阵列基板及显示面板制造技术

本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板；该阵列基板包括多个子像素单元，每一子像素单元包括由透明材料构成的公共电极以及设置于公共电极的一侧的像素电极，公共电极和像素电极构成阵列基板的存储电容，其中，在阵列基板的俯视图方向上，像素电极在公共电极上的正投影位于公共电极内；上述阵列基板通过将每一子像素单元内的公共电极采用透明材料制成，且在阵列基板的俯视图方向上，像素电极在公共电极上的正投影位于公共电极内，从而使得构成存储电容的公共电极完全覆盖阵列基板上远离薄膜晶体管的区域，替代了公共电极采用的栅极金属膜层走线设计，进而提高了子像素单元的开口率，更进一步提高了阵列基板的透过率。更进一步提高了阵列基板的透过率。更进一步提高了阵列基板的透过率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板


[0001]本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]在终端产品创新领域，透明屏以其全新的展示模式，轻薄的外观设计和高端科技氛围，在户外广告、玻璃幕墙等领域占有一席之地，给每个人带来了前所未有的视觉体验和全新的应用体验。液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、发光二极管(Light
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Emitting Diode，LED)透明屏、以及有机发光二极管(Organic Light
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Emitting Diode)透明屏应用而生，迅速成为广告商的新宠，成为新媒体发展的新趋势。然而透明显示屏因为驱动线路的金属走线问题，使其背板的开口率不高，导致其显示的透明度不高，整体的显示亮度不高，使人们的观感变差。
[0003]因此，亟需一种阵列基板及显示面板以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，可以改善当前的透明显示屏的背板的开口率较低的技术问题。
[0005]本申请实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括多个子像素单元；其中，每一所述子像素单元包括由透明材料构成的公共电极以及设置于所述公共电极的一侧的像素电极，所述公共电极和所述像素电极构成所述阵列基板的存储电容；
[0006]其中，在所述阵列基板的俯视图方向上，所述像素电极在所述公共电极上的正投影位于所述公共电极内。
[0007]可选的，在本申请的一些实施例中，相邻两个所述子像素单元内的公共电极连续且电连接。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，每一个所述子像素单元包括栅极层和设置于所述栅极层上的源漏极层；
[0009]其中，所述公共电极与所述栅极层以及所述源漏极层异层设置。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括设置于所述源漏极层上的有机绝缘层、设置于所述有机绝缘层上的所述公共电极、设置于所述公共电极上的钝化层以及设置于所述钝化层上的所述像素电极；
[0011]其中，所述钝化层的介电常数大于所述有机绝缘层的介电常数。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述钝化层的材料为氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的至少一种，所述有机绝缘层的材料为丙烯酸树脂、聚四氟乙烯、聚碳酸脂以及聚苯乙烯中的至少一种。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述有机绝缘层的厚度与所述钝化层的厚度的比值大于或者等于2。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述公共电极以及所述像素电极的材料均包
括氧化铟锡、氧化铟、二氧化锡、氧化锌、氧化铬以及氧化铟锌中的至少一种。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括设置于衬底上并覆盖所述栅极层的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上且与所述栅极层对应设置的有源层以及设置于所述栅极绝缘层上且与所述有源层电性连接的所述源漏极层。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括设置于衬底上的遮光层、设置于所述衬底上并覆盖所述遮光层的缓冲层、设置于所述缓冲层上的有源层、设置于所述有源层上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的所述栅极层、设置于所述缓冲层上且完全覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极层的层间绝缘层以及设置于所述层间绝缘层上的所述源漏极层。
[0017]相应地，本申请实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板、对置基板以及设置在所述阵列基板与所述对置基板之间的液晶层，所述阵列基板包括多个子像素单元，每一所述子像素单元包括由透明材料构成的公共电极以及设置于所述公共电极的一侧的像素电极，所述公共电极和所述像素电极构成所述阵列基板的存储电容；
[0018]其中，在所述阵列基板的俯视图方向上，所述像素电极在所述公共电极上的正投影位于所述公共电极内。
[0019]本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板；该阵列基板包括多个子像素单元，每一所述子像素单元包括由透明材料构成的公共电极以及设置于所述公共电极的一侧的像素电极，所述公共电极和所述像素电极构成所述阵列基板的存储电容，其中，在所述阵列基板的俯视图方向上，所述像素电极在所述公共电极上的正投影位于所述公共电极内；上述阵列基板通过将每一所述子像素单元内的公共电极采用透明材料制成，且在所述阵列基板的俯视图方向上，所述像素电极在所述公共电极上的正投影位于所述公共电极内，从而使得构成存储电容的所述公共电极完全覆盖所述阵列基板上远离薄膜晶体管的区域，替代了所述公共电极采用的栅极金属膜层走线设计，进而提高了所述子像素单元的开口率，更进一步提高了所述阵列基板的透过率。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本申请实施例提供的阵列基板的第一截面结构示意图；
[0022]图2为本申请实施例提供的阵列基板中公共电极的平面结构示意图；
[0023]图3为本申请实施例提供的阵列基板的第二截面结构示意图。
具体实施方式
[0024]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方
位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0025]本申请实施例针对当前的透明显示屏的背板的开口率较低的技术问题，本申请实施例可以改善上述技术问题。
[0026]现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
[0027]请参阅图1至图3，本申请实施例提供一种阵列基板10，所述阵列基板10包括多个子像素单元20；其中，每一所述子像素单元20包括由透明材料构成的公共电极108以及设置于所述公共电极108的一侧的像素电极110，所述公共电极108和所述像素电极110构成所述阵列基板10的存储电容；
[0028]其中，在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述像素电极110在所述公共电极108上的正投影位于所述公共电极108内。
[0029]本申请实施例提供的阵列基板10通过将每一所述子像素单元20内的公共电极108采用透明材料制成，且在所述阵列基板10的俯视图方向上，所述像素电极110在所述公共电极108上的正投影位于所述公共电极108内，从而使得构成存储电容的所述公共电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个子像素单元；其中，每一所述子像素单元包括：公共电极，由透明材料构成；以及像素电极，设置于所述公共电极的一侧，所述公共电极和所述像素电极构成所述阵列基板的存储电容；其中，在所述阵列基板的俯视图方向上，所述像素电极在所述公共电极上的正投影位于所述公共电极内。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相邻两个所述子像素单元内的公共电极连续且电连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每一个所述子像素单元包括栅极层和设置于所述栅极层上的源漏极层；其中，所述公共电极与所述栅极层以及所述源漏极层异层设置。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：有机绝缘层，设置于所述源漏极层上；所述公共电极，设置于所述有机绝缘层上；钝化层，设置于所述公共电极上；所述像素电极，设置于所述钝化层上；其中，所述钝化层的介电常数大于所述有机绝缘层的介电常数。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的材料为氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中的至少一种，所述有机绝缘层的材料为丙烯酸树脂、聚四氟乙烯、聚碳酸脂以及聚苯乙烯中的至少一种。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述有机绝缘层的厚度与所述钝化层的厚度的比值大于或者等于2。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢少朋，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：