一种基于有机复合物的短波红外光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于有机复合物的短波红外光电探测器及其制备方法。所述光电探测器包括衬底、设置在衬底表面一侧的介电层；介电层远离衬底的一侧依次设置有源极、有机活性层和漏极；有机活性层包括聚(2,5

【技术实现步骤摘要】
一种基于有机复合物的短波红外光电探测器及其制备方法


[0001]本专利技术属于有机光电探测领域，具体涉及一种基于有机复合物的短波红外光电探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]光电探测器是一种将光信号转换成电信号的器件。基于光电导效应的光电探测器件的工作原理是当光照射到感光材料上时，光生载流在电压下被分离，然后在电极上收集形成光电流。光电探测器在军事和国民经济的各个领域具有广泛的用途，例如，在可见光和近红外波段的光电探测器主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段的光电探测器主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等领域。目前，商业化的短波红外探测器以无机半导体为主，如：硅、锗和铟镓砷等，然而此类无机材料制备工艺较复杂，成本较高，且带隙不可调节，极大的限制了无机光电探测器的发展，因此有机光电探测器逐渐进入人们的视野。
[0003]CN108417716A公开了一种有机近红外光电探测器。所述有机近红外光电探测器以透明电极ITO作为近红外探测器的光电阳极，使用真空蒸镀将有机活化层制作成薄膜，最上层制备金属阴极，该技术制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于有机复合物的短波红外光电探测器，其特征在于，所述短波红外光电探测器包括衬底、设置在所述衬底表面一侧的介电层；所述介电层远离所述衬底的一侧依次设置有源极、有机活性层和漏极；所述有机活性层包括聚(2,5
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双(3
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十四烷基噻吩
‑2‑
基)噻吩[3,2
‑
b]噻吩)和掺杂剂。2.根据权利要求1所述的短波红外光电探测器，其特征在于，所述衬底的材料为Si；优选地，所述介电层的材料选自SiO2、Al2O3或HfO2中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述源极与漏极的材料各自独立地选自Ti、Au或Pt中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述掺杂剂为2,3,5,6
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四氟
‑
7,7,8,8
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四氰基喹二甲烷；优选地，所述掺杂剂占所述聚(2,5
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双(3
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十四烷基噻吩
‑2‑
基)噻吩[3,2
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b]噻吩)的质量百分数为1～5％。3.根据权利要求1或2所述的短波红外光电探测器，其特征在于，所述源极与漏极的厚度各自独立地为20～100nm；优选地，所述有机活性层的厚度为100～500nm。4.一种如权利要求1
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3任一项所述的短波红外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)在介电层远离衬底的一侧分别制备源极和漏极，得到第一中间装置；(2)在步骤(1)得到的第一中间装置的源极和漏极之间涂布聚(2,5
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双(3
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十四烷基噻吩
‑2‑
基)噻吩[3,2
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b]噻吩)层，得到第二中间装置；(3)将步骤(2)得到的第二中间装置浸泡于掺杂剂溶液中，加热，得到所述短波红外光电探测器。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述聚(2,5
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双(3
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十四烷基噻吩
‑2‑
基)噻吩[3,2
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b]噻吩)为聚(2,5
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双(3
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十四烷基噻吩
‑2‑
基)噻吩[3,2
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b]噻吩)的有机溶液；优选地，所述有机溶液的溶剂为1,2
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二氯苯和/或四氢呋喃；优选地，所述有机溶液中聚(2,5
‑
双(3<...

【专利技术属性】
技术研发人员：米斯巴尤纳斯，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：