一种消除负阻效应的横向RC-IGBT器件结构制造技术

本发明专利技术提供了一种消除负阻效应的横向RC

【技术实现步骤摘要】
一种消除负阻效应的横向RC
‑
IGBT器件结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种消除负阻效应的横向RC
‑
IGBT 器件结构。

技术介绍

[0002]横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)，是一种可以兼容CMOS工艺的功率器件，其特点是可以由电压控制大电流的导通和关断。由于人们对芯片尺寸和功率密度的要求不断增加，因此产生了逆导型横向绝缘栅双极型晶体管(RC
‑
LIGBT)。RC
‑
LIGBT器件具有正向和反向的电流导通能力，因此在实际使用过程中就不需要再额外并联续流二极管使用。
[0003]在正向导通初期，传统的RC
‑
LIGBT会由于空穴电流出现的延迟而引发负阻效应，这对多个RC
‑
LIGBT并联使用的稳定性造成威胁。因此需要提出消除负阻效应的方法。
[0004]在正向阻断模式下，传统的RC
‑
LIGBT主要靠漂移区的耗尽来承担电场，因此耐压水平不高。漂移区内刻蚀填充氧化物沟槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种消除负阻效应的横向RC
‑
IGBT器件结构，其特征在于，在传统的横向IGBT器件的漂移区中心顶部设置氧化物隔离区域，隔离区域为沟槽形状，在氧化物下方是N
‑
漂移区1，在氧化物上方是N
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漂移区2，这两个区域都是低掺杂区域；在N
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漂移区1的下方是SOI层，在SOI层的下方是P
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基底；在N
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漂移区2的靠近发射极一侧通过离子注入的方式形成P型阳极区域，在N
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漂移区2的靠近集电极一侧通过离子注入的方式形成N型阴极区域。2.根据权利要求1所述的一种消除负阻效应的横向RC
‑
IGBT器件结构，其特征在于：所述的横向RC
‑
IGBT器件的元胞宽度为10～50μm，有源区深度为5～40μm。3.根据权利要求1所述的一种消除负阻效应的横向RC
‑
IGBT器件结构，其特征在于：所述的横向RC
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IGBT器件的氧化物沟槽深度为10～20μm。4.根据权利要求1所述的一种消除负阻效应的横向RC
‑
IGBT器件结构，其特征在于：所述的横向RC
‑
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【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，张孝冬，包梦恬，曹菲，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：