一种超临界干燥装置及超临界干燥设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种超临界干燥装置及超临界干燥设备，用于对晶圆进行干燥。该超临界干燥装置包括具有至少两个腔室的干燥室，且该至少两个腔室相互之间连通。在每个腔室内设置有一个保持晶圆在其上的载台、以及设置在载台上方的喷嘴组件，其中，喷嘴组件用于向保持在载台上的晶圆表面喷洒超临界流体。在上述的方案中，通过采用由至少两个腔室组成的空间作为干燥室，在每个腔室内设置一套载台及喷嘴组件，从而一次可以对至少两个晶圆采用超临界干燥工艺进行干燥，实现对晶圆的批量干燥，提高超临界干燥装置对晶圆进行干燥的效率。临界干燥装置对晶圆进行干燥的效率。临界干燥装置对晶圆进行干燥的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种超临界干燥装置及超临界干燥设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种超临界干燥装置及超临界干燥设备。

技术介绍

[0002]随着半导体器件产品的集成度提高，对清洗剂刻蚀工艺后的晶圆进行干燥的能力成为影响良率的重要因素。如果对清洗及蚀刻工艺后的晶圆的干燥能力不足，将会出现产品良率下降、特性变差等问题。目前已开发出利用超临界流体的干燥方法，并正应用于半导体制造过程当中。但是现有技术中的超临界干燥装置都是采用单腔室作为干燥室，一次只能对一个晶圆表面进行干燥，效率较低。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种超临界干燥装置及超临界干燥设备，用以提高超临界干燥装置对晶圆进行干燥的效率。
[0004]第一方面，本专利技术提供了一种超临界干燥装置，用于对晶圆进行干燥。该超临界干燥装置包括具有至少两个腔室的干燥室，且该至少两个腔室相互之间连通。在每个腔室内设置有一个保持晶圆在其上的载台、以及设置在载台上方的喷嘴组件，其中，喷嘴组件用于向保持在载台上的晶圆表面喷洒超临界流体。
[0005]在上述的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超临界干燥装置，用于对晶圆进行干燥，其特征在于，包括：具有至少两个腔室的干燥室，且所述至少两个腔室相互之间连通；每个腔室内设置有一个保持所述晶圆在其上的载台、以及设置在载台上方的喷嘴组件，其中，所述喷嘴组件用于向保持在所述载台上的晶圆表面喷洒超临界流体。2.如权利要求1所述的超临界干燥装置，其特征在于，所述干燥室内所包含的腔室个数为两个、三个或四个。3.如权利要求1所述的超临界干燥装置，其特征在于，所述超临界流体为处于超临界状态下的二氧化碳。4.如权利要求1～3任一项所述的超临界干燥装置，其特征在于，所述干燥室内还设置有用于将所述至少两个腔室内的压力调节为设定压力的压力调节装置。5.如权利要求4所述的超临界干燥装置，其特征在于，在所述喷嘴组件向所述晶圆表面喷洒超临界流体时，所述设定压力高于所述超临界流体的临界压力。6.如权利要求1～3任一项所述的超临界干燥装置，其特征在于，还包括：用于向所述干燥...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹洪权，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：