一种链式碱抛系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种链式碱抛系统，用于抛光制绒后的硅片，包括：用于在制绒后的硅片的正面形成水膜的喷淋单元；用于去除制绒后的硅片的背面及四周的磷硅玻璃的第一酸洗单元；用于清洗第一酸洗单元酸洗后的硅片的第一水洗单元；用于对第一水洗单元水洗后的硅片的背面进行碱抛光的碱抛单元；用于清洗碱抛光后的硅片的第二水洗单元；用于去除第二水洗单元清洗后的硅片的正面的磷硅玻璃的第二酸洗单元；和用于清洗第二酸洗单元酸洗后的硅片的第三水洗单元；其中，所述喷淋单元、第一酸洗单元、第一水洗单元、碱抛单元、第二水洗单元、第二酸洗单元、第三水洗单元依次相连接。本实用新型专利技术采用链式碱抛，污染小，且不损伤正面P

【技术实现步骤摘要】
一种链式碱抛系统


[0001]本技术涉及硅太阳能电池制造设备
，尤其涉及一种链式碱抛系统。

技术介绍

[0002]太阳能电池制作过程中，刻蚀工艺是该产品很重要的一个环节，目前硅太阳能电池刻蚀工艺有两种，一种是采用链式酸抛工艺，为了达到刻蚀效果，工艺中使用硝酸量大，会生成大量含氮化合物，污染环境，而且污水处理成本较高；另一种是采用槽式碱抛工艺，先用酸把四周及背面的磷硅玻璃去除，水洗烘干，再把硅片插到花篮投入含有氢氧化钾或氢氧化钠溶液槽式制绒槽里，工艺流程复杂，需要对现有产线进行改造，设备投入成本大，且硅片浸泡在热氢氧化钾溶液中，硅片正面P
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N结难免会被破坏。现有技术也有使用链式碱抛的工艺处理，如正面氧化层加厚(臭氧工艺)、正面先镀SiNx再浸泡溶液，也有较多的工艺添加碱抛添加剂使得更好的保护正面的P
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N结，加快背面的抛光；但上述工艺都不能很好的保护硅片正面P
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N结。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题在于，提供一种链式碱抛系统，污染小，且不损伤正面P...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种链式碱抛系统，用于抛光制绒后的硅片，其特征在于，包括：用于在制绒后的硅片的正面形成水膜的喷淋单元；用于去除制绒后的硅片的背面及四周的磷硅玻璃的第一酸洗单元；用于清洗第一酸洗单元酸洗后的硅片的第一水洗单元；用于对第一水洗单元水洗后的硅片的背面进行碱抛光的碱抛单元；用于清洗碱抛光后的硅片的第二水洗单元；用于去除第二水洗单元清洗后的硅片的正面的磷硅玻璃的第二酸洗单元；和用于清洗第二酸洗单元酸洗后的硅片的第三水洗单元；其中，所述喷淋单元、第一酸洗单元、第一水洗单元、碱抛单元、第二水洗单元、第二酸洗单元、第三水洗单元依次相连接；所述第一酸洗单元中设有第一酸洗槽和输送辊，所述第一酸洗槽内设有第一氢氟酸溶液，所述输送辊能够将制绒后的硅片漂浮在所述第一氢氟酸溶液上；所述碱抛单元中设有碱抛槽和输送辊，所述碱抛槽内设有氢氧化钾溶液，所述输送辊能够将硅片漂浮在所述氢氧化钾溶液上。2.如权利要求1所述的链式碱抛系统，其特征在于，所述碱抛单元中设有1～5个碱抛槽和1～5个用于调节所述碱抛槽温度的温度调节装置。3.如权利要求2所述的链式碱抛系统，其特征在于，所述碱抛槽的宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢新明，杨苏平，谢晓锋，
申请(专利权)人：广东爱旭科技有限公司，
类型：新型
国别省市：