【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及机电控制领域，具体是针对功率开关器件(功率M0SFET)短路、过 流保护的电路。
技术介绍
在功率控制电路中短路、过流保护的方法是采用检测回路电流与预置的保护值 进行比较，作为短路、过流的判断条件进行保护。其缺点 一是功率器件工作在接 近短路保护值附近吋无法保护，造成保护失败损坏功率器件；二是过流保护点的设 置比较困难，设置过高可能造成功率器件保护失败，设置过低功率器件性能不能充 分发挥；三是需要电流采样器件及判断电路，成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可靠的功率开关器件保护电路，本专利技术通过检测功率开 关器件导通压降进行器件的短路、过流等保护。 本专利技术的技术方案如下功率开关器件保护电路，其特征在于包括有功率管驱动芯片，功率管驱动芯 片串接可控恒流源和光耦的输入端，功率管驱动芯片的驱动输出引脚HO/LO连接功率MOSFET管的驱动电路提供功率MOSFET管的栅源极电压，检测的功率MOSFET 管导通压降接有分压电路，分压电路的分压输出接入到可控恒流源的电压基准端， 光耦的输出端接检测电路。所述的功率开关器件保护电路，其特征在于所述的功率MOSFET管由IGBT模 块代替。采用检测电路检测功率开关器件的导通压降，并根据压降来得到控制信号，检 测电路在设计时需要考虑功率开关器件未导通时，其压降是输入电源VDD的电压， 此时，检测电路不能动作；当功率开关器件导通后，其压降跟其流过的电流有直接 的关系，需要检测到功率开关器件的导通压降；设定一保护电压，把检测的电压与 其比较判断得到需要的保护信号。本专利技术的技术特点如下-光...
【技术保护点】
功率开关器件保护电路，其特征在于：包括有功率管驱动芯片，功率管驱动芯片串接可控恒流源和光耦的输入端，功率管驱动芯片的驱动输出引脚ＨＯ／ＬＯ连接功率ＭＯＳＦＥＴ管的驱动电路提供功率ＭＯＳＦＥＴ管的栅源极电压，检测的功率ＭＯＳＦＥＴ管导通压降接有分压电路，分压电路的分压输出接入到可控恒流源的电压基准端，光耦的输出端接检测电路。
【技术特征摘要】
1、功率开关器件保护电路，其特征在于包括有功率管驱动芯片，功率管驱动芯片串接可控恒流源和光耦的输入端，功率管驱动芯片的驱动输出引脚HO/LO连接功率MOSFET管的驱动电路提供功率MOSFET管的栅源极电压，检测的...
【专利技术属性】
技术研发人员：张红，彭松柏，王文兵，
申请(专利权)人：合肥同智机电控制技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：34[中国|安徽]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。