【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制备方法、显示面板
[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示面板。
技术介绍
[0002]相关技术中，发光二极管(Light
‑
Emitting Diode，LED)的发光效率比较低。因此，如何提高LED的发光效率是需要解决的一个技术问题。
技术实现思路
[0003]本申请实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示面板，以解决相关技术存在的问题，技术方案如下：
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种发光器件，包括：衬底，以及衬底上的第一发光结构、第二发光结构、第一反射层、第二反射层、第一电极、第二电极和第三电极；
[0005]第一电极与第一发光结构电连接，第一电极通过第二电极与第二发光结构电连接，第三电极与第二发光结构电连接；
[0006]第一反射层位于第一电极和第一发光结构之间，第一电极在衬底上的正投影的至少部分区域位于第一反射层在衬底上的正投影内；
[0007]第二反射层包括第一反射部分、第二反射部分和第三...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：衬底，以及所述衬底上的第一发光结构、第二发光结构、第一反射层、第二反射层、第一电极、第二电极和第三电极；所述第一电极与所述第一发光结构电连接，所述第一电极通过所述第二电极与所述第二发光结构电连接，所述第三电极与所述第二发光结构电连接；所述第一反射层位于所述第一电极和所述第一发光结构之间，所述第一电极在所述衬底上的正投影的至少部分区域位于所述第一反射层在所述衬底上的正投影内；所述第二反射层包括第一反射部分、第二反射部分和第三反射部分中的至少一部分，所述第一反射部分位于所述第二电极与所述第二发光结构之间，所述第二反射部分位于所述第二电极与所述衬底之间，所述第三反射部分位于所述第二电极与所述第一发光结构之间；所述第二电极在所述衬底上的正投影的至少部分区域位于所述第二反射层在所述衬底上的正投影内。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括：第一导电结构和第二导电结构；所述第一电极通过所述第一导电结构与所述第一发光结构电连接，所述第一反射层的至少部分被所述第一导电结构包裹；所述第二电极通过所述第二导电结构与所述第二发光结构电连接，所述第二反射层的至少部分被所述第二导电结构包裹。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第二反射层覆盖所述第一发光结构的部分区域、所述衬底的部分区域以及所述第二发光结构的侧面；在所述第二导电结构、所述第二反射层和所述第一发光结构的远离所述衬底的一侧，所述第二电极覆盖所述第二导电结构的至少部分区域、所述第二反射层的至少部分区域和所述第一发光结构的部分区域。4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，还包括：第三反射层，位于所述第一发光结构、所述第二发光结构和所述第二导电结构的远离所述衬底的一侧；所述第二电极，位于所述第三反射层的远离所述衬底的一侧，通过所述第三反射层中的过孔分别与所述第一发光结构、所述第二导电结构电连接。5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，还包括：绝缘层，位于所述第二电极的远离所述衬底的一侧。6.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一导电结构和所述第二导电结构均包括第一电流扩展层；在同一导电结构中，所述第一电流扩展层的第一部分和对应的反射层的至少部分位于对应的发光结构的远离所述衬底的一侧，所述第一电流扩展层与该发光结构电连接；所述第一电流扩展层的第二部分位于对应的反射层的远离所述衬底的一侧的至少部分区域，并覆盖该反射层的至少三个侧面。7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第一导电结构和所述第二导电结构还包括第二电流扩展层；在同一导电结构中，所述第二电流扩展层位于对应的发光结构的远离所述衬底的一侧，并与该发光结构接触；所述第一电流扩展层的第一部分位于所述第二电流扩展层的远
离所述衬底的一侧的第一区域，并与所述第二电流扩展层接触，通过所述第二电流扩展层与对应的发光结构电连接；所述第一电流扩展层的第二部分覆盖对应的反射层的三个侧面；所述第一反射层的至少部分位于所述第一导电结构中第二电流扩展层的远离所述衬底的一侧的第二区域，并与该第二电流扩展层接触；所述第二反射层的至少部分位于所述第二导电结构中第二电流扩展层的远离所述衬底的一侧的第二区域，并与该第二电流扩展层接触。8.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，在同一导电结构中，所述第一电流扩展层的第一部分...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙双，张方振，彭宽军，陈婉芝，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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