一种大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构制造技术

一种大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构，包括一框架基体，框架基体的上端设置有散热片，中间为多基导内绝缘模块底板铜框架，下端为若干管脚，多基导内绝缘模块底板铜框架上封装有陶瓷片，陶瓷片上至少设置第一基岛和第二基岛，第一基岛上组装有第一大功率芯片，第二基岛上组装有第二大功率芯片，若干的管脚设置在陶瓷片上，第一大功率芯片和第二大功率芯片与管脚之间连接有键合引线。本实用新型专利技术最大的优点是可以将产品达到内绝缘同时又可以在产品里面安装两个或者两个以上的大功率芯片、控制芯片或者保护等组合，使产品能达到多元化，实现各种功能，同时在产品散热片和芯片之间达到绝缘，在产品的应用上减少很多操作工序和材料成本。和材料成本。和材料成本。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构


[0001]本技术属于半导体TO系列封装领域，尤其涉及一种多基岛内绝缘模块的封装结构。

技术介绍

[0002]芯片封装是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术，是整个集成电路制造过程中重要一环。芯片封装起到安放、固定、密封、保护芯片和增强散热性能的作用，可以隔绝外界污染及外力对芯片的破坏。在半导体封装领域，随着技术的发展，半导体产品应用对封装要求也越来越高。例如一个封装体里需要集成更多的芯片，以达到高集成度，减小封装体积，缩短芯片互联距离以提高芯片处理速度等目的。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种多基岛内绝缘模块的封装结构，该封装结构可通过多基岛不同芯片的组装实现不同的功能应用。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0005]一种大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构，包括一框架基体，所述框架基体的上端设置有散热片，中间为多基导内绝缘模块底板铜框架，下端为若干管脚，所述多基导内绝缘模块底板铜框架上封装有陶瓷片，所述陶瓷片上至少设置第一基岛和第二基岛，所述第一基岛上组装有第一大功率芯片，所述第二基岛上组装有第二大功率芯片，若干的所述管脚设置在所述陶瓷片上，所述第一大功率芯片和所述第二大功率芯片与所述管脚之间连接有键合引线。
[0006]本技术具有如下有益效果：
[0007]1、在底板铜框内部设计了两个基导，后续可以再增加基导，使产品在设计不同的基导时实现各种不同性能和不同应用领域上的产品，使产品实现多元化。
[0008]2、在管脚的设计上可以通过不同的线路应用，通过调整焊线位置，可以实现排序有不同的应用功能。
[0009]3、将不同功能的大功率芯片组装在不同的基导上可以实现产品的各种功能，在产品的基导上可以组装不同大小的芯片，也可以做MOS管、可控硅、快恢复二极管、碳化硅、氮化镓、IC等芯片，使产品在不同的组装实现不同的功能应用。
[0010]4、在芯片和管脚上可以实现铝线焊接或者也可以铜片焊接，如果在小电流产品可以铝线焊接，如果在大电流产品上我们可以铜片焊接，可以使产品在大电流冲击大大的提升。
附图说明
[0011]图1为本技术的大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构的一实施例的结构示意图。
[0012]图2为本技术的大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构的另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0013]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0014]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0015]实施例1：
[0016]参照图1所示，本技术提供的一种实施例：
[0017]一种大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构，包括一框架基体，所述框架基体的上端设置有散热片1，中间为多基导内绝缘模块底板铜框架4，下端为若干管脚5，所述多基导内绝缘模块底板铜框架4上封装有陶瓷片9，所述陶瓷片9上设置第一基岛2和第二基岛8，所述第一基岛2上组装有第一大功率芯片3，所述第二基岛8上组装有第二大功率芯片7，若干的所述管脚5设置在所述陶瓷片9上，所述第一大功率芯片3和所述第二大功率芯片7与所述管脚5之间连接有键合引线6。
[0018]优选的，所述第一大功率芯片3为MOS管、可控硅、快恢复二极管、碳化硅、氮化镓或IC芯片。
[0019]优选的，所述第二大功率芯片7为MOS管、可控硅、快恢复二极管、碳化硅、氮化镓或IC芯片。
[0020]优选的，所述陶瓷片9为氧化铝基板或氮化铝基板。
[0021]优选的，所述键合引线6为铝线或铜片。
[0022]通过高温烧结使产品成型，使产品的芯片和散热片可以完全绝缘，这样产品可以装大功率的芯片，可提供更大功率的产品给各种电源使用，在应用上面又可以减少成本和提高效率，在成本上面原来在电路上面需要两个散热片和两个产品，通过本技术实施例的技术现在只要一个产品和一个散热片完成以前的功能，同时产品背面不要安装绝缘膜，就可以完全达到绝缘效果。
[0023]此实施例大功率多基导内绝缘TO系列其最大的优点是可以将产品内绝缘达同时又可以在产品里面安装两个或者两个以上的大功率芯片组合，使产品能达到多元化，实现各种功能，同时在产品散热片和芯片达到绝缘，在产品的应用上减少很多操作工序和材料
成本。推广方便，减少空间，使用范围广。
[0024]实施例2：
[0025]参照图2所示，本技术提供的另一实施例：
[0026]一种大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构，包括一框架基体，所述框架基体的上端设置有散热片1，中间为多基导内绝缘模块底板铜框架4，下端为若干管脚5，所述多基导内绝缘模块底板铜框架4上封装有陶瓷片9，所述陶瓷片9上少设置第一基岛2、第二基岛8和第三基岛10，所述第一基岛2上组装有第一大功率芯片3，所述第二基岛8上组装有第二大功率芯片7，所述第三基岛10上组装有第三大功率芯片11，若干的所述管脚5设置在所述陶瓷片9上，所述第一大功率芯片3和所述第二大功率芯片7与所述管脚5之间连接有键合引线6。
[0027]优选的，所述第一大功率芯片3为MOS管、可控硅、快恢复二极管、碳化硅、氮化镓或IC芯片。
[0028]优选的，所述第二大功率芯片7为MOS管、可控硅、快恢复二极管、碳化硅、氮化镓或IC芯片。
[0029]优选的，所述第三大功率芯片11为MOS管、可控硅、快恢复二极管、碳化硅、氮化镓或IC芯片。
[0030]优选的，所述陶瓷片9为氧化铝基板或氮化铝基板。
[0031]优选的，所述键合引线6为铝线或铜片。
[0032]最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构，包括一框架基体，所述框架基体的上端设置有散热片（1），中间为多基导内绝缘模块底板铜框架（4），下端为若干管脚（5），其特征在于：所述多基导内绝缘模块底板铜框架（4）上封装有陶瓷片（9），所述陶瓷片（9）上至少设置第一基岛（2）和第二基岛（8），所述第一基岛（2）上组装有第一大功率芯片（3），所述第二基岛（8）上组装有第二大功率芯片（7），若干的所述管脚（5）设置在所述陶瓷片（9）上，所述第一大功率芯片（3）和所述第二大功率芯片（7）与所述管脚（5）之间连接有键合引线（6）。2.根据权利要求1所述的大功率多基导内绝缘TO系列的封装结构，其特征在于：所述陶瓷片（9）还设置有第三基岛（10），所述第三基岛（10）上设置有第三大功率芯片（11）。3.根据权利要求1所述的大功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅宇峰，黄达鹏，
申请(专利权)人：品捷电子苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：