一种集成自偏置pMOS低关断损耗的SJ-LIGBT器件制造技术

本发明专利技术涉及一种集成自偏置pMOS低关断损耗的SJ

【技术实现步骤摘要】
一种集成自偏置pMOS低关断损耗的SJ
‑
LIGBT器件


[0001]本专利技术属于半导体
，涉及一种集成自偏置pMOS低关断损耗的SJ
‑
LIGBT器件。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET和BJT管相结合的双极性半导体功率器件，具有导通压降低、驱动功耗低和工作频率高等优点，被广泛应用于通信技术、新能源设备和各类消费电子领域，是电子电力系统的核心器件。其中LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor，横向绝缘栅双极型晶体管)易于集成在Si基上，通常应用在SOI基的功率智能系统中，是双极型半导体器件的典型代表。
[0003]但是由于LIGBT不具备反向导通能力，因此在实际使用中通常都需要在LIGBT旁边并联一个反向的续流二极管以起到保护的作用。同时为了提高器件的集成度，降低制造成本，人们开始尝试将起保护作用的续流二极管集成在LIGBT的内部，将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成自偏置pMOS低关断损耗的SJ
‑
LIGBT器件，其特征在于：该器件从左至右分为pMOS区域和LIGBT区域，所述LIGBT区域包括P+集电极(1)、N型缓冲层(2)、N型漂移区(3)、P柱区域(4)、P+发射极(5)、N+电子发射极(6)、P
‑
body(7)、P
‑
top区域(8)、发射极(13)、栅极(14)、集电极(15)、二氧化硅绝缘层(16)；pMOS区域：从左至右分别设置P+漏极(11)、N型衬底(3)、P+源极(10)、N型区域(9)、发射极(13)、栅极(14)、浮空欧姆接触(12)；所述P+漏极(11)位于发射极(13)和栅极(14)下方，P+漏极(11)的左侧与器件左侧平齐，P+漏极(11)的右侧与下侧被N型衬底(3)完全覆盖；P+源极(10)位于栅极(14)和浮空欧姆接触(12)下方，其右侧与N型区域(9)紧密相连，左侧与下侧被N型衬底(3)完全覆盖；N型区域(9)位于浮空欧姆接触(12)的下方，其右侧通过二氧化硅绝缘层(16)与LIGBT区域分隔开来，下侧被N型衬底(3)完全覆盖；N型衬底(3)的左侧与器件的左侧平齐，上侧与P+漏极(11)、栅极(14)、P+源极(10)和N型区域(9)的上侧平齐，右侧与下侧与二氧化硅绝缘层(16)紧密相连，上述结构组成pMOS区域；其功能特征在于：P+漏极(11)为pMOS的漏极，N型衬底(3)为N型衬底区域，P+源极(10)为pMOS的源极，栅极(14)控制pMOS的开启；LIGBT区域：从左至右分别设置P+发射极(5)、N+电子发射极(6)、发射极(13)、P
‑
body(7)、栅极(14)、二氧化硅绝缘层(16)、N型漂移区(3)、P
‑
top区域(8)、P柱区域(4)、N型缓冲层(2)、P+集电极(1)、集电极(15)；P+发射极(5)位于发射极(13)的下方，其左侧与二氧化硅绝缘层(16)的右侧齐平，右侧与N+电子发射极(6)的左侧紧密相连，下侧与P
‑
body(7)相连；N+电子发射极(6)位于发射极(13)的下方，右侧与栅极(14)相连，下侧为P
‑
body(7)；P
‑
body(7)的上侧与P+发射极(5)和N+电子发射极(6)的上侧齐平，下侧与N型漂移区(3)相接触；N型漂移区(3)的上侧与P+发射极(5)、N+电子发射极(6)、二氧化硅绝缘层(16)、栅极(...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟中，林徐葳，秦海峰，魏子凯，张红升，
申请(专利权)人：重庆邮电大学，
类型：发明
国别省市：