【技术实现步骤摘要】
形状记忆合金致动器及其方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年3月19日提交的美国专利申请17/207,530号的优先权以及于2020年10月12日提交的美国临时专利申请63/090,569的权益并要求这些美国专利申请的优先权,这些美国专利申请的公开通过引用整体并入本文。
[0003]本专利技术的实施例涉及形状记忆合金系统领域。具体而言,本专利技术的实施例涉及形状记忆合金致动器及与其相关的方法的领域。
技术介绍
[0004]形状记忆合金(“SMA”)系统具有活动组件或结构,该活动组件或结构例如可以与相机透镜元件结合来用作自动对焦驱动器。这些系统可以被诸如屏蔽罩的结构包围。活动组件被诸如多个滚珠的支承部支撑,以在支撑组件上运动。由诸如磷青铜或不锈钢的金属形成的挠曲元件具有活动板和各挠曲件。挠曲件在活动板和固定支撑组件之间延伸并用作弹簧,以使得活动组件能够相对于固定支撑组件运动。滚珠允许活动组件以很小的阻力移动。活动组件和支撑组件通过在各组件之间延伸的四条形状记忆合金(SMA)丝线 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种压电双晶片致动器,其特征在于,所述压电双晶片致动器包括:固定端,所述固定端包括介电层和导电金属基层;从所述固定端延伸的至少一个压电双晶片臂,所述至少一个压电双晶片臂由所述导电金属基层制成;至少一个自由端,所述至少一个自由端中的每个从所述至少一个压电双晶片臂延伸;以及在所述固定端与所述至少一个自由端之间延伸的一种或多种SMA材料,所述一种或多种SMA材料与所述导电金属基层隔离。2.根据权利要求1所述的压电双晶片致动器,其特征在于,所述导电金属基层被由所述介电层限定的间隙分隔成第一导电金属基部元件、第二导电金属基部元件和公共导电金属基层。3.根据权利要求2所述的压电双晶片致动器,其特征在于,所述间隙是局部或完全蚀刻的间隙,以暴露被安装到所述第一导电金属基部元件、所述第二导电金属基部元件和所述公共导电金属基层的所述介电层。4.根据权利要求2所述的压电双晶片致动器,其特征在于,所述至少一个压电双晶片臂由所述公共导电金属基层和所述介电层制成。5.根据权利要求2所述的压电双晶片致动器,其特征在于,所述第一导电金属基部元件和所述第二导电金属基部元件被电隔离。6.根据权利要求2所述的压电双晶片致动器,其特征在于,所述一种或多种SMA材料中的一种被电耦合到所述固定端的所述第一导电金属基部元件,并且被电耦合到所述至少一个自由端的导电金属基层。7.根据权利要求2所述的压电双晶片致动器,其特征在于,所述一种或多种SMA材料中的一种被电耦合到所述固定端的所述第二导电金属基部元件,并且被电耦合到所述至少一个自由端的导电金属基层。8.根据权利要求1所述的压电双晶片致动器,其特征在于,所述至少一个自由端包括由所述导电金属基层制成的舌部以及从所述舌部延伸的接触构件。9.根据权利要求1所述的压电双晶片致动器,其特征在于,所述至少一个自由端包括被连接到两个压电双晶片臂的单个未固定负载点端。10.根据权利要求9所述的压电双晶片致动器,其特征在于,所述单个未固定负载点包括负载点元件。11.根据权利要求1所述的压电双晶片致动器,其特征在于,所述一种或多种SMA材料包括SMA条带或SM...
【专利技术属性】
技术研发人员:M,
申请(专利权)人:哈钦森技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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