一种提高烧结磁体磁性能的扩散方法以及制得的高性能烧结NdFeB磁体技术

本发明专利技术公开了一种提高烧结磁体磁性能的扩散方法：在烧结NdFeB磁体基体表面覆盖一层碳膜，质量占比为磁体基体的0.2％～2.0％，涂有碳膜的磁体基体进行磁控溅射镀膜，镀上重稀土膜，重稀土的质量占比为磁体基体0.2％～4％，得到镀膜的磁体；镀膜的磁体进行晶界扩散处理，得到晶界扩散后的高性能烧结NdFeB磁体。本发明专利技术还公开了按照此方法制备得到的高性能烧结NdFeB磁体。本发明专利技术通过在磁体表面覆盖一层碳膜，并控制碳的重量，然后再进行重稀土晶界扩散，在减少Br降低量的同时提高重稀土扩散效果，最终可以得到一种高Br、高Hcj磁性能的稀土NdFeB磁体。土NdFeB磁体。土NdFeB磁体。

【技术实现步骤摘要】
一种提高烧结磁体磁性能的扩散方法以及制得的高性能烧结NdFeB磁体


[0001]本专利技术涉及一种提高烧结磁体磁性能的扩散方法以及制得的高性能烧结NdFeB磁体。

技术介绍

[0002]烧结NdFeB磁体材料磁性能高，不含战略金属镍，价格相对较低，且应用范围广，使用寿命长，因而有着广泛的发展前景。
[0003]但烧结NdFeB系磁体还处于发展阶段，首先烧结NdFeB磁体的磁性能有很大的进步空间，目前的烧结NdFeB磁体磁能积仅能达到理论值的83％，工业小批量生产和大批量生产得到的磁能积更低。其次实际烧结的Hcj仅有理论的20％～30％，仍然又很大进步空间。因此提高烧结NdFeB磁体的磁性能尤为重要。
[0004]扩散技术是近年来可以快速提高Hcj的技术，其具有成本低，操作方便，性价比高等优点，但扩散技术过程中存在重稀土扩散深度不够；重稀土向主相扩散的问题，导致扩散后磁体Br降低量大，Hcj增量不够，因此如何更好的提升烧结NdFeB扩散效果尤为关键。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种通过预先扩散一层碳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高烧结磁体磁性能的扩散方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：(1)在烧结NdFeB磁体基体表面利用多弧溅射法覆盖一层碳膜，碳膜的厚度为2～20um，质量占比为磁体基体的0.2％～2.0％，涂有碳膜的磁体基体进行磁控溅射镀膜，镀上重稀土膜，重稀土膜层的厚度为1um～30um，重稀土的质量占比为磁体基体0.2％～4％，得到镀膜的磁体；(2)镀膜的磁体进行晶界扩散处理，扩散温度在800℃～1000℃，扩散时间在1h～48h，真空度在1.0*10
‑3Pa以上，晶界扩散后，冷却至室温再升温进行回火处理，得到晶界扩散后的高性能烧结NdFeB磁体。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(1)中，所述重稀土为Tb或Dy。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(2)中，晶界扩散后的高性能烧结NdFeB磁体中，碳含量为0.05％～0.30wt％，重稀土的含量为0.11％～4％。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(2)中，扩散温度为850℃～920℃，扩散时间为6h～12h。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(2)中，回火温度为400℃～800℃，回火时间为0.2h～24h。6.如权利要求1～5之一所述的方法制备得到的高性能烧结NdFeB磁体，其特征在于所述磁体中，碳含量为0.05％～0.30wt％，且碳含量从磁体外层向内层递减，晶界扩散后重稀土的质量含量为0.11％～4％。7.如权利要求6所述的高性能烧结NdFeB磁体，其特征在于所述磁体中，从外表面向内部5mm范围内，碳含量从外向内逐渐递减，并且晶界内平均碳含量比晶粒内平均碳含量高50％以上。8.一种高性能烧结NdFeB磁体，其特征在于所述磁体成分为R1R
h
M1M2C1A1T1，其中R1是Nd、Pr、Ho、Gd中的一种或者几种，其含量为27～33wt％，R
h
为重稀土元素，为Dy或Tb，含量为0.11％～4％；M1选自Al、Cu、Zn、Sn、In、Ti、V中的一种或几种，其含量为0.1～1.5wt％,M2选自Co、Mn、Ni、Ca、Zr、Ga、Nb、Mo、Si的一种或几种，其含量为0.5％～1.5wt％，A1为硼，含量为0.5％～1.5wt％，C1为碳，其含量为0.05％～0.30wt％，余量为T1，T1为Fe；所述磁体中从外表面向内部5mm范围内...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱啸航，达明花，许丁丁，胡校铭，王黎旭，付松，
申请(专利权)人：浙江英洛华磁业有限公司，
类型：发明
国别省市：