半导体纳米粒子集合体、半导体纳米粒子集合体分散液、半导体纳米粒子集合体组合物和半导体纳米粒子集合体固化膜制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体纳米粒子集合体，其为具有含有In和P的芯和1层以上的壳的芯/壳型半导体纳米粒子的集合，其中，半导体纳米粒子集合体的发射光谱(λ1)的峰波长(λ

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体纳米粒子集合体、半导体纳米粒子集合体分散液、半导体纳米粒子集合体组合物和半导体纳米粒子集合体固化膜


[0001]本专利技术涉及半导体纳米粒子的集合体以及使用了该集合体的半导体纳米粒子集合体分散液、半导体纳米粒子集合体组合物和半导体纳米粒子集合体固化膜。

技术介绍

[0002]作为显示器的波长转换材料，使用了微小粒径的半导体纳米粒子(量子点：QD)。这样的半导体纳米粒子是能够表现量子限制效果的微小的粒子，带隙的宽度根据纳米粒子的尺寸而变化。并且，通过光激发、电荷注入等手段而形成在半导体粒子内的激子，通过再结合而释放基于带隙的能量的光子，因此能够通过调节半导体纳米粒子的结晶尺寸，来控制发光波长，得到期望的波长的发光。
[0003]作为使用半导体纳米粒子的QD设备，存在：通过将半导体纳米粒子的集合体膜化而得到的QD膜，将蓝色光进行白色化，将得到的白色光通过彩色滤光片，转换为红、绿、蓝的方式(QD膜方式)；通过使用了半导体纳米粒子的集合体的QD彩色滤光片直接将蓝色光转换为红、绿的方式(QD彩色滤光片方式)。
[0004]使用图1对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体纳米粒子集合体，其为具有含有In和P的芯和1层以上的壳的芯/壳型半导体纳米粒子的集合，其中，在所述半导体纳米粒子集合体分散在分散介质中的状态下利用450nm的激发光进行激发时的发射光谱(λ1)的峰波长(λ
1MAX
)在515～535nm之间，所述发射光谱(λ1)的半值宽度(FWHM1)为43nm以下，对于构成所述半导体纳米粒子集合体的半导体纳米粒子利用445nm的激发光进行激发而得到的每1个粒子的发射光谱(λ2)满足以下的条件(1)～(3)的全部：(1)发射光谱(λ2)的半值宽度(FWHM2)的平均值为15nm以上，(2)发射光谱(λ2)的峰波长(λ
2MAX
)的标准差(SD1)为12nm以下，(3)发射光谱(λ2)的半值宽度(FWHM2)的标准差(SD2)为2nm以上。2.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子集合体，其中，所述半值宽度(FWHM1)为35nm以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体纳米粒子集合体，其中，所述标准差(SD1)为8nm以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体纳米粒子集合体，其中，所述半值宽度(FWHM1)为33nm以下，所述标...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅田直树，森山乔史，佐佐木洋和，松浦圭佑，
申请(专利权)人：昭荣化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：