适用于功率半导体器件的窄脉冲导通压降测试方法及电路技术

本发明专利技术涉及一种适用于功率半导体器件的窄脉冲导通压降测试方法及电路。其包括电流源，电流源包括储能电容C1以及可调电压源V

【技术实现步骤摘要】
适用于功率半导体器件的窄脉冲导通压降测试方法及电路


[0001]本专利技术涉及一种导通压降测试方法及电路，尤其是一种适用于功率半导体器件的窄脉冲导通压降测试方法及电路。

技术介绍

[0002]测试功率半导体器件的导通电压时，需要用一脉冲电流源产生一个恒定的电流脉冲（电流脉冲的脉宽通常小于2ms，但不绝对）去激励被测功率半导体器件，然后用电压表去测量功率半导体器件的电压响应，取功率半导体器件进入稳态时的电压值即为量终的测试结果，从而能得到测量的导通电压。
[0003]由于功率半导体的导通压降（功率半导体器件导通状态时所产生的电压降）与功率半导体器件的温度相关，而测试过程中，功率半导体器件上的导通损耗会导致功率半导体器件出现升温而影响测试结果。因此，测试过程需要用一个恒定的电流脉冲去激励功率半导体器件，且电流脉冲的持续时间（下文简称脉宽）越短，测试过程所导致的功率半导体器件温度变化越小，测量时的温度条件精度越高。但脉宽越短，会导致电流源的设计难度越大，电流源的实现成本越高。综合考虑测试精度和成本，通常会取一个较合理的脉宽。例如，对于IGBT本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于功率半导体器件的窄脉冲导通压降测试方法，其特征是：提供对待测功率半导体器件导通压降测试用的电流源，电流源与待测功率半导体器件的第一测试连接端适配连接，待测功率半导体器件的第二测试连接端以及电流源的接地端均直接接地；所述电流源包括一储能电容C1以及用于对储能电容C1充电的可调电压源V
adj
，储能电容C1通过一测试放电部与待测功率半导体器件的第一测试连接端适配连接，所述测试放电部包括用于控制测试状态的半导体开关T1以及与所述半导体开关T1串接的限制电阻R
limit
，其中，半导体开关T1受开通驱动信号PWM
‑
Drive控制；半导体开关T1处于关断状态时，利用可调电压源V
adj
对储能电容C1充电至所需电压状态，在对储能电容C1充电至所需的电压状态后，利用一开通驱动信号PWM
‑
Drive控制半导体开关T1导通，在半导体开关T1导通后，储能电容C1通过测试放电部对待测功率半导体器件放电，以向待测功率半导体器件加载一导通压降测试用的电流脉冲；在开通驱动信号PWM
‑
Drive的有效时间范围内，利用电压测量装置测量待测功率半导体的电压，以得到所需导通压降。2.根据权利要求1所述的适用于功率半导体器件的窄脉冲导通压降测试方法，其特征是：所述半导体开关T1为全控型半导体器件，半导体开关T1包括IGBT、IGCT、MOSFET、JFET、GTO或HEMT。3.根据权利要求1所述的适用于功率半导体器件的窄脉冲导通压降测试方法，其特征是：加载到待测功率半导体器件的电流脉冲的宽度与开通驱动信号PWM
‑
Drive的有效时间范围相一致，加载到待测功率半导体器件电流脉冲的宽度为2μs~2000μs。4.根据权利要求1至3任一项所述的适用于功率半导体器件的窄脉冲导通压降测试方法，其特征是：所述待测功率半导体器件为功率二极管时，功率二极管的阳极端形成第一测试连接端，功率二极管的阴极端形成第二测试连接端。5.根据权利要求1至3任一项所述的适用于功率半导体器件的窄脉冲导通压降测试方法，其特征是：所述待测功率半导体器件为可控型半导体器件时，还包括用于驱动所述待测功率半导体器件的偏置电源；对待测功率半导体器件测试时，利用偏置电源驱动待测功率半导体器件处于导通状态。6.根据权利要求1至3任一项所述的适用于功率半导体器件的窄脉冲导通压降测试方法，其特征是：所述电压测量装置包括电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文亮，李文江，李全强，许宗阳，朱阳军，
申请(专利权)人：山东阅芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：