一种宽频耦合器、电路板和电子设备制造技术

本申请公开了一种宽频耦合器、电路板及电子设备，该宽频耦合器包括：N个单频段耦合器，所述单频段耦合器包括第一信号传输线和第二信号传输线，其中，所述第一信号传输线具有发射端和接收端，所述第二信号传输线具有隔离端和耦合端；所述N个单频段耦合器包括相邻的第K个单频段耦合器和第K+1个单频段耦合器，其中，所述第K个单频段耦合器的耦合端与所述第K+1个单频段耦合器的隔离端相连，以使得所述宽频耦合器可以实现多个频段的信号耦合的基础上，减小所述宽频耦合器与外界连接的端口数量以及与所述宽频耦合器相连的端接电阻和π衰电路的数量，有利于所述宽频耦合器所在的电路板的布局和成本降低。的布局和成本降低。的布局和成本降低。

【技术实现步骤摘要】
一种宽频耦合器、电路板和电子设备


[0001]本申请涉及电子信息领域，尤其涉及一种宽频耦合器、包括该宽频耦合器的电路板以及包括该电路板的电子设备。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展，越来越多的电子设备中集成了通信功能，以实现通信信号的发射和接收。为了保证电子设备中天线发射的通信信号能够满足接收该通信信号的另一电子设备的接收功率需求，电子设备中需要实时检测其天线发射功率是否满足要求。
[0003]在实际应用中，由于天线发射的通信信号的功率无法直接进行监测，因此，现有电子设备通常通过设置耦合器对其发射的通信信号进行耦合，以便于基于耦合器输出的耦合信号对天线发射的通信信号进行功率监测。
[0004]目前，电子设备在向外发射通信信号时，存在多个发射链路，以发射不同频段的通信信号。但是，现有电子设备中在实现多频段发射信号的功率监测时，所需的耦合器在电路板上所在的面积较大，不利于电路板的布局和成本降低。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种宽频耦合器、电路板和电子设备，解决了现有电子设备中在实现多频段发射信号的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽频耦合器，其特征在于，包括：N个单频段耦合器，所述单频段耦合器包括第一信号传输线和第二信号传输线，其中，所述第一信号传输线具有发射端和接收端，所述第二信号传输线具有隔离端和耦合端；所述N个单频段耦合器包括相邻的第K个单频段耦合器和第K+1个单频段耦合器，其中，所述第K个单频段耦合器的耦合端与所述第K+1个单频段耦合器的隔离端相连，其中，N为不小于2的正整数，K为不小于1且小于N的任一正整数。2.根据权利要求1所述的宽频耦合器，其特征在于，所述宽频耦合器为微带耦合器，所述宽频耦合器所在的电路板包括：相邻的第一介质层、第二介质层和第三介质层，其中，所述第二介质层位于所述第一介质层和第三介质层之间，且所述第一介质层位于所述第二介质层远离所述第三介质层一侧表面；所述N个单频段耦合器包括第一单频段耦合器，所述第一单频段耦合器的第一信号传输线位于所述第一介质层，所述第一单频段耦合器的第二信号传输线位于所述第二介质层，所述第三介质层为所述第一单频段耦合器的接地层。3.根据权利要求2所述的宽频耦合器，其特征在于，所述N个单频段耦合器中各单频段耦合器的第一信号传输线均位于所述第一介质层，所述N个单频段耦合器中各单频段耦合器的第二信号传输线均位于所述第二介质层；所述第三介质层为所述N个单频段耦合器的接地层。4.根据权利要求3所述的宽频耦合器，其特征在于，所述N个单频段耦合器的第一信号传输线在所述第一介质层上相互平行。5.根据权利要求3所述的宽频耦合器，其特征在于，所述N个单频段耦合器的第一信号传输线中存在至少两条第一信号传输线在所述第一介质层上不平行。6.根据权利要求5所述的宽频耦合器，其特征在于，所述N个单频段耦合器的第一信号传输线中存在至少两条第一信号传输线在所述第一介质层上平行。7.根据权利要求5所述的宽频耦合器，其特征在于，所述N个单频段耦合器的第一信号传输线中各第一信号传输线在所述第一介质层上互不平行。8.根据权利要求2所述的宽频耦合器，其特征在于，所述宽频耦合器所在的电路板还包括：相邻的第四介质层、第五介质层和第六介质层，其中，所述第五介质层位于所述第四介质层和所述第六介质层之间，所述第五介质层位于所述第三介质层远离所述第二介质层一侧，所述第六介质层位于所述第五介质层远离所述第三介...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵薇，李旭东，
申请(专利权)人：荣耀终端有限公司，
类型：发明
国别省市：