一种Ti3C2T制造技术

本发明专利技术公开了一种Ti3C2T

【技术实现步骤摘要】
一种Ti3C2T
x MXene/GO异质膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于电磁屏蔽材料及制备方法和应用领域，具体涉及一种Ti3C2T
X MXene/GO异质膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]随着现代电子技术的快速发展，电子器件和无线通讯设备得以广泛应用，随之产生越来越多的电磁辐射和干扰，使得空间电磁环境日趋复杂。电磁辐射成为继噪声、水和空气污染后的新型污染，电磁辐射不仅影响通信设备的信息安全和电子设备的正常运行，而且会危害人类身体健康。因此，对新型电磁防护材料的研究已经成为保护电子元件和人类免受电磁干扰不可或缺的部分。
[0003]MXenes是一类新型二维（2D）过渡金属碳化物和/或氮化物纳米材料，其分子式为M
n+1
X
n
T
x
，其中M为过渡金属元素，X为碳和/或氮元素，Tx为功能性表面端基（如
‑
O、
‑
F和
‑
OH）。由于其优异的金属导电性、亲水性以及与聚合物之间良好的界面相互本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Ti3C2T
X MXene/GO异质膜，其特征在于，所述异质膜由氧化石墨烯层和Ti3C2T
X MXene层交错堆叠形成的具有微观异质界面的三层结构薄膜，其中，顶膜和底膜均为氧化石墨烯层，Ti3C2T
X MXene层处于顶膜和底膜中间。2.根据权利要求1所述的一种Ti3C2T
X MXene/GO异质膜，其特征在于，所述Ti3C2T
X MXene/GO异质膜中Ti3C2T
X MXene和氧化石墨烯的含量均为5～95 wt%。3.根据权利要求1所述的一种Ti3C2T
X MXene/GO异质膜，其特征在于，所述Ti3C2T
X MXene/GO异质膜中Ti3C2T
X MXene和氧化石墨烯的片层厚度均为2～5 nm。4.根据权利要求1所述的一种Ti3C2T
X MXene/GO异质膜，其特征在于，所述Ti3C2T
X MXene/GO异质膜中氧化石墨烯的片层径向尺寸大于100 nm。5.根据权利要求1所述的一种Ti3C2T
X MXene/GO异质膜，其特征在于，Ti3C2T
X MXene层还含有功能材料，所述功能材料为铁氧体、含镍化合物、磁性材料、石墨烯、含碳纳米材料或介电材料。6.根据权利要求1所述的一种Ti3C2T
X ...

【专利技术属性】
技术研发人员：李颖，吴开友，杨旭林，李逵，王盼，冯威，雷一鸣，张敏，蒲昀，谈博一，
申请(专利权)人：成都大学，
类型：发明
国别省市：