基体(3)外壁与外框(1)挤压接触；所述外框(1)顶部对称地安装有具有转动锁定结构的反射调节组件(4)，通过反射调节组件(4)增加照射到硅片基体(3)的光强以增加光电转换率。2.根据权利要求1所述的一种用于提高光电转换率的单晶硅片，其特征在于：所述硅片基体(3)上表面等距地开设有半圆形槽。3.根据权利要求1所述的一种用于提高光电转换率的单晶硅片，其特征在于：所述反射调节组件(4)包括凸块(41)，所述外框(1)顶部对称地固定有凸块(41)，同一侧边的所述凸块(41)间转动安装有...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍育强，
申请(专利权)人：池州首开新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：