一种纳米复合导电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于光催化剂制备技术领域，具体的说是一种纳米复合导电薄膜及其制备方法，是先准备PET衬底：首先用蒸馏水、丁酮和双氧水分别对PET薄膜浸泡和冲洗，然后再进行浸泡时间为7—20min，对清洗干净的PFT薄膜利用烘干机对其进行均匀烘干，然后通过红外臭氧处理12—33min以备涂覆；通过在制备的过程中需要用到烘干机，烘干机包括烘干机体、烘干器和固定板，所述烘干机体内部设置有多组固定板，所述烘干器安装于烘干机体上端，所述烘干机体内部设置有转动机构；通过转动机构，能够有效地对放置于固定板顶端的产品进行烘干，提高了烘干的效率，节省了烘干的时间，同时使产品能够更加均匀的完成烘干，提高了产品后期使用的效果。提高了产品后期使用的效果。提高了产品后期使用的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米复合导电薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于纳米复合导电薄膜制备
，具体的说是一种纳米复合导电薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着社会经济的进步与发展，导电薄膜的使用也越来越皮鞭，主要是一种能导电的薄膜，能够实现一些特定的电子功能，导电薄膜的荷电载流子在输运过程中受到表面和界面的散射，当薄膜的厚度可与电子的自由程相比拟时，在表面和界面的影响将变得显著。
[0003]现如今，传统的材料制作的导电薄膜逐渐无法满足人们的需求，为了能够获取光电性能及抗弯折性能优异的纳米复合导电薄膜，主要是通过以硅晶体管和无电沉积液为主的材料进行制备，可达到轻便柔软性的效果更好。
[0004]在制备纳米复合导电薄膜时，一般是直接将涂覆在红外臭氧处理过后的PET衬底、硅晶体管薄膜或反应后的薄膜放置于固定板的顶端，然后通过烘干器进行烘干，其烘干的效果不均匀，不能够对材料的四周进行全面烘干，导致烘干的效果不佳，从而影响后期的制作以及使用；为此，提出一种纳米复合导电薄膜及其制备方法。

技术实现思路

[0005]为了弥补现有技术的不足，解决在制备纳米复合导电薄膜时，由于传统方式烘干纳米复合导电薄膜材料的结构单一，导致纳米复合导电薄膜材料的烘干效果不佳的问题，本专利技术提出的一种纳米复合导电薄膜及其制备方法。
[0006]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：表面涂覆硅晶体管—MXene墨水而形成纳米复合导电薄膜。
[0007]一种纳米复合导电薄膜的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
[0008]S1：先准备PET衬底：首先用蒸馏水、丁酮和双氧水分别对PET薄膜浸泡和冲洗，然后再进行浸泡时间为7—20min，对清洗干净的PFT薄膜利用烘干机对其进行均匀烘干，然后通过红外臭氧处理12—33min以备涂覆；
[0009]S2：接着制备硅晶体管—MXene墨水：通过将0.1—0.7t％的硅晶体管，0.2—0.6wt％的MXene，0.02—0.14wt％的分散剂，0.006—0.065wt％的流平剂，0.035—0.2wt％的表面活性剂和剩余量的纯净水通过速度为320
‑
1600r/min的均匀混合搅拌，以便于后期备用；
[0010]S3：再准备无电沉积液：通过将Ag
2+
浓度为0.04—0.035mol/L的银溶液、9—32g/L的还原剂、2.6—7g/L的酸醋、0.015—0.07g/L的硫脲、0.6—5.5g/L的三羟基聚氧化丙烯醚和剩余量的纯净水进行混合，使其通过速度为320
‑
1600r/min的均匀搅拌，然后将温度升为80—95℃后进行保温备用；
[0011]S4：然后准备镀银的硅晶体管—MXene薄膜：将硅晶体管—MXene墨水均匀的涂覆在红外臭氧处理过后的PET衬底上，在将其放置于温度设为65—85℃条件下的烘干机内，进
行8—20min烘干，再将烘干后的硅晶体管薄膜先后浸泡在二氧化锡溶液敏化2—5.5min和钯离子溶液中活化6—11min，然后将活化后的硅晶体管浸泡在无电沉积液进行反应35—48min，在反应过程中持续通过速度为320
‑
1600r/min的搅拌使其保证反应液与薄膜充分接触，使其反应完成后将薄膜冲洗干净，并将其放入烘干机内进行烘干，即可得到所述镀银的硅晶体管—MXene薄膜；
[0012]S5：最后制备纳米复合导电薄膜，将所述镀银的硅晶体管—MXene薄膜浸泡在2—10mg/mL的硝酸银溶液中4—12min，最终制得所述纳米复合导电薄膜。
[0013]优选的，所述S2中，分散剂为羟丙基甲基纤维素、苯乙烯或醋酸乙烯其中一种或几种，流平剂可以为BYK333、BYK丙烯硫酸、BYK110、BYK331其中一种或几种，表面活泼型为吐温—100或二丙二醇二甲醚表面活性剂。
[0014]优选的，所述S3中，银溶液可以为氯化银溶、硝酸银、硫酸银其中一种或几种，无电沉积液的PH值为5—6.5％。
[0015]优选的，所述S1和S4中，涂覆方式为浸渍、喷涂、涂刷其中一种；
[0016]优选的，所述S2和S4中，硅晶体管的直径为18—65nm，长径比为700—1100，MXene的层数为1—6层，横向尺寸为0.6—2.8μm。
[0017]优选的，所述S1和S4中，烘干机包括烘干机体、烘干器和固定板，所述烘干机体内部设置有多组固定板，所述烘干器安装于烘干机体上端，所述烘干机体内部设置有转动机构，所述转动机构包括电机、转动轴、固定架和过滤板，所述电机安装于烘干机体下端的内部，所述转动轴通过轴承活动安装于烘干机体下端的内部，所述转动轴下端与电机的输出轴之间设置驱动组件，所述固定架底端固接于转动轴顶端，所述固定架通过支撑组件活动安装于烘干机体内部，所述固定板中部安装有过滤板，所述烘干机体内圈开设引导槽，所述烘干器的出气口与引导槽顶端相连接，所述引导槽与烘干机体内部之间开设有多组排气口，所述烘干机体下端的左右两端皆开设排水槽，所述固定板外圈开设有多组槽孔，所述固定架的左右两侧皆固接有与烘干机体内壁相互配合的清理刷，所述固定板左右两端设置拆卸机构，所述拆卸机构包括横杆、和移动插块，所述固定板左右两端的内部皆固接横杆，且横杆外部套设移动插块，所述移动插块一端插设于固定架的内部，所述移动插块内侧与固定板一端的内壁之间焊接弹簧，所述移动插块底端固接拉环，所述固定架靠近固定板的一端内部胶粘有多组与移动插块相互配合的橡胶块，且橡胶块另一端与移动插块的内部相互卡合，所述固定架靠近固定板的一端活动安装有多组与移动插块相互配合的滚珠，且滚珠外表面贴合于移动插块外侧，通过转动机构，能够有效地对放置于固定板顶端的产品进行烘干，提高了烘干的效率，节省了烘干的时间，提高了烘干的程度，同时使产品能够更加均匀的完成烘干，通过拆卸机构，便于对固定板进行拆卸清洗，防止固定板上沾有残留的液体，而对其他产品带来影响，同时便于调节两组固定板之间的距离，以便于扩大产品与产品之间烘干的空间，提高了操作的易用性，防止固定板上设置的过滤槽内发生堵塞而影响底端的烘干效果。
[0018]优选的，所述支撑组件包括圆形滑槽和滑块，所述烘干机体下端开设有圆形滑槽，且圆形滑槽内部的左右两端皆滑动安装滑块，所述滑块顶端固接固定架底端，对固定架的左右两端起到支撑的作用，提高了固定架的稳定性。
[0019]优选的，所述驱动组件包括被动锥形齿轮、主动锥形齿轮和转杆，所述电机的输出
轴一侧与主动锥形齿轮之间固接转杆，所述主动锥形齿轮与被动锥形齿轮之间相互啮合，所述被动锥形齿轮固定安装于转动轴的上端，提高了操作的便捷性，同时节省了所占用装置的空间。
[0020]优选的，根据权利要求1—9之一所述方法制备获得的纳米复合导电薄膜。
[0021]本专利技术的技术效果和优点：
[0022]1.本专利技术提供的一种纳米复合导电薄膜及其制备方法，通过设置的转动机构，将涂覆在红外臭氧处理过后的PET衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：该制备方法包括以下步骤：S1：先准备PET衬底：首先用蒸馏水、丁酮和双氧水分别对PET薄膜浸泡和冲洗，然后再进行浸泡时间为7—20min，对清洗干净的PFT薄膜利用烘干机对其进行均匀烘干，然后通过红外臭氧处理12—33min以备涂覆；S2：接着制备硅晶体管—MXene墨水：通过将0.1—0.7t％的硅晶体管，0.2—0.6wt％的MXene，0.02—0.14wt％的分散剂，0.006—0.065wt％的流平剂，0.035—0.2wt％的表面活性剂和剩余量的纯净水通过速度为320
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1600r/min的均匀混合搅拌，以便于后期备用；S3：再准备无电沉积液：通过将Ag
2+
浓度为0.04—0.035mol/L的银溶液、9—32g/L的还原剂、2.6—7g/L的酸醋、0.015—0.07g/L的硫脲、0.6—5.5g/L的三羟基聚氧化丙烯醚和剩余量的纯净水进行混合，使其通过速度为320
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1600r/min的均匀搅拌，然后将温度升为80—95℃后进行保温备用；S4：然后准备镀银的硅晶体管—MXene薄膜：将硅晶体管—MXene墨水均匀的涂覆在红外臭氧处理过后的PET衬底上，在将其放置于温度设为65—85℃条件下的烘干机内，进行8—20min烘干，再将烘干后的硅晶体管薄膜先后浸泡在二氧化锡溶液敏化2—5.5min和钯离子溶液中活化6—11min，然后将活化后的硅晶体管浸泡在无电沉积液进行反应35—48min，在反应过程中持续通过速度为320
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1600r/min的搅拌使其保证反应液与薄膜充分接触，使其反应完成后将薄膜冲洗干净，并将其放入烘干机内进行烘干，即可得到所述镀银的硅晶体管—MXene薄膜；S5：最后制备纳米复合导电薄膜，将所述镀银的硅晶体管—MXene薄膜浸泡在2—10mg/mL的硝酸银溶液中4—12min，最终制得所述纳米复合导电薄膜。2.根据权利要求1所述的一种纳米复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述S2中，分散剂为羟丙基甲基纤维素、苯乙烯或醋酸乙烯其中一种或几种，流平剂可以为BYK333、BYK丙烯硫酸、BYK110、BYK331其中一种或几种，表面活泼型为吐温—100或二丙二醇二甲醚表面活性剂。3.根据权利要求1所述的一种纳米复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述S3中，银溶液可以为氯化银溶、硝酸银、硫酸银其中一种或几种，无电沉积液的PH值为5—6.5％。4.根据权利要求1所述的一种纳米复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述S4中，钯离子溶液可以是氯亚钯酸钠、硝酸钯、氯化氨钯，钯离子的浓度为0.2—0.7g/L，二氧化锡的浓度为12—25g/L。5.根据权利要求2所述的一种纳米复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述S1和S4中，涂覆方式为浸渍、喷涂、涂刷其中一种。6.根据权利要求1所述的一种纳米复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述S2和S4中...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱长军，
申请(专利权)人：朱长军，
类型：发明
国别省市：