直流支撑电容寄生电感的测量方法、装置及可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种直流支撑电容寄生电感的测量方法、装置及可读存储介质，涉及直流支撑电容领域，该方法包括，通过有限元算法计算回路中绝缘栅双极型晶体管输出端口的第一寄生电感；通过有限元算法计算铜排的第二寄生电感；根据所述第一寄生电感和所述第二寄生电感，计算所述直流支撑电容的第三寄生电感。本发明专利技术实施例的直流支撑电容寄生电感的测量方法，通过铜排对直流支撑电容的短接，在产品生产之前对直流支撑电容的寄生电感进行测量，可以有效指导膜电容的铜排设计，控制绝缘栅双极型晶体管IGBT的回路电感，准确达到设计目标，根据设计目标改进铜排设计，进行寄生电感优化。化。化。

【技术实现步骤摘要】
直流支撑电容寄生电感的测量方法、装置及可读存储介质


[0001]本专利技术涉及直流支撑电容领域，特别涉及一种直流支撑电容寄生电感的测量方法、装置及可读存储介质。

技术介绍

[0002]如图1所示，目前电机控制器多采用直流支撑电容，也称DC-link电容，其作用在逆变器之前为其提供稳定的电压源、所需要的脉冲输入电流以及滤除电磁干扰EMI。由于绝缘栅双极型晶体管IGBT主回路母排有杂散电感存在，当关断绝缘栅双极型晶体管IGBT时，集电极-发射极电流会快速下降，电感的特性是电流不能瞬变，会产生感应电动势，形成尖峰电压。这些尖峰电压的方向与直流母线电压方向与DC-link电容的电压方向一致，叠加在母线上会导致集电极-发射极之间的实际电压大于集电极-发射极之间的电压极限值，就有可能会损害IGBT。因为IGBT直连的为DC-link电容，产生寄生电感主要来自于电容内的母排，所以有必要进行DC-link电容的寄生电感计算。
[0003]而目前寄生电感测量方法分为估算和试验两种，估算根据铜排单独的寄生电感，不考虑叠层母排寄生电容的作用，得到寄生电感为几十nH，参考价值较低；计算方法多数是样件出来后进行双脉冲测试根据尖峰脉冲计算，只能作为设计验证的手段，没有指导设计的作用。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种直流支撑电容寄生电感的测量方法、装置及可读存储介质，用以解决现有技术中直流支撑电容寄生电感的提取方法多数是样件出来后进行双脉冲测试计算，只能作为设计验证的手段，没有指导设计的作用的问题。r/>[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
[0006]本专利技术实施例提供了一种直流支撑电容寄生电感的测量方法，包括：
[0007]通过有限元算法计算回路中绝缘栅双极型晶体管输出端口的第一寄生电感；
[0008]其中，在所述回路中，直流支撑电容一端与所述绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，另一端与所述绝缘栅双极型晶体管的集电极连接；所述直流支撑电容通过铜排短接；
[0009]通过有限元算法计算铜排的第二寄生电感；
[0010]根据所述第一寄生电感和所述第二寄生电感，计算所述直流支撑电容的第三寄生电感。
[0011]进一步地，所述直流支撑电容包括：并联连接的多个电容。
[0012]进一步地，所述直流支撑电容通过铜排短接，包括：
[0013]所述并联连接的每个电容的两端均与同一铜排相连接。
[0014]进一步地，所述根据所述第一寄生电感和所述第二寄生电感，计算所述直流支撑电容的第三寄生电感，包括：
[0015]所述直流支撑电容的第三寄生电感为所述第一寄生电感与第四寄生电感的差。
[0016]进一步地，所述第四寄生电感为第二寄生电感与所述电容个数的商。
[0017]本专利技术实施例还提供了一种直流支撑电容寄生电感的测量装置，包括：
[0018]第一计算模块，用于通过有限元算法计算回路中绝缘栅双极型晶体管输出端口的第一寄生电感；
[0019]其中，在所述回路中，直流支撑电容一端与所述绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，另一端与所述绝缘栅双极型晶体管的集电极连接；所述直流支撑电容通过铜排短接；
[0020]第二计算模块，用于通过有限元算法计算铜排的第二寄生电感；
[0021]第三计算模块，用于根据所述第一寄生电感和所述第二寄生电感，计算所述直流支撑电容的第三寄生电感。
[0022]进一步地，所述直流支撑电容包括：并联连接的多个电容。
[0023]进一步地，所述直流支撑电容通过铜排短接，包括：
[0024]所述并联连接的每个电容的两端均与同一铜排相连接。
[0025]进一步地，所述第三计算模块，还用于计算：
[0026]所述直流支撑电容的第三寄生电感为所述第一寄生电感与第四寄生电感的差；
[0027]其中，所述第四寄生电感为第二寄生电感与所述电容个数的商。
[0028]本专利技术实施例还提供了一种可读存储介质，其上存储有程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如上所述的直流支撑电容寄生电感的测量方法中的步骤。
[0029]本专利技术的有益效果是：
[0030]本专利技术实施例的直流支撑电容寄生电感的测量方法，通过铜排对直流支撑电容的短接，在产品生产之前对直流支撑电容的寄生电感进行测量，可以有效指导膜电容的铜排设计，控制绝缘栅双极型晶体管IGBT的回路电感，准确达到设计目标，根据设计目标改进铜排设计，进行寄生电感优化。
附图说明
[0031]图1表示现有技术中直流支撑电容在电机控制器中的应用电路图；
[0032]图2表示本专利技术实施例的直流支撑电容寄生电感的测量方法的步骤示意图；
[0033]图3表示本专利技术实施例的直流支撑电容寄生电感的测量的等效电路图；
[0034]图4表示本专利技术实施例的直流支撑电容寄生电感的测量方法的逻辑示意图；
[0035]图5表示本专利技术实施例的直流支撑电容寄生电感的测量装置的模块示意图。
具体实施方式
[0036]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本专利技术进行详细描述。
[0037]本专利技术针对现有技术中直流支撑电容寄生电感的提取方法多数是样件出来后进行双脉冲测试计算，只能作为设计验证的手段，没有指导设计的作用的问题，提供一种直流支撑电容寄生电感的测量方法、装置及可读存储介质。
[0038]如图2所示，本专利技术实施例提供了一种直流支撑电容寄生电感的测量方法，包括：
[0039]步骤201，通过有限元算法计算回路中绝缘栅双极型晶体管输出端口的第一寄生电感；
[0040]其中，在所述回路中，直流支撑电容一端与所述绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，另一端与所述绝缘栅双极型晶体管的集电极连接；所述直流支撑电容包括并联连接的多个电容，且每个电容的两端均与同一铜排相连接；
[0041]步骤202，通过有限元算法计算铜排的第二寄生电感；
[0042]步骤203，根据所述第一寄生电感和所述第二寄生电感，计算所述直流支撑电容的第三寄生电感。
[0043]本专利技术实施例的直流支撑电容寄生电感的测量方法，通过铜排对直流支撑电容的短接，在产品生产之前对直流支撑电容的寄生电感进行测量，可以有效指导膜电容的铜排设计，控制绝缘栅双极型晶体管IGBT的回路电感，准确达到设计目标，根据设计目标改进铜排设计，进行寄生电感优化。
[0044]如图3所示，绝缘栅双极型晶体管IGBT的回路电感，因为有薄膜电容的存在，假设卷绕薄膜电容为6组分别为C1-C6，此处为回路电感的终点。将6组电容等效为6个电感，将绝缘栅双极型晶体管IGBT的输出端口作为回路电感的端口，采用将薄膜电容中的各个电容都通过一块铜排短接(即通过铜排将电容的两端连接)后使用有限元算法计算寄生电感，因为这些短接铜排模块成一字摆开，忽略其寄生电容效应。
[004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直流支撑电容寄生电感的测量方法，其特征在于，包括：通过有限元算法计算回路中绝缘栅双极型晶体管输出端口的第一寄生电感；其中，在所述回路中，直流支撑电容一端与所述绝缘栅双极型晶体管的发射极连接，另一端与所述绝缘栅双极型晶体管的集电极连接；所述直流支撑电容通过铜排短接；通过有限元算法计算铜排的第二寄生电感；根据所述第一寄生电感和所述第二寄生电感，计算所述直流支撑电容的第三寄生电感。2.根据权利要求1所述的直流支撑电容寄生电感的测量方法，其特征在于，所述直流支撑电容包括：并联连接的多个电容。3.根据权利要求2所述的直流支撑电容寄生电感的测量方法，其特征在于，所述直流支撑电容通过铜排短接，包括：所述并联连接的每个电容的两端均与同一铜排相连接。4.根据权利要求1所述的直流支撑电容寄生电感的测量方法，其特征在于，所述根据所述第一寄生电感和所述第二寄生电感，计算所述直流支撑电容的第三寄生电感，包括：所述直流支撑电容的第三寄生电感为所述第一寄生电感与第四寄生电感的差。5.根据权利要求4所述的直流支撑电容寄生电感的测量方法，其特征在于，所述第四寄生电感为第二寄生电感与所述电容个数的商。6.一种直流支撑电容寄生电感的测量装置，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨柳，李东海，向长虎，
申请(专利权)人：北京新能源汽车股份有限公司，
类型：发明
国别省市：