一种复合互联层及基于其的有源子阵制造技术

本发明专利技术公开了一种复合互联层及基于其的有源子阵，所述复合互联层包括微同轴网络层和与之连接的低频网络层；低频连接器和射频连接器设置在低频网络层的下表面，低频信号和射频信号分别通过低频连接器和射频连接器输入后通过低频网络层和微同轴网络层分配，完成热流由微同轴网络层至低频网络层的垂直传递；所述微同轴网络层包括N级共若干个微同轴网络，N为正整数。本发明专利技术公开的复合互联层及基于其的有源子阵可实现高隔离、低损耗多端口毫米波信号分配和传输以及控制和供电信号的传输和分配，具有集成度高，重量轻，剖面低，损耗小，导热性能好等优点。能好等优点。能好等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种复合互联层及基于其的有源子阵


[0001]本专利技术属于相控阵天线领域，尤其涉及一种复合互联层及基于其的有源子阵。

技术介绍

[0002]高集成是相控阵天线未来的发展趋势，随着微系统技术、晶圆集成技术的发展，其已成为提高相控阵天线的有效手段。近年来，美国、德法等发达国家持续有相关研究成果报道，主要研究成果集中在射频前端有源部分，对于形成相控阵所需的互联研究较少。国内也有部分晶圆集成阵列的架构研究，如层叠式的子阵等。对于Ka及以上频段的相控阵天线，特别采用微系统或晶圆集成的阵列，单元间距很小、可用面积小，剖面的低、集成度极高，互联设计受到极大的限制。
[0003]用于晶圆集成毫米波子阵内的互联网络，需满足轻薄、损耗小、带宽宽、可高密度传输高低频信号、基材的热膨胀系数与晶圆射频前端(硅基或其它晶圆材料)匹配等要求。传统微波板膨胀系数与硅相差较大，高温陶瓷在毫米波频段损耗较大，低温陶瓷则存在吸潮等劣势，需要单独气密使用不灵活。而硅基晶圆上可实现高密度的走线，材料与射频前端一致，无热失配风险。但由于硅是半导体，在硅基晶圆上使用传统传输线，如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合互联层，其特征在于，包括微同轴网络层(21)和与之连接的低频网络层(20)；低频连接器(4)和射频连接器(6)设置在低频网络层(20)的下表面，低频信号和射频信号分别通过低频连接器(4)和射频连接器(6)输入后通过低频网络层(20)和微同轴网络层(21)分配，从而完成热流由微同轴网络层(21)至低频网络层(20)的垂直传递；所述微同轴网络层(21)包括N级共若干个微同轴网络，N为正整数。2.根据权利要求1所述的复合互联层，其特征在于，低频网络层(20)的材料的热膨胀系数大于微同轴网络层(21)的材料的热膨胀系数。3.根据权利要求2所述的复合互联层，其特征在于，所述微同轴网络包括第一微同轴网络(16)和第二微同轴网络(8)，所述第一微同轴网络(16)和第二微同轴网络(8)均包括三个通孔端口，第一微同轴网络(16)的通孔端口包括位于其下表面的中间通孔端口、位于中间通孔两侧的左侧通孔端口和右侧通孔端口；所述第一微同轴网络(16)的通孔端口包括两个位于其上表面的通孔端口和一个位于其下表面的通孔端口；N级微同轴网络包括位于其上侧的第N级的2
N
‑1个第二微同轴网络(8)和位于第二微同轴网络(8)下方的第1级的一个第一微同轴网络(16)、第2级的两个第一微同轴网络(16)、
…
、第n级的2
n
‑1个第一微同轴网络(16)、
…
、第N
‑
1级的2
N
‑2个第二微同轴网络(8)，n为1到N的正整数；所述第1至第N
‑
1级的第一微同轴网络(16)之间通过二叉树型的连接方式进行连接，具体为：第m
‑
2级的第一微同轴网络(16)的左侧通孔端口和右侧通孔端口分别连接不同的第m
‑
1级的第一微同轴网络(16)的中间通孔端口，第1级的第一微同轴网络(16)的中间通孔与射频连接器(...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨磊，王侃，丁解，孙磊，葛津津，王斌斌，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十四研究所，
类型：发明
国别省市：