预埋牺牲层结构的谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种预埋牺牲层的谐振器及其制备方法，包括：在衬底层的上表面形成凹槽，凹槽中填有牺牲层，牺牲层上表面有电极层，电极层之间及其周围由键合层填充，最上层是压电层。其中压电层通过键合技术和离子注入技术，转移至带图形化电极的衬底上，并采用其余适宜的半导体工艺进行制备。可缩小谐振器结构尺寸，稳定性能，提高谐振器结构的产率、稳定性与牢固性。牢固性。牢固性。

【技术实现步骤摘要】
预埋牺牲层结构的谐振器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及谐振器
，具体涉及一种预埋牺牲层结构的谐振器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着无线通讯急速发展，如何进一步提高通信领域的器件性能是亟待解决的问题。在通信系统中滤波器发挥着极其重要的作用，滤波器由若干谐振器构成，因此滤波器的性能主要取决于谐振器的性能。近年来关于压电谐振器的研究层出不穷，其主要形式分为声表面波谐振SAW和薄膜体声波谐振FBAR。典型声表面波谐振器SAW电路的主要缺点是体积较大且与微电子集成电路互不兼容；薄膜体声波谐振FBAR器件具有高品质因数Q值，但其难以应用于5G的高频通信。
[0003]目前频谱向着高频和超高频段不断发展，在高频率的需求下，谐振器需要提供更好的性能，以减少滤波器的损耗，并得到具有更高质量的滤波响应。因此现如今MEMS谐振器的研究仍旧在如何更有效地提高谐振频率以及带宽上，并且追求更好的集成兼容性；同时在谐振过程中，如何提高压电层驱动力、减少能量耗散路径、能量反射等尚待解决。综上所述，制备稳定性高、性能优越的谐振器是本领域的攻克目标本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种预埋牺牲层结构的谐振器，其特征在于：包括：在衬底层的上表面形成凹槽；凹槽中填有牺牲层，牺牲层上表面设有若干电极层；所述若干电极层之间及其周围由键合层填充，所述键合层的上层设有压电层；所述牺牲层的上表面与衬底上表面持平；所述压电层是通过键合技术和离子注入技术，转移至带图形化电极的衬底上。2.根据权利要求1所述的预埋牺牲层结构的谐振器，其特征在于：所述衬底层的材料为硅、碳化硅或蓝宝石中任一种。3.根据权利要求1或2所述的预埋牺牲层结构的谐振器，其特征在于：所述牺牲层的材料为二氧化硅、多晶硅或非晶硅中任一种。4.根据权利要求1或2所述的预埋牺牲层结构的谐振器，其特征在于：所述电极层的材料为金、铝、铂、钼、钨或铝
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硅、锗
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硅合金中任一种。5.根据权利要求3所述的预埋牺牲层结构的谐振器，其特征在于：所述电极层的材料为金、铝、铂、钼、钨或铝
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硅、锗
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硅合金中任一种。6.根据权利要求1或2或5所述的预埋牺牲层结构的谐振器，其特征在于：所述键合层...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成亮，卢亮宇，刘文娟，刘婕妤，徐沁文，谷曦宇，蔡耀，
申请(专利权)人：宁波华彰企业管理合伙企业有限合伙，
类型：发明
国别省市：