【技术实现步骤摘要】
激光照射装置
[0001]本申请是申请号为201780088210.2，申请日为2017年8月18日，专利技术名称为“激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法”的专利申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及一种激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法。
技术介绍
[0003]一种已知激光退火装置通过以激光束照射形成于硅片、玻璃基片等物之上的非晶膜而使该非晶膜结晶化。专利文献1公开一种激光退火装置，该装置在通过浮起单元使基片浮起的同时以传送单元传送该基片，并以激光束对该基片进行照射。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：公开号为WO2015/174347的国际专利申请
技术实现思路
[0007]专利技术解决的技术问题
[0008]根据专利文献1中公开的技术，基片在由浮起单元浮起的同时，由传送单元传送，并在此过程中接受激光的照射。在由传送单元传送基片的过程中，基片保持于传送单元上。此外，根据专利文献1中公开的技术，在基...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种激光照射装置，其特征在于，包括：一激光生成装置，用于生成待施加于处理对象的激光；一浮起单元，用于浮起所述处理对象；一保持机构，用于通过将所述处理对象吸附于一吸附表面上而保持所述处理对象；以及一移动机构，用于移动所述保持机构，其中，所述保持机构的所述吸附表面由在一平面视角下具有相同形状的多个吸附区域形成，所述多个吸附区域中的每一个包括：在所述平面视角下具有直线形状的第一凹槽以及与所述第一凹槽交叉的第二凹槽；第三凹槽，所述第三凹槽连接所述第一和第二凹槽中的每一个的一端并且在所述平面视角下具有直线形状；以及第四凹槽，所述第四凹槽连接所述第一和第二凹槽中的每一个的另一端并且在所述平面视角下具有直线形状。2.根据权利要求1所述的激光照射装置，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽中的至少一个连接有第一通孔。3.根据权利要求2所述的激光照射装置，其特征在于，第二通孔连接至所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：今村博亮，藤贵洋，山口芳広，
申请(专利权)人：株式会社日本制钢所，
类型：发明
国别省市：
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