钙钛矿光电元件制造技术

一种钙钛矿光电元件包含一钙钛矿层单元，该钙钛矿层单元含有如式(I)所示的螯合材料。本发明专利技术的钙钛矿光电元件具有更高能量转换效率(PCE)与稳定性；率(PCE)与稳定性；率(PCE)与稳定性；率(PCE)与稳定性；

【技术实现步骤摘要】
钙钛矿光电元件


[0001]本专利技术是有关于一种钙钛矿光电元件，特别是指一种含有螯合材料的钙钛矿光电元件。

技术介绍

[0002]钙钛矿光电材料近年发展迅速，因其具有良好的光学性质与电性且可用在湿式涂布制程，所以被用来制作低成本且高功能性的钙钛矿光电元件，例如太阳能电池、发光二极管或光传感器等。
[0003]然而，以溶液法制备钙钛矿光电元件中的钙钛矿光电结晶层时，由于制程涉及复杂的结晶成长过程，其成核与结晶生长过程难控制，常导致结晶品质不佳或晶体易产生缺陷。前述结果通常是由于未正常配位的金属元素所造成。而钙钛矿光电元件稳定性不佳的问题也被许多研究指出与结晶缺陷有高度相关。
[0004]过去各研究单位已尝试许多方法来改善钙钛矿结晶的稳定性，如添加金属卤化盐如KF、NaI、富勒烯C60、无机酸HI或HCl。然而，金属卤化盐与富勒烯具有溶解性与分散均匀性不佳的问题。无机酸则可能会因残留物造成钙钛矿光电元件稳定性不佳的问题。近期作为改善钙钛矿结晶缺陷问题的添加剂为硫化物，例如CN110828673A、US9966195B1与WO201本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿光电元件，包含一钙钛矿层单元，该钙钛矿层单元含有如下式(I)所示的螯合材料：[式(I)]其中，X1与X2分别为O或S；R1为金属离子、铵根离子、氢、C1～C
30
烷基、C1～C
30
烷氧基、C1～C
30
烷基芳基或C1～C
30
烷基杂芳基；当R1为金属离子时，m等于该金属离子的价数，并当R1为铵根离子、氢、C1～C
30
烷基、C1～C
30
烷氧基、C1～C
30
烷基芳基或C1～C
30
烷基杂芳基时，m为1；X3为-NR2R3或R2与R3分别为氢、C1～C
30
烷基、C1～C
30
烷氧基、C1～C
30
烷基芳基或C1～C
30
烷基杂芳基；及n为0～10。2.如权利要求1所述的钙钛矿光电元件，其中，R1为一价金属离子或二价金属离子。3.如权利要求2所述的钙钛矿光电元件，其中，R1为Li
+
、Na
+
、K
+
、Rb
+
或Cs
+
。4.如权利要求2所述的钙钛矿光电元件，其中，R1为Ge
2+
、Sn
2+
或Pb
2+
。5.如权利要求1所述的钙钛矿光电元件，其中，R1为
+
NR4R5R6R7，且R4、R5、R6与R7分别为氢、C1～C
30
烷基、C1～C
30
烷氧基、C1～C
30
烷基芳基或C1～C
30
烷基杂芳基。6.如权利要求1所述的钙钛矿光电元件，其中，R2与R3分别为C1～C
10
烷基。7.如权利要求1所述的钙钛矿光电元件，其中，n为0～5。8.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：施彦辰，黄琬瑜，柯崇文，
申请(专利权)人：位速科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：