一种限流保护开关制造技术

本实用新型专利技术公开一种限流保护开关，具体说是能对工作电流进行保护的限流保护开关。它含有一个三极管、一个场效应管、两个电阻，其中的两个电阻和为两段多晶硅线段。所说场效应管是ＭＯＳ型场效应管。三极管Ｔ的发射极与电源正极相连，电源正极通过一个电阻与场效应管的源极相接，三极管的基极亦接在场效应管的源极上。另一个电阻接在三极管的集电极与地之间，而场效应管的栅极则接在三极管的集电极上，其漏极作为信号输出端。这种限流保护开关，其采样电阻精度高误差小，结构简单、体积小。适用于需要对工作电流进行保护的各种集成电路中。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电流保护装置。具体说是能对工作电流进行保护的限流保护开关， 适用于需要对工作电流进行保护的各种集成电路中。
技术介绍
在微电子研发领域都知道，当电路出现问题、失效时，会产生很大漏电流，可能会破坏 电路。同时，也可能会使电路的外围环境失效。为了避免这种情况发生，在电路中大都设置 有电流限流保护开关。由于漏电电流很大，要求限流保护开关的采样电阻值很小。因此，限 流保护开关设计的难点就在于取样电阻的选取。目前，限流开关上使用的电阻都是常规电阻，而常规电阻的精度比较差，使得制成的限 流保护开关误差较大。另外，要获得较小的电阻值，通常作法都是采用多个电阻进行并联。 虽然采用多个电阻并联可以获得较小的电阻，但多个电阻会占用较多的设计面积，使得制成 的限流保护开关体积较大。限流保护开关体积一大，用在集成电路上时会使集成电路的芯片 面积增大、生产成本增加。
技术实现思路
本技术要解决的问题是提供一种限流保护开关。这种限流保护开关，其采样电阻精 度高误差小，结构简单、体积小。为解决上述问题，本技术采取以下技术方案本技术的限流保护开关的特点是含有一个三极管、 一个场效应管和两个电阻，其中 的两本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种限流保护开关，其特征在于由一个三极管（Ｔ）、一个场效应管（Ｐ）和两个电阻（ｒ１和ｒ２）组成，其中的两个电阻（ｒ１和ｒ２）为两段多晶硅线段；三极管（Ｔ）的发射极与电源（ＶＣＣ）相连，电源（ＶＣＣ）通过一个电阻（ｒ１）与场效应管（Ｐ）的源极相接，三极管（Ｔ）的基极亦接在场效应管（Ｐ）的源极上；另一个电阻（ｒ２）接在三极管（Ｔ）的集电极与地（ＧＮＤ）之间，而场效应管（Ｐ）的栅极则接在三极管（Ｔ）的集电极上，其漏极作为信号输出端（ＣＤ）。

【技术特征摘要】
1.一种限流保护开关，其特征在于由一个三极管(T)、一个场效应管(P)和两个电阻(r1和r2)组成，其中的两个电阻(r1和r2)为两段多晶硅线段；三极管(T)的发射极与电源(VCC)相连，电源(VCC)通过一个电阻(r1)与场效应管(P)的源极相接，三极管(T)...

【专利技术属性】
技术研发人员：周烨，丁国华，胡斌，贺洁，周金风，
申请(专利权)人：无锡硅动力微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]