一种半导体光源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体光源，包括基板；设置在基板上的发光芯片；透光介质层以及光学透镜；其中，透光介质层包括和发光芯片的发光面贴合连接的第一表面、背离发光芯片一侧且贴合光学透镜的入射面的第二表面、以及由第二表面的边缘延伸至第一表面边缘的侧表面；光学透镜和基板之间、发光芯片的侧面留有未被填充的空腔空间；透光介质层的侧表面和/或光学透镜的部分表面可对经过透光介质层入射的光线反射。本申请中利用透光介质层增大发光芯片的发光面中光能的导出效率；且部分光线入射至透光介质层的侧表面可反射，避免该部分光线从光学透镜边缘发散出射，提升发光芯片输出光线的利用率。的利用率。的利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体光源


[0001]本技术涉及半导体光源
，特别是涉及一种半导体光源。

技术介绍

[0002]半导体光源因为其具有体积小、耗电量低、使用寿命长高亮度等等个方面的优点，被广泛的应用于各种照明设备中，尤其被应用于各种电子设备。常见的半导体光源包括LED光源、激光器光源等等。
[0003]随着半导体光源的广泛应用，人们对光源品质的要求也越来越高。例如在电子终端应用中大多数需要半导体光源输出圆形或矩形的均匀光斑，而在汽车前灯的应用中，则要求LED器件能够保证远场照明亮度。
[0004]无论半导体光源应用于在哪种设备中，尽可能的提升半导体光源的光能利用率是业内重点关注研究的方向之一。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提供一种半导体光源，提升了半导体光源的光能利用率。
[0006]为解决上述技术问题，本技术提供一种半导体光源，包括基板；设置在所述基板上的发光芯片；透光介质层以及光学透镜；
[0007]其中，所述透光介质层包括和所述发光芯片的发光面贴合连接的第一表面、背离所述发光芯片一侧且贴合所述光学透镜的入射面的第二表面、以及由所述第二表面的边缘延伸至所述第一表面边缘的侧表面；
[0008]所述光学透镜和所述基板之间、所述发光芯片的外侧留有未被填充的空腔空间；所述空腔空间具有通过所述光学透镜的表面和/或所述透光介质层的侧表面形成的反射面，所述反射面的横截面沿远离所述发光芯片的方向逐渐增大；所述反射面用于对所述发光芯片表面输出的并经过所述透光介质层入射至所述反射面的光线反射。
[0009]在本申请的一种可选地实施例中，所述透光介质层为透光胶层；
[0010]或所述透光介质层为和所述光学透镜一体成型结构的透光层。
[0011]在本申请的一种可选地实施例中，所述透光介质层的侧表面为由所述第一表面的边缘向所述第二表面的边缘延伸且横截面尺寸逐渐增大的锥形面。
[0012]在本申请的一种可选地实施例中，所述透光介质层的第一表面覆盖所述发光芯片的发光面或覆盖所述发光芯片的发光面和侧面。
[0013]在本申请的一种可选地实施例中，所述透光介质层为设置有扩散粉、荧光粉、抗沉淀粉或色剂粒子中的一种或多种颗粒的透光胶层。
[0014]在本申请的一种可选地实施例中，所述透光介质层为折射率大于1.4的硅树脂层或环氧树脂层；
[0015]所述光学透镜为硅树脂透镜、环氧树脂透镜、模造玻璃透镜中的任意一种透镜。
[0016]在本申请的一种可选地实施例中，所述光学透镜的入射面和出射面中至少一个为
曲面界面。
[0017]在本申请的一种可选地实施例中，还包括：
[0018]所述空腔空间中贴合所述透光介质层的侧表面设置有反光胶或折射率小于所述透光介质层的折射率的透光胶。
[0019]本技术所提供的一种半导体光源，包括基板；设置在基板上的发光芯片；透光介质层以及光学透镜；其中，透光介质层包括和发光芯片的发光面贴合连接的第一表面、背离发光芯片一侧且贴合光学透镜的入射面的第二表面、以及由第二表面的边缘延伸至第一表面边缘的侧表面；光学透镜和基板之间、发光芯片的外侧留有未被填充的空腔空间；空腔空间具有通过光学透镜的表面和/或透光介质层的侧表面形成的反射面，反射面的横截面沿远离发光芯片的方向逐渐增大；反射面用于对发光芯片表面输出的并经过透光介质层入射至反射面的光线反射。
[0020]本申请中的半导体光源中在发光芯片的发光面上设置透光介质层，因该透光介质层的折射率大于空气折射率，相对于发光芯片的光线直接由发光面这一光密介质发送至空气这一光疏介质而言，光线由发光面入射至透光介质层中发生全反射的光线的比例更小，从而增大了发光芯片的发光面中光能的导出效率。此外，光学透镜和基板之间、发光芯片的外侧留有未被填充的空腔空间；显然，该空腔空间相当于空气介质；而围成的该空腔空间的光学透镜的部分表面或透光介质层的侧表面即为空气介质和光学透镜或者透光介质层之间的界面，显然当该界面的横截面沿远离发光芯片的方向逐渐增大时，经过发光芯片输出的光线入射至该界面的光线入射角相对较大，易于发生全反射，使得该部分原本向四周大角度发散的光线向光学透镜中心方向偏转而被重新利用。由此可见本申请中半导体光源结构有利于提高光线利用率，提升该半导体光源输出光线的亮度。
附图说明
[0021]为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为具有中空透镜的LED光源的剖面结构示意图；
[0023]图2为具有一次透镜的LED光源的剖面结构示意图；
[0024]图3为本申请实施例提供的半导体光源的剖面结构示意图；
[0025]图4～7为本申请实施例提供的半导体光源的另外四种不用的剖面结构示意图。
具体实施方式
[0026]如图1和图2，图1为具有中空透镜的LED光源的剖面结构示意图；图2为具有一次透镜的LED光源的剖面结构示意图。无论是图1还是图2中的LED光源的光路结构，LED的发光芯片2尽管是属于面光源，但显然其发光面输出的光线并非是完全垂直于发光面输出的平行光，而是存在部分光线向发光面的边缘方向发散输出，如图1和图2中到箭头的直线示出的部分光线的传输方向，该部分光线经过图1和图2中所示的透镜结构会从透镜结构的边缘部位发散输出，且发散角度一般相对较大，而这部分光线往往难以起到照明作用，而造成光能
损失。
[0027]因此，本申请中提供了一种能够在一定程度上提升发光芯片2的光能利用率的技术方案。
[0028]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]如图3至图7所示，图3为本申请实施例提供的半导体光源的剖面结构示意图，图4～7为本申请实施例提供的半导体光源的另外四种不用的剖面结构示意图。该半导体光源可以包括：
[0030]基板1；设置在基板1上的发光芯片2。
[0031]该发光芯片2可以是LED芯片或者激光器发光芯片等等。
[0032]透光介质层3以及光学透镜4；
[0033]透光介质层3包括和发光芯片2的发光面贴合连接的第一表面、背离发光芯片2一侧且贴合光学透镜4的入射面的第二表面、以及由第二表面的边缘延伸至第一表面边缘的侧表面31；
[0034]参考图3可知，发光芯片2的发光面输出的光线经过透光介质层3的第一表面入射至透光介质层3再本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体光源，其特征在于，包括基板；设置在所述基板上的发光芯片；透光介质层以及光学透镜；其中，所述透光介质层包括和所述发光芯片的发光面贴合连接的第一表面、背离所述发光芯片一侧且贴合所述光学透镜的入射面的第二表面、以及由所述第二表面的边缘延伸至所述第一表面边缘的侧表面；所述光学透镜和所述基板之间、所述发光芯片的外侧留有未被填充的空腔空间；所述空腔空间具有通过所述光学透镜的表面和/或所述透光介质层的侧表面形成的反射面，所述反射面的横截面沿远离所述发光芯片的方向逐渐增大；所述反射面用于对所述发光芯片表面输出的并经过所述透光介质层入射至所述反射面的光线反射。2.如权利要求1所述的半导体光源，其特征在于，所述透光介质层为透光胶层；或所述透光介质层为和所述光学透镜一体成型结构的透光层。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟，曹宇星，汪洋，
申请(专利权)人：深圳瑞识智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：