一种K波段到Ka波段高性能功率放大器芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种K波段到Ka波段高性能功率放大器芯片，设计无线通信技术领域，包括依次连接的输入级电路、功率分配网络、偏置电路、稳定网络、晶体管Q、漏极电路、匹配网络、功率合成网络等，采用四级放大和尽可能对称的电路结构，能够最大限度避免相位偏移而产生损耗，在栅极电路中加入电阻提高电路的稳定性，最终末级放大电路进行四路功率合成，以实现高功率、高效率、低驻波的功率放大，对小型化、高可靠性、高信息容量的现代化通信系统。高信息容量的现代化通信系统。高信息容量的现代化通信系统。

【技术实现步骤摘要】
一种K波段到Ka波段高性能功率放大器芯片


[0001]本专利技术涉及无线通信
，具体涉及一种K波段到Ka波段高性能功率放大器芯片。

技术介绍

[0002]随着微波通信技术的发展，单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)凭借小型紧凑、稳定性好、抗干扰能力强和产品性能一致性好成为制导、雷达、导航、电子战、通信以及众多的民用系统中极具吸引力的选择。目前，K波段至Ka波段微波单片集成电路已成为当前各种高科技武器的重点发展方向，可广泛用于各种先进的战术导弹、电子战、卫星通信系统和陆海空基的先进相控阵雷达，特别是机载和星载雷达，因此研究该频段的功率放大器芯片变得尤为重要。为满足各试用领域对单片微波功率放大器的更高功率、更高效率、更高可靠性的要求，研发高压、高效、大功率的单片微波功率放大器成为必然趋势。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本专利技术提供一种K波段到Ka波段高性能功率放大器芯片,以满足K波段到Ka波段高功率、高效率、宽带高增益、低驻波、小型化应用场景本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种K波段到Ka波段高性能功率放大器芯片，其特征在于，其内部包括依次连接的输入级电路和功率分配网络1，所述输入级电路输入端连接射频输入，所述功率分配网络1输出端分别连接结构相同的两路：第一通路和第二通路；所述第一通路包括依次连接的偏置电路1、稳定网络1、晶体管Q1、漏极电路1、匹配网络1、偏置电路2、稳定网络2、晶体管Q2、漏极电路2、匹配网络2、功率分配网络2，所述功率分配网络2输出端分别连接结构相同的两路：第三通路和第四通路，第二通路上也连接有与第三通路结构相同的第五通路和第六通路；所述第三通路包括依次连接的偏置电路3、稳定网络3、晶体管Q3、漏极电路3、匹配网络3、偏置电路4、稳定网络4、晶体管Q4、漏极电路4，所述漏极电路4输出端连接功率合成网络；所述第三通路、第四通路、第五通路、第六通路末端的漏极电路均连接功率合成网络，所述功率合成网络输出端连接射频输出；所述稳定网络1、稳定网络2共同连接第一通路、第二通路；所述稳定网络3、稳定网络4共同连接第三通路、第四通路；稳定网络5、稳定网络6均共同连接第五通路、第六通路。2.根据权利要求1所述的一种K波段到Ka波段高性能功率放大器芯片，其特征在于，所述输入级电路包括微带线TL1、电容C0、微带线TL2、微带线TL3和微带线TL4，所述微带线TL1、电容C0、微带线TL2、微带线TL4依次串联，所述微带线TL3一端连接在所述微带线TL2和微带线TL4之间，另一端接地。3.根据权利要求1所述的一种K波段到Ka波段高性能功率放大器芯片，其特征在于，所述功率分配网络包括TL4输出端连接的两条并联电路，一条并联电路上依次串联着微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、微带线TL8，另一条并联电路上依次串联着包括微带线TL65、微带线TL66、微带线TL67、微带线TL68，电阻R1一端连接在所述微带线TL7、微带线TL8之间，另一端连接在微带线TL67、微带线TL68之间，所述TL8输出端连接第一通路、TL68连接第二通路。4.根据权利要求1所述的一种K波段到Ka波段高性能功率放大器芯片，其特征在于，所述偏置电路包括依次连接的电容C1、微带线TL9，所述微带线TL9输出端连接两条并联电路，一路依次串联着微带线TL10、电阻R2、电阻R3、电源VGS1，电容C2一端连接在电阻R2和电阻R3之间，另一端接地，另一路依次串联TL11...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙宇涛，罗力伟，王祁钰，杨柯，
申请(专利权)人：四川益丰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：