一种宽频共模抑制基础结构、级联结构及结构组制造技术

本实用新型专利技术属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种宽频共模抑制基础结构、级联结构及结构组，所述挖空滤波结构包括分别设置于差分信号对两侧的一圆孔滤波部和另一圆孔滤波部，所述一圆孔滤波部和另一圆孔滤波部经一条孔滤波部连接，本实用新型专利技术解决现有技术存在不能有效抑制共模传输信号传输，从而导致影响差模信号传输，显著降低共模EMI噪声传输的问题，具有实现共模传输信号的宽频有效抑制，而不影响差模信号传输，显著降低共模EMI噪声传输的有益技术效果。技术效果。技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种宽频共模抑制基础结构、级联结构及结构组


[0001]本技术属于半导体封装
，尤其涉及一种宽频共模抑制基础结构、级联结构及结构组。

技术介绍

[0002]随着纳米级集成电路工艺的迅速发展、系统接口传输速度不断增加、数字电路工作频率快速上升，在传输线效应与电磁场耦合效应逐步明显的情况下，集成电路及其系统所造成的电磁干扰问题变得越来越严重，已经成为电子系统整体电磁干扰能量的重量来源。因此，电磁兼容设计必须提升到研发阶段，及早从电磁干扰源端进行有效的自屏蔽设计以满足电磁兼容设计标准；
[0003]常见的差分对设计模型，两层基板设计，其中差分对阻抗设计为100ohm，介质厚度为1.6mm，介质选择常用的FR4材料，铜箔厚度为0.035mm；图6给出了差分的的差模传输特性(SDD21)和共模传输特性(SCC21)；从图6中可知，差模信号和共模信号均能较为完整地传输到接收端；差分对是PCB及封装设计中常用的组件，尤其体现在高频、高速的应用中；当差分对设计出现不对称时，差分信号将会转化为共模信号，因此由共模信号产生的共模电磁辐射将会显著增加；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽频共模抑制基础结构，其特征在于，包括基于两层叠层结构配置下的共模抑制单元，所述共模抑制单元包括基层，所述基层一表面通过介质层形成接地层，并设置为参考平面，其相对另一表面为信号平面，所述信号平面上形成差分信号对，所述参考平面形成与差分信号对垂直的哑铃状挖空滤波结构，所述挖空滤波结构包括分别设置于差分信号对两侧的一圆孔滤波部和另一圆孔滤波部，所述一圆孔滤波部和另一圆孔滤波部经一条孔滤波部连接。2.根据权利要求1所述共模抑制基础结构，其特征在于，所述基层包括PCB基板或封装基板。3.根据权利要求1所述共模抑制基础结构，其特征在于，所述差分信号对包括一差分信号线和另一差分信号线。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：高波，张彤，
申请(专利权)人：苏州锐杰微科技集团有限公司，
类型：新型
国别省市：