一种氮化镓驱动电路制造技术

本申请公开了一种氮化镓驱动电路，属于半导体器件技术领域，包括比较器CMP1、比较器CMP2和第一开关单元，所述比较器CMP1的同相端与驱动芯片、比较器CMP2的反相端连接，比较器CMP1的反相端与比较器CMP2的同相端、基准电压Vref连接，比较器CMP1的输出端与功率管T的栅极连接，所述比较器CMP2的输出端与第一开关单元的控制端连接，所述第一开关单元的输入端与比较器CMP1的输出端、功率管T的栅极连接，第一开关单元的输出端接地。本申请可减少功率管T被击穿的情况，同时，可直接替换传统的硅MOS管，便于推广。便于推广。便于推广。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓驱动电路


[0001]本申请涉及半导体器件
，尤其是涉及一种氮化镓驱动电路。

技术介绍

[0002]随着第三代半导体功率管的兴起和普及，氮化镓（GaN）MOS管被广泛应用于高开关速度和高功率密度的场合。功率管分为D
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mode和E
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mode，其中，D
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mode耗尽型为常开型，应用在需串联低压硅MOS管使用。而E
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mode增强型为常关型，使用方式类似传统的硅MOS管，适合高频化应用。
[0003]参考图1，对于E
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mode氮化镓，一般采用传统的硅MOS管的驱动芯片加RC降压进行驱动，其中，驱动电路的输出电压的最高值等于电源电压减去稳压管ZD1的稳压值，而驱动芯片的电源电压一般为12V
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15V，稳压管ZD1的稳压一般为5.6V。
[0004]针对上述中的相关技术，专利技术人认为存在有以下缺陷：驱动电路通过电容C隔离，在启动瞬间，输出电压可通过电容C施加到功率管T的栅极，而稳压管ZD1反应不过来，过高的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓驱动电路，其特征在于，包括比较器CMP1、比较器CMP2和第一开关单元(10)，所述比较器CMP1的同相端与驱动芯片、比较器CMP2的反相端连接，比较器CMP1的反相端与比较器CMP2的同相端、基准电压Vref连接，比较器CMP1的输出端与功率管T的栅极连接，所述比较器CMP2的输出端与第一开关单元(10)的控制端连接，所述第一开关单元(10)的输入端与比较器CMP1的输出端、功率管T的栅极连接，第一开关单元(10)的输出端接地。2.根据权利要求1所述的氮化镓驱动电路，其特征在于，所述第一开关单元(10)采用MOS管。3.根据权利要求1所述的氮化镓驱动电路，其特征在于，还包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1的一端与比较器CMP1的输出端连接，电阻R1的另一端与功率管T的栅极连接，所述电阻R2的一端与电阻R1、功率管T的栅极，电阻R2的另一端与第一开关单元(10)的输入端连接。4.根据权利要求1所述的氮化镓驱动电路，其特征在于，还包括电阻R3，所述电阻R3的一端与功率管T的栅极连接，电阻R3的另一端接地。5.根据权利要求1所述的氮化镓驱动电路，其特征在于，还包括稳压电路，所述稳压电路用于给比较器CMP1和比较器CMP2供电。6.根据权利要求1所述的氮化镓驱动电路，其特征在于，所述稳压电路包括第二开关单元(20)、单向导通单元(30)、电阻R4、第三开关单元(40)、比较器CMP3、电容C和分压单元(50)，所述第二开关单元(20)的输入端与HVpower端、电阻R4的一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：何刚，彭琪，
申请(专利权)人：深圳市诚芯微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：