垂直腔面发射激光器阵列结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体激光器技术领域，提供一种垂直腔面发射激光器阵列结构及其制备方法，垂直腔面发射激光器阵列结构由上至下依次包括偏振选择结构、液晶模块和垂直腔面发射激光器本体，偏振选择结构能够进行单偏振和偏振调控输出，以获得高正交偏振抑制比的偏振开关功能；液晶模块包括与垂直腔面发射激光器本体相对设置的玻璃基板，以及位于所述玻璃基板和所述垂直腔面发射激光器本体之间的衬垫，以及由所述玻璃基板、所述垂直腔面发射激光器本体和所述衬垫组成的液晶腔室，液晶填充在所述液晶腔室内；垂直腔面发射激光器本体用于发射线偏振光。本发明专利技术能够解决现有技术中激光器阵列偏振特性差、偏振调控效率低等缺陷，实现光偏振稳定且开关可调。稳定且开关可调。稳定且开关可调。

【技术实现步骤摘要】
垂直腔面发射激光器阵列结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体激光器
，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器阵列结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器阵列结构(VCSEL)作为新一代半导体激光器，在光通信系统、集成原子钟、激光倍频、气体探测等诸多领域中有着重要的应用前景。在通信领域，随着光网络处理信息量的不断增加和高密度光通信技术的不断提高，人们对VCSEL光源偏振控制、光场分布等光束性能的要求也逐渐提高。
[0003]基于激光偏振调控的偏分复用技术(Polarization Division Multiplexing)能够将光纤传输系统的频谱效率提高一倍，而且不会增加系统复杂度，因此成为提高光纤通信系统传输容量的重要技术之一。
[0004]然而VCSEL在结构上的高度对称性使所发射的线偏振光极易受注入电流以及环境温度的影响，容易导致偏振不稳定。偏振不稳定以及偏振切换特性受影响都会导致通讯误码率增加、激光泵浦效率低等。尤其在应用中，偏振切换常伴随着高达40GHz发射波长的变化。
[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，由上至下依次包括：偏振选择结构，用于进行单偏振和偏振调控输出，以获得高正交偏振抑制比的偏振开关功能；液晶模块，包括与所述垂直腔面发射激光器本体相对设置的玻璃基板，以及位于所述玻璃基板和所述垂直腔面发射激光器本体之间的衬垫，以及由所述玻璃基板、所述垂直腔面发射激光器本体和所述衬垫组成的液晶腔室，液晶填充在所述液晶腔室内；所述液晶模块还包括第一电极和第二电极，所述第一电极布置于所述玻璃基板靠近所述液晶腔室的下表面；所述第二电极布置在所述垂直腔面发射激光器本体靠近所述液晶腔室的上表面；垂直腔面发射激光器本体，用于发射线偏振光。2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，所述第一电极的表面设有第一配向膜；所述第二电极的表面设有第二配向膜；所述第一配向膜的方向与所述第二配向膜的方向之间呈90
°
。3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器本体为空气柱型、掩埋异质结型、氧化限制型、质子注入型当中的任一种。4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器本体从下到上依次包括：背面电极、衬底、下DBR、有源区、氧化限制层、上DBR、钝化层。5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器阵列结构，其特征在于，所述背面电极的材质为AuGeNi/Au；所述衬底包括但不限于GaAs/AlGaAs材料体系；所述钝化层为Si...

【专利技术属性】
技术研发人员：关宝璐，闻燕，张晓昱，王宏卓，叶文轩，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：