【技术实现步骤摘要】
一种纳米化铋基材料及其制备方法和应用
[0001]本专利技术属于纳米化铋基半导体材料领域,具体涉及一种纳米化铋基材料及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]因为低成本、高效、安全的优点,光催化技术被认为是治理环境污染的理想手段。铋基半导体材料因其独特的电子结构以及优异的催化降解性能而被广泛研究。然而,其单独作为光催化剂,存在光生载流子易复合、可见光利用率较低等缺点,抑制了其光催化性能。光催化材料的纳米化能够暴露表面反应活性位点、缩短电子迁移距离,降低电子空穴对的复合效率。此外,催化材料的纳米化能够增加比表面积,有利于染料分子在催化剂表面的富集,进一步提高半导体光催化剂的光催化活性。目前,针对光催化材料纳米化的方法主要有硬模板法以及表面活性剂的形貌调控。然而,硬模板法中模板制备方法复杂,容易造成能源与材料的浪费;而表面活性剂在后续的处理过程中又不易被除去,影响催化性能。因而如何采用绿色环保的技术实现光催化材料的纳米化成为研究的热点与难点。通过水热/溶剂热的方法还未实现光催化材料的纳米化,并应用到光催化领域。
专利技 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种纳米化铋基材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将原料加入溶剂中分散均匀,然后通过4
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10次水热法加热进行反应,得到纳米化铋基材料;总反应时间为6
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12h,反应温度为160
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200℃,每次水热法的间隔时间为70
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180min;所述原料为NaBiO3·
2H2O、Bi(NO)3·
5H2O、(NH4)2MoO4、(NH4)2WO4、NH4VO3中的一种或两种;所述溶剂为水或乙醇/乙二醇。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,将原料加入水中超声5
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30min,使其分散均匀。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述原料为NaBiO3·
2H2O,所述纳米化铋基材料为纳米化四氧化二铋。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述纳米化四氧化二铋为纳米级颗粒状与柱状...
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