用于电容结构的测试装置及其保护装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于电容结构的测试装置的保护装置，其中用于电容结构的测试装置包括至少两个第一焊盘，包括：第二焊盘；以及限流装置，限流装置串接于至少两个第一焊盘中的一个和所述第二焊盘之间，其中当通过限流装置的电流大于一电流阈值时自动断开，并且其中电流阈值至少部分根据用于电容结构的测试装置的漏电流标准规格电流而确定。本发明专利技术还提供一种包括以上保护装置的电容结构测试装置。通过本发明专利技术的技术方案，当测试失效时，所测得的漏电流已经超过标准规格电流后，电流仍会迅速增大。当其增大到限流装置的预定阈值时，该限流装置自动断开，从而待测电容结构的原始失效现场得以保护，便于在失效分析时通过连接极板的焊盘找到测试失效的根本原因。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及集成电路的测试，尤其涉及一种新颖的用于电容结构的测试 装置及其保护装置。
技术介绍
当前在开发电容结构(诸如金属-绝缘层-金属(MIM)结构)集成电路时，需 要事先对该电容结构进行耐压测试。现有技术中典型的用于测试电容结构的装置如 图1A和1B所示。图1A示出了现有技术中用于测试电容结构的装置顶视图，而 图1B示出了图1A中装置的截面图。图中，示出了电路板表面两个焊盘Padl和 Pad2组成的测试装置。在进行测试时，它们分别通过电路板上的通孔120与电路 板另一表面的待测电容结构的两个极板101和103相连接，而测试电源(未示出) 将测试电压施加于焊盘Padl和Pad2之间。另外，图1A和1B中示出的待测电容 结构为MIM结构，其中包括上下两个导电金属极板101、 103以及它们之间的绝 缘层102。以下描述具体的测试方法假设如图1A和1B所示电容结构设定耐压为12V (而MIM电容结构的耐压实际值由绝缘层的材质和厚度以及上下导电金属极板的 面积决定的)，测试时施加在两个焊盘Padl和Pad2之间(也就是施加在两个极板 101和103间)的电压是从OV斜坡上升到1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于电容结构的测试装置的保护装置，其中所述用于电容结构的测试装置包括至少两个第一焊盘，包括：第二焊盘；以及限流装置，所述限流装置串接于所述至少两个第一焊盘中的一个和所述第二焊盘之间，其中当通过所述限流装置的电流大于一电流阈值时，所述限流装置自动断开，并且其中所述电流阈值至少部分根据所述用于电容结构的测试装置的漏电流标准规格电流而确定。

【技术特征摘要】
1.一种用于电容结构的测试装置的保护装置，其中所述用于电容结构的测试装置包括至少两个第一焊盘，包括第二焊盘；以及限流装置，所述限流装置串接于所述至少两个第一焊盘中的一个和所述第二焊盘之间，其中当通过所述限流装置的电流大于一电流阈值时，所述限流装置自动断开，并且其中所述电流阈值至少部分根据所述用于电容结构的测试装置的漏电流标准规格电流而确定。2. 如权利要求1所述的保护装置，其特征在于，所述限流装置与所述第一和 第二焊盘通过通孔连接。3. 如权利要求2所述的保护装置，其特征在于，所述通孔由钨制成。4. 如权利要求1所述的保护装置，其特征在于，所述第一和第二焊盘由铝制成。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：梁山安，章鸣，陈强，郭志蓉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]