阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。阵列基板包括多条且沿第一方向延伸的栅线；多条且沿第二方向延伸的数据线，所述第二方向与所述第一方向相交，多条栅线和多条数据线交叉限定出若干个像素区域；沿第二方向延伸并位于所述多条数据线的至少一侧的辅助数据线，所述辅助数据线为一个，每一所述辅助数据线与所述栅线交叉，所述辅助数据线与所述栅线、数据线限定出若干个辅助像素区域；所述阵列基板还包括显示区域和非显示区域，所述像素区域位于所述显示区域，所述辅助像素区域位于非显示区域；每一所述辅助像素区域内设置辅助薄膜晶体管和辅助像素电极，所述辅助薄膜晶体管与所述辅助像素电极不导通。晶体管与所述辅助像素电极不导通。晶体管与所述辅助像素电极不导通。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。
[0003]在一些相关技术中，如图1所示，液晶显示装置的显示面板的靠近显示区域101(AA区域，全称Active area区域)的非显示区域102内采用完整的辅助数据线130(Dummy Data)叠加完整辅助像素(Dummy pixel)区域150，但Dummy Data不输入信号的设计，以避免显示面板内发生ESD(静电释放)时数据线120(Normal data)与栅线110(Gate)发生短路(short)，从而保证显示面板的正常显示。然而，ESD(静电释放)会导致辅助数据线Dummy Data和栅线Gate发生short(简称DGS)，这样，辅助数据线Dummy Data会被写入栅线Gate的信号，当栅线Gate发生VGH/VGL电压切换时，辅助数据线Dummy Data随之发生VGH/VGL电压切换，Dummy pixel被写入VGH/VGL电压，一帧时间内栅线Gate绝大部分时间电压为VGL，Dummy pixel则在一帧内长期处于VGL电压，像素(Normal Pixel)区域140内的像素电极正常写入Data电压(绝对值小于VGL电压)；Dummy Pixel长期处于高电压差偏置状态，Normal Pixel边缘受到Dummy电场的影响，在长期运行环境下，液晶极化，AA区边缘出现发亮的问题。
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技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，以缓解DGS引起显示区域边缘发亮的问题。具体
技术实现思路
如下：
[0005]第一方面，本申请的实施例提出了一种阵列基板，包括：
[0006]多条且沿第一方向延伸的栅线；
[0007]多条且沿第二方向延伸的数据线，所述第二方向与所述第一方向相交，多条栅线和多条数据线交叉限定出若干个像素区域；
[0008]沿第二方向延伸并位于所述多条数据线的至少一侧的辅助数据线，所述辅助数据线为一个，每一所述辅助数据线与所述栅线交叉，所述辅助数据线与所述栅线、数据线限定出若干个辅助像素区域；
[0009]所述阵列基板还包括显示区域和非显示区域，所述像素区域位于所述显示区域，所述辅助像素区域位于非显示区域；每一所述辅助像素区域内设置辅助薄膜晶体管和辅助像素电极，所述辅助薄膜晶体管与所述辅助像素电极不导通。
[0010]第二方面，本申请的实施例提出了一种阵列基板，包括：
[0011]多条且沿第一方向延伸的栅线；
[0012]多条且沿第二方向延伸的数据线，所述第二方向与所述第一方向相交，多条栅线和多条数据线交叉限定出若干个像素区域；
[0013]沿第二方向延伸并位于所述多条数据线的至少一侧的辅助数据线，所述辅助数据
线为一个，每一所述辅助数据线与所述栅线交叉，所述辅助数据线与所述栅线、数据线限定出若干个辅助像素区域；
[0014]所述阵列基板还包括显示区域和非显示区域，所述像素区域位于所述显示区域，所述辅助像素区域位于非显示区域；每一所述辅助像素区域内设置辅助薄膜晶体管和辅助像素电极，每一所述辅助像素区域内的所述辅助数据线呈断开状态。
[0015]第三方面，本申请的实施例提出了一种阵列基板，包括：
[0016]多条且沿第一方向延伸的栅线；
[0017]多条且沿第二方向延伸的数据线，所述第二方向与所述第一方向相交，多条栅线和多条数据线交叉限定出若干个像素区域；
[0018]沿第二方向延伸并位于所述多条数据线的至少一侧的辅助数据线，所述辅助数据线为一个，每一所述辅助数据线与所述栅线交叉，所述辅助数据线与所述栅线、数据线限定出若干个辅助像素区域；
[0019]所述阵列基板还包括显示区域和非显示区域，所述像素区域位于所述显示区域，所述辅助像素区域位于非显示区域；每一所述辅助像素区域内设置辅助薄膜晶体管和辅助像素电极，每一辅助像素区域包括留白区和电极区，所述辅助像素电极设置在所述电极区，所述辅助像素电极和所述数据线之间限定出所述留白区。
[0020]第四方面，本申请的实施例提出了一种阵列基板，包括：
[0021]多条且沿第一方向延伸的栅线；
[0022]多条且沿第二方向延伸的数据线，所述第二方向与所述第一方向相交，多条栅线和多条数据线交叉限定出若干个像素区域；
[0023]沿第二方向延伸并位于所述多条数据线的至少一侧的辅助数据线，所述辅助数据线为一个，每一所述辅助数据线与所述栅线交叉，所述辅助数据线与所述栅线、数据线限定出若干个辅助像素区域；
[0024]所述阵列基板还包括显示区域和非显示区域，所述像素区域位于所述显示区域，所述辅助像素区域位于非显示区域；每一所述辅助像素区域仅包括留白区，所述留白区内设置辅助薄膜晶体管。
[0025]在本申请的一些实施例中，所述辅助薄膜晶体管包括栅极和源极，所述栅极与栅线电性连接，所述源极与所述辅助数据线电性连接。
[0026]在本申请的一些实施例中，所述辅助薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极与栅线电性连接，所述源极与所述辅助数据线电性连接，所述漏极与所述辅助像素电极电性连接。
[0027]在本申请的一些实施例中，所述辅助薄膜晶体管包括栅极、有源层和源极，所述栅极与栅线电性连接，所述源极与所述辅助数据线电性连接。
[0028]在本申请的一些实施例中，所述辅助薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，所述栅极与栅线电性连接，所述源极与所述辅助数据线电性连接，所述漏极与所述辅助像素电极不导通。
[0029]在本申请的一些实施例中，所述辅助薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，所述栅极与栅线电性连接，所述源极与所述辅助数据线电性连接，所述漏极与所述辅助像素电极电性连接。
[0030]在本申请的一些实施例中，所述辅助薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，所述栅极与栅线电性连接，所述源极与所述辅助数据线电性连接。
[0031]第五方面，本申请的实施例提出了一种显示面板，包括上述任一实施例中的阵列基板。
[0032]第六方面，本申请的实施例提出了一种显示装置，包括上述任一实施例中的显示面板。
[0033]本申请实施例有益效果：
[0034]本申请实施例提供的阵列基板，通过在每一辅助像素区域内设置辅助薄膜晶体管和辅助像素电极，辅助薄膜晶体管与辅助像素电极不导通；或者，每一辅助像素区域内的辅助数据线呈断开状态；或者，每一辅助像素区域包括留白区和电极区，辅助像素电极设置在电极区，辅助像素电极和数据线之间限定出留白区；或者，每一辅助像素区域仅包括留白区，留白区内设置辅助薄膜晶体管，使得即使ESD(静电释放)导致辅助数据线与栅线发生短路时，非显示区域不发亮或仅在极小区域发光，进而缓解显示区域边缘发亮的问题。另外，本申请实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：多条且沿第一方向延伸的栅线；多条且沿第二方向延伸的数据线，所述第二方向与所述第一方向相交，多条栅线和多条数据线交叉限定出若干个像素区域；沿第二方向延伸并位于所述多条数据线的至少一侧的辅助数据线，所述辅助数据线为一个，每一所述辅助数据线与所述栅线交叉，所述辅助数据线与所述栅线、数据线限定出若干个辅助像素区域；所述阵列基板还包括显示区域和非显示区域，所述像素区域位于所述显示区域，所述辅助像素区域位于非显示区域；每一所述辅助像素区域内设置辅助薄膜晶体管和辅助像素电极，所述辅助薄膜晶体管与所述辅助像素电极不导通。2.一种阵列基板，其特征在于，包括：多条且沿第一方向延伸的栅线；多条且沿第二方向延伸的数据线，所述第二方向与所述第一方向相交，多条栅线和多条数据线交叉限定出若干个像素区域；沿第二方向延伸并位于所述多条数据线的至少一侧的辅助数据线，所述辅助数据线为一个，每一所述辅助数据线与所述栅线交叉，所述辅助数据线与所述栅线、数据线限定出若干个辅助像素区域；所述阵列基板还包括显示区域和非显示区域，所述像素区域位于所述显示区域，所述辅助像素区域位于非显示区域；每一所述辅助像素区域内设置辅助薄膜晶体管和辅助像素电极，每一所述辅助像素区域内的所述辅助数据线呈断开状态。3.一种阵列基板，其特征在于，包括：多条且沿第一方向延伸的栅线；多条且沿第二方向延伸的数据线，所述第二方向与所述第一方向相交，多条栅线和多条数据线交叉限定出若干个像素区域；沿第二方向延伸并位于所述多条数据线的至少一侧的辅助数据线，所述辅助数据线为一个，每一所述辅助数据线与所述栅线交叉，所述辅助数据线与所述栅线、数据线限定出若干个辅助像素区域；所述阵列基板还包括显示区域和非显示区域，所述像素区域位于所述显示区域，所述辅助像素区域位于非显示区域；每一所述辅助像素区域内设置辅助薄膜晶体管和辅助像素电极，每一辅助像素区域包括留白区和电极区，所述辅助像素电极设置在所述电极区，所述辅助像素电极和所述数据线之间限定出所述留白区。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雪芳，顾可可，吴海龙，张星，刘剑峰，李会，陈莹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：