细胞培养芯片(100)具备：主体部，其具有第1流路(33)和第2流路(41)，从预定方向来看，该第2流路的至少一部分与第1流路(33)重叠；细胞分离膜(13)，其具有相互背向的第1主面(13a)和第2主面(13b)，以使得第1流路(33)位于第1主面(13a)上、且第2流路(41)位于第2主面(13b)上的方式配置在第1流路(33)和第2流路(41)之间；第1电极(21)，其与第1流路(33)相接，在第1流路(33)内沿着第1流路(33)延伸；以及第2电极(22)，其与第2流路(41)相接，在第2流路(41)内沿着第2流路(41)延伸。沿着第2流路(41)延伸。沿着第2流路(41)延伸。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】细胞培养芯片、细胞培养装置及细胞培养方法
[0001]本公开涉及细胞培养芯片、使用了该细胞培养芯片的细胞培养装置及细胞培养方法。
技术介绍
[0002]近年来，作为细胞培养芯片，正在积极开发活体功能芯片(Organ On a Chip：OoC)(例如参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献1：日本特开2018
‑
189474号公报
技术实现思路
[0005]专利技术要解决的技术问题
[0006]在上述的专利文献1等所公开的以往的OoC中，存在使用该OoC进行的细胞评价准确度不足这样的问题。
[0007]本公开是鉴于上述状况而完成的，目的在于提供能够进行更准确的细胞评价的细胞培养芯片等。
[0008]用于解决问题的技术方案
[0009]为了实现上述目的，在本公开涉及的细胞培养芯片的一个技术方案中，具备：主体部，其具有第1流路和第2流路，从预定方向来看，所述第2流路的至少一部分与所述第1流路重叠；细胞分离膜，其具有相互背向的第1主面和第2主面，以使得所述第1流路位于所述第1主面上、且所述第2流路位于所述第2主面上的方式配置在所述第1流路和所述第2流路之间；第1电极，其与所述第1流路相接，在所述第1流路内沿着所述第1流路延伸；以及第2电极，其与所述第2流路相接，在所述第2流路内沿着所述第2流路延伸。
[0010]另外，在本公开涉及的细胞培养装置的一个技术方案中，具备：上述记载的细胞培养芯片；和对所述第1电极和所述第2电极间的电阻进行计测的计测器。
[0011]另外，在本公开涉及的细胞培养方法的一个技术方案中，包括：使用上述记载的细胞培养芯片培养预定细胞的培养步骤；和使用所述第1电极和所述第2电极对所培养的所述细胞的电阻进行计测的计测步骤。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本公开，能够进行更准确的细胞评价。
附图说明
[0014]图1A是示意性地表示比较例涉及的细胞培养芯片的图。
[0015]图1B是表示比较例涉及的电极间电位和电流密度的分布的图。
[0016]图1C是表示比较例涉及的电阻的理论值和测定值的模拟图。
[0017]图2A是实施方式涉及的细胞培养芯片的第1概念图。
[0018]图2B是实施方式涉及的细胞培养芯片的第2概念图。
[0019]图3是表示实施方式涉及的细胞培养装置的框图。
[0020]图4是表示实施方式中的细胞培养方法的流程图。
[0021]图5A是实施方式涉及的细胞培养芯片的立体图。
[0022]图5B是实施方式涉及的细胞培养芯片的分解立体图。
[0023]图6是从层叠方向观察图1所示的单点划线的区域A1而得到的俯视图。
[0024]图7A是表示实施方式的与电极的长度有关的模拟结果的第1图。
[0025]图7B是表示实施方式的与电极的长度有关的模拟结果的第2图。
[0026]图8是表示实施方式的与电极宽度有关的模拟结果的图。
[0027]图9是表示实施方式的与流路高度有关的模拟结果的图。
[0028]图10A是对实施方式的电极的结构进行说明的第1图。
[0029]图10B是对实施方式的电极的结构进行说明的第2图。
[0030]图10C是对实施方式的电极的结构进行说明的第3图。
[0031]图10D是对实施方式的电极的结构进行说明的第4图。
[0032]图11A是表示细胞培养芯片的制作中的第1工序的俯视图。
[0033]图11B是图11A中的XI
‑
XI截面的剖视图。
[0034]图12A是表示细胞培养芯片的制作中的第2工序的俯视图。
[0035]图12B是图12A中的XII
‑
XII截面的剖视图。
[0036]图13A是对实施方式涉及的第1绝缘膜和第2绝缘膜进行说明的剖视图。
[0037]图13B是对实施方式涉及的第1绝缘膜和第2绝缘膜进行说明的分解立体图。
[0038]图14A是表示细胞培养芯片的制作中的第3工序的俯视图。
[0039]图14B是图14A中的XIV
‑
XIV截面的剖视图。
[0040]图15A是表示细胞培养芯片的制作中的第4工序的俯视图。
[0041]图15B是图15A中的XV
‑
XV截面的剖视图。
[0042]图16A是表示细胞培养芯片的制作中的第5工序的俯视图。
[0043]图16B是图16A中的XVI
‑
XVI截面的剖视图。
[0044]图17A是表示细胞培养芯片的制作中的第6工序的俯视图。
[0045]图17B是图17A中的XVII
‑
XVII截面的剖视图。
具体实施方式
[0046](公开的概要)
[0047]用于实现上述目的的、本公开涉及的细胞培养芯片的一个技术方案具备：主体部，其具有第1流路和第2流路，从预定方向来看，该第2流路的至少一部分与第1流路重叠；细胞分离膜，其具有相互背向的第1主面和第2主面，以使得第1流路位于第1主面上且第2流路位于第2主面上的方式配置在第1流路和第2流路之间；第1电极，其与第1流路相接，在第1流路内沿着第1流路延伸；以及第2电极，其与第2流路相接，在第2流路内沿着第2流路延伸。
[0048]由此，能够通过沿着第1流路和第2流路延伸的第1电极和第2电极对在配置于该第1流路和第2流路之间的细胞分离膜上培养的细胞片的电阻进行计测。在对细胞片的电阻进行计测时，对介于从第1电极到第2电极之间的第1流路和第2流路的内部的流体进行导电的
导电距离缩小。因此，能够降低对上述的流体进行导电时的电位下降的影响，能够更准确地对细胞片的电阻进行计测。由此，通过基于更准确的细胞片的电阻的细胞状态的推定，能够更准确地进行细胞评价。
[0049]另外，例如也可以为，在所述第1流路和所述第2流路包含电场区域，该电场区域是在从预定方向来看第1流路和第2流路重叠地延伸的位置跨第1流路和第2流路的区域，且是在区域内第1电极和第2电极延伸的区域，第1电极和第2电极的延伸方向上的长度为电场区域的延伸方向上的长度的25％以上。
[0050]由此，例如能够在计测对象的电阻为1000Ω以上的情况下，以误差率为
±
20％以内的计测水准对该电阻进行计测。由此，能够实现能根据更准确的电阻的计测值进行更准确的细胞评价的细胞培养芯片。
[0051]另外，例如第1电极和第2电极的延伸方向上的长度也可以为电场区域的延伸方向上的长度的70％以上。
[0052]由此，例如能够在计测对象的电阻为100Ω以上的情况下，以误差率为
±
20％以内的计测水准对该电阻进行计测。由此，能够实现能根据更准确的电阻的计测值进行更准确的细胞评价的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种细胞培养芯片，具备：主体部，其具有第1流路和第2流路，从预定方向来看，所述第2流路的至少一部分与所述第1流路重叠；细胞分离膜，其具有相互背向的第1主面和第2主面，以使得所述第1流路位于所述第1主面上且所述第2流路位于所述第2主面上的方式配置在所述第1流路和所述第2流路之间；第1电极，其与所述第1流路相接，在所述第1流路内沿着所述第1流路延伸；以及第2电极，其与所述第2流路相接，在所述第2流路内沿着所述第2流路延伸。2.根据权利要求1所述的细胞培养芯片，在所述第1流路和所述第2流路包含电场区域，所述电场区域是在从所述预定方向来看所述第1流路和所述第2流路重叠地延伸的位置处跨所述第1流路和所述第2流路的区域，且是在所述区域内所述第1电极和所述第2电极延伸的区域，所述第1电极和所述第2电极的延伸方向上的长度为所述电场区域的延伸方向上的长度的25％以上。3.根据权利要求2所述的细胞培养芯片，所述第1电极和所述第2电极的延伸方向上的长度为所述电场区域的延伸方向上的长度的70％以上。4.根据权利要求3所述的细胞培养芯片，所述第1电极和所述第2电极的延伸方向上的长度为所述电场区域的延伸方向上的长度的75％以上。5.根据权利要求2～4中任一项所述的细胞培养芯片，在所述电场区域中，所述第1流路和所述第2流路各自的所述预定方向上的长度的合计为0.2mm以上且1.5mm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的细胞培养芯片，所述第1电极和所述第2电极在与所述第1电极和所述第2电极的延伸方向交叉的方向上具有0.1mm的宽度。7.根据权利要求1～6中任一项所述的细胞培养芯片，所述主体部具有层叠构造
，
该层叠构造由在主面形成有所述第1电极的第1基板、第1隔壁层、第2隔壁层以及在主面形成有所述第2电极的第2基板沿着所述预定方向按该顺序层叠而得到，所述细胞分离膜由所述第1隔壁层和所述第2隔壁层夹着，所述第1隔壁层具有与形成于所述第1基板的所述第1电极对应地在厚度方向上将所述第1隔壁层贯通的第1贯通孔，所述第2隔壁层具有与形成于所述第2基板的所述第2电极对应地在厚度方向上将所述第2隔壁层贯通的第2贯通孔，所述第1流路具有由形成有所述第1电极的主面、所述第1贯通孔以及所述第1主面划定的第1主流路，所述第2流路具有由形成有所述第2电极的主面、所述第2贯通孔以及所述第2主面划定的第2主流路，从所述预定方向来看，所述第1主流路和所述第2主流路重叠。8.根据权利要求7所述的细胞培养芯片，还具备：
第1绝缘膜，其是...
【专利技术属性】
技术研发人员：辻清孝，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：
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