用于耗损均衡存储器的区调换制造技术

技术编号:33264737 阅读:31 留言:0更新日期:2022-04-30 23:17
描述与用于耗损均衡存储器的区调换相关的方法、系统和装置。存储器装置可通过将与(例如,存取命令的)相应逻辑地址相关联的相应逻辑区映射到所述存储器装置的相应区而执行存取操作。当所述存储器装置接收到存取命令且存取相应区时,一些区可能相对于其它区经历不成比例量的存取操作。因此,所述存储器装置可调换存储在一些不成比例地存取的区中的数据。所述存储器装置可基于调换所述数据而更新与所述区相关联的相应逻辑区的对应关系,使得稍后的存取操作存取所要数据。的存取操作存取所要数据。的存取操作存取所要数据。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于耗损均衡存储器的区调换
[0001]交叉参考
[0002]本专利申请要求帕夫洛夫斯基(Pawlowski)于2019年8月29日提交的标题为“用于耗损均衡存储器的区调换(ZONE SWAPPING FOR WEAR LEVELING MEMORY)”的第16/555,903号美国专利申请的优先权,前述申请让渡给本专利技术的受让人且以引用的方式明确并入本文中。

技术介绍

[0003]下文大体上涉及一种包含至少一个存储器装置的系统,且更具体地说,涉及用于耗损均衡存储器的区调换。
[0004]存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说,二进制装置最常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两种状态中的一者。在其它装置中,可存储多于两个状态。为了存取所存储的信息,装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储的状态。为了存储信息,装置的组件可对存储器装置中的状态进行写入或编程。
[0005]存在各种类型的存储器装置,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法,其包括:在包括多个区的存储器阵列处接收包括相应逻辑地址的多个存取命令;至少部分地基于将与所述相应逻辑地址相关联的相应逻辑区映射到所述存储器阵列的所述多个区中的相应区而执行所述多个存取命令的存取操作;至少部分地基于接收到所述多个存取命令而标识与第一加权值相关联的第一区和与第二加权值相关联的第二区,所述第一加权值和所述第二加权值至少部分地基于对所述相应区执行的所述存取操作的量;至少部分地基于所述第一加权值和所述第二加权值而调换存储在所述第一区和所述第二区中的数据;以及至少部分地基于调换所述数据而更新与所述第一区和所述第二区相关联的相应逻辑区的对应关系。2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:确定与所述存储器阵列的所述多个区中的每一者相关联的加权值,其中标识与所述第一加权值相关联的所述第一区和与所述第二加权值相关联的所述第二区至少部分地基于确定与所述存储器阵列的所述多个区中的每一者相关联的所述加权值。3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:确定所述第一区与所述多个区中的每一者的最大加权值相关联,且所述第二区与所述多个区中的每一者的最小加权值相关联。4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:确定所述第一加权值与所述第二加权值之间的差超过阈值,其中调换存储在所述第一区和所述第二区中的所述数据至少部分地基于所述第一加权值与所述第二加权值之间的所述差超过所述阈值。5.根据权利要求1所述的方法,其中更新与所述第一区和所述第二区相关联的所述相应逻辑区的所述对应关系包括:将先前与所述第一区相关联的所述逻辑区映射到所述第二区;以及将先前与所述第二区相关联的所述逻辑区映射到所述第一区。6.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:至少部分地基于更新与所述第一区和所述第二区相关联的所述相应逻辑区的所述对应关系而在某一持续时间内禁止调换所述第一区和所述第二区中的数据。7.根据权利要求6所述的方法,其中所述持续时间包括时间长度、接收到的与所述第一区相关联的存取命令的量、接收到的与所述第二区相关联的存取命令的量,或其组合。8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:在所述调换期间将所述数据存储到所述存储器阵列的临时寄存器,其中所述数据经配置以在所述临时寄存器中存取,直到所述调换完成。9.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个区中的每一者包括多个码字,至少部分地基于对所述多个区中的每一者的所述多个码字的存取操作来更新每个区的所述相应加权值。10.根据权利要求9所述的方法,其中相比于对相应区执行的写入操作,对所述相应区的码字执行的读取操作与更小的加权值相关联。...

【专利技术属性】
技术研发人员:J
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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