本发明专利技术涉及脉冲放电技术领域，尤其涉及一种用于产生强磁场的脉冲放电装置，包括充电电路和单向电路，以及依次连接的第一电容、可控硅和电感，当断开可控硅的阳极和阴极时，向第一电容充电，当导通可控硅的阳极和阴极时，第一电容向电感进行脉冲放电，电感产生强磁场以用于肌肉锻炼，且在放电时，能够通过单向电路将电感中多余的电量向第一电容充电，也就是说，在第一电容向电感进行脉冲放电时，第一电容会存储部分电量，极大提高电能的利用率，而且，当导通可控硅的阳极和阴极时，相当于将充电回路短路，能够防止电感放电电流回馈到充电电路，以避免损坏充电电路，不需要单独设置隔离装置，成本低。成本低。成本低。
【技术实现步骤摘要】
一种用于产生强磁场的脉冲放电装置
[0001]本专利技术涉及脉冲放电
，尤其涉及一种用于产生强磁场的脉冲放电装置。
技术介绍
[0002]目前，现有的用于肌肉锻炼的强磁场发生器的拓扑形式是串联LC放电装置，它包含两个部分，第一部分是充电电路，第二部分是放电电路，现有用于肌肉锻炼的强磁场发生器中的放电电路是使用可控硅做为放电开关，并且将其串联在电容和电感之间，有如下缺点：
[0003]1)需要设置一个隔离装置，避免放电电路对充电回路造成损害，成本高，且导致用于肌肉锻炼的强磁场发生器的体积较大；
[0004]2)对电能的利用率低。
技术实现思路
[0005]本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供了一种用于产生强磁场的脉冲放电装置。
[0006]本专利技术的一种用于产生强磁场的脉冲放电装置的技术方案如下：
[0007]包括充电电路、单向电路、第一电容、可控硅和电感，所述第一电容和电感串联，形成第一串联电路，所述可控硅的阳极和阴极分别连接所述第一串联电路的两端，所述充电电路连接所述第一串联电路的两端之间，以向所述第一串联电路以及所述可控硅施加电压，所述单向电路的电流流出端连接所述充电电路的电流输出端，所述单向电路的电流流入端连接在所述充电电路的电流输入端。
[0008]本专利技术的一种用于产生强磁场的脉冲放电装置的有益效果如下：
[0009]当断开可控硅的阳极和阴极时，向第一电容充电，当导通可控硅的阳极和阴极时，第一电容向电感进行脉冲放电，电感产生强磁场以用于肌肉锻炼，且在放电时，能够通过单向电路将电感中多余的电量向第一电容充电，也就是说，在第一电容向电感进行脉冲放电时，第一电容会存储部分电量，极大提高电能的利用率，而且，当导通可控硅的阳极和阴极时，相当于将充电回路短路，能够防止电感放电电流回馈到充电电路，以避免损坏充电电路，不需要单独设置隔离装置，成本低，且使本申请的一种用于产生强磁场的脉冲放电装置具有体积小的优点。
[0010]在上述方案的基础上，本专利技术的一种用于产生强磁场的脉冲放电装置还可以做如下改进。
[0011]进一步，所述单向电路包括一个二极管，所述二极管的负极为所述单向电路的电流流出端，所述二极管的正极为所述单向电路的电流流入端。
[0012]进一步，所述单向电路包括至少两个二极管，所述至少两个二极管串联，形成第二串联电路，所述第二串联电路的两端分别为所述单向电路的电流流出端和电流流入端。
[0013]进一步，还包括可控硅控制电路，所述可控硅控制电路连接在所述可控硅的控制
极和阴极之间。
[0014]采用上述进一步方案的有益效果是：通过可控硅控制电路便于断开或导通可控硅的阳极和阴极。
[0015]进一步，还包括吸收电路，所述吸收电路的两端分别连接所述充电电路的电流输出端和电流输入端，以使所述可控硅正常运行。
[0016]采用上述进一步方案的有益效果是：通过吸收电路能过保证可控硅正常运行，避免可控硅的意外导通和/或意外断开。
[0017]进一步，所述吸收电路包括依次连接的电阻和第二电容，所述第二电容的另一端连接在所述充电电路的电流输出端，所述电阻的另一端连接所述充电电路的电流输入端，或者，所述第二电容的另一端连接所述充电电路的电流输入端，所述电阻的另一端连接所述充电电路的电流输出端。
附图说明
[0018]图1为本专利技术实施例的一种用于产生强磁场的脉冲放电装置的流程示意图之一；
[0019]图2为本专利技术实施例的一种用于产生强磁场的脉冲放电装置的结构示意图之二。
具体实施方式
[0020]如图1和图2所示，本专利技术实施例的一种用于产生强磁场的脉冲放电装置，包括充电电路100、单向电路200、第一电容C1、可控硅Q1和电感L1，所述第一电容C1和电感L1串联，形成第一串联电路，所述可控硅Q1的阳极和阴极分别连接所述第一串联电路的两端，所述充电电路100连接所述第一串联电路的两端之间，以向所述第一串联电路以及所述可控硅Q1施加电压，所述单向电路200的电流流出端201连接所述充电电路100的电流输出端101，所述单向电路200的电流流入端202连接在所述充电电路100的电流输入端102。
[0021]其中，第一串联电路中的第一电容C1和电感L1的位置可互换，将第一串联电路的两端分别标记为第一连接端103和第二连接端104，那么：所述可控硅Q1的阳极和阴极分别连接所述第一串联电路的两端具体为：所述可控硅Q1的阳极连接所述第一连接端103，所述可控硅Q1的阴极连接所述第二连接端104，或者，所述可控硅Q1的阳极连接所述第二连接端104，所述可控硅Q1的阴极连接所述第一连接端103。
[0022]所述充电电路100连接所述第一串联电路的两端之间具体为：所述充电电路100的电流输出端101连接所述第一连接端103，所述充电电路100的电流输入端102连接所述第二连接端104，以向所述第一串联电路以及所述可控硅Q1施加电压，或者，所述充电电路100的电流输出端101连接所述第二连接端104，所述充电电路100的电流输入端102连接所述第一连接端103，以向所述第一串联电路以及所述可控硅Q1施加电压。
[0023]其中，单向电路200中，只能让电流流入端202指向电流流出端201的电流通过，反之则相当于短路。单向电路200的具体结构如下：
[0024]1)所述单向电路200包括一个二极管，所述单向电路200包括一个二极管，所述二极管的负极为所述单向电路200的电流流出端201，所述二极管的正极为所述单向电路200的电流流入端202，此时，该二极管的负极连接充电电路100的电流输出端101，该二极管的正极连接充电电路100的电流输出端101，
[0025]2)所述单向电路200包括至少两个二极管，所述至少两个二极管串联，形成第二串联电路，所述第二串联电路的两端分别为所述单向电路200的电流流出端201和电流流入端202，具体地：
[0026]①
当单向电路200包括两个二极管，分别标记为第一二极管D1和第二二极管D2，第一二极管D1和第二第二二极管D2串联，具体为：第二二极管D2的负极连接第一二极管D1的正极，第二串联电路的两端分别为：第一二极管D1的负极和第二二极管D2的正极，所述第二串联电路的两端分别为所述单向电路200的电流流出端201和电流流入端202，具体为：
[0027]第一二极管D1的负极为单向电路200的电流流出端201，即第一二极管D1的负极连接充电电路100的电流输出端101，第二二极管D2的正极为单向电路200的电流流入端202，即第二二极管D2的正极连接充电电路100的电流输入端102；
[0028]②
当单向电路200包括至少三个二极管，相邻的两个二极管中，前一个二极管的负极连接后一个二极管的正极，按照这样的形式进行串联，第二串联电路的两端分别为：其中一个最末端的二极管的负极和另外一个本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于产生强磁场的脉冲放电装置，其特征在于，包括充电电路、单向电路、第一电容、可控硅和电感，所述第一电容和电感串联，形成第一串联电路，所述可控硅的阳极和阴极分别连接所述第一串联电路的两端，所述充电电路连接所述第一串联电路的两端之间，以向所述第一串联电路以及所述可控硅施加电压，所述单向电路的电流流出端连接所述充电电路的电流输出端，所述单向电路的电流流入端连接在所述充电电路的电流输入端。2.根据权利要求1所述的一种用于产生强磁场的脉冲放电装置，其特征在于，所述单向电路包括一个二极管，所述二极管的负极为所述单向电路的电流流出端，所述二极管的正极为所述单向电路的电流流入端。3.根据权利要求1所述的一种用于产生强磁场的脉冲放电装置，其特征在于，所述单向电路包括至少两个二极管，所述至少两个二极管串联，形成第二串联电路，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁长宏，徐红茹，
申请(专利权)人：北京飞秒科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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