像素电极、阵列基板以及液晶显示装置制造方法及图纸

技术编号:33399503 阅读:19 留言:0更新日期:2022-05-11 23:20
本申请提供了一种像素电极、阵列基板以及液晶显示装置,所述像素电极包括第一主干电极,沿第一方向延伸;第二主干电极,沿第二方向延伸,第一主干电极和第二主干电极交叉形成为多个相互分隔的畴区域,第一主干电极呈连续弯折的曲线状或折线状。多条相互间隔设置的分支电极,每条分支电极与第一主干电极或第二主干电极连接,分支电极设置于畴区域内。本申请通过将第一主干电极呈连续弯折的曲线状或折线状,使得像素电极与公共电极之间形成压差时,由于边界电场效应,第一主干电极区对应的电场受边缘非垂直与像素平面电场影响,垂直于像素平面的电场比重降低,故第一主干电极对应的液晶会发生偏转,从而提升穿透率,以此改善暗纹的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
像素电极、阵列基板以及液晶显示装置


[0001]本申请涉及显示器件
,尤其涉及一种像素电极、阵列基板以及液晶显示装置。

技术介绍

[0002]液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)广泛应用于各种电子设备,如手机、平板电脑、数码相机、计算机或笔记本电脑等。现有的液晶显示器,通常由上、下衬底以及位于上、下衬底中间的液晶层组成,如果上、下衬底都有电极,可以形成纵向电场模式的显示器,如扭曲向列型(TwistNematic,TN)、平面转换型(In

Plane Switching,IPS)以及垂直配向型(VerticalAlignment,VA)。
[0003]其中,垂直配向型(VA)的液晶显示器以其高开口、高分辨率、广视角等特点在大尺寸显示,如液晶电视等方面具有非常广泛的应用。对于垂直配向型的液晶显示器,传统的像素设计方法是采用多畴设计结构以改善视角特性。但是,在现有的多畴像素结构设计中,在主干电极区域存在液晶分子紊乱排布的情况,由于液晶分子排布紊乱,则主干电极区域不能正常透光。因此,在白画本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素电极,其特征在于,包括:第一主干电极,沿第一方向延伸,所述第一主干电极呈连续弯折的曲线状或折线状;第二主干电极,沿第二方向延伸,所述第一主干电极和所述第二主干电极交叉形成为多个相互分隔的畴区域;多条相互间隔设置的分支电极,每条分支电极与所述第一主干电极或第二主干电极连接,所述分支电极设置于所述畴区域内。2.根据权利要求1所述的像素电极,其特征在于,所述第二主干电极呈连续弯折的曲线状或折线状。3.根据权利要求1所述的像素电极,其特征在于,相邻所述畴区域内的所述分支电极沿所述第一主干电极依次交替错位设置。4.根据权利要求2或3所述的像素电极,其特征在于,相邻所述畴区域内的所述分支电极沿所述第二主干电极依次交替错位设置。5.根据权利要求1所述的像素电极,其特征在于,所述第一主干电极还包括:第一主电极,位于所述第二主干电极的一侧;第二主电极,位于所述第二主干电极相对的另一侧,所述第一主电极和所述第二主电极沿所述第二主干电极的延伸方向间隔设置。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡聪
申请(专利权)人:TCL华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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