一种晶闸管串联逆变电流过零点检测电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种晶闸管串联逆变电流过零点检测电路，包括晶闸管SCR，晶闸管SCR的接地端与GND相连，晶闸管SCR的输出端连接保护电路后分别接入电压比较电路I的正向输入端和电压比较电路II的异向输入端；电压比较电路I的输出端串联单向导通电路I后与电压比较电路II的输出端串联单向导通电路II后的电路进行并联，之后与三极管电平翻转电路I相连，三极管电平翻转电路I与光耦合器I相连；电压比较电路II的输出端连接三极管电平翻转电路II后与光耦合器II相连，本实用新型专利技术能够通过数字电路有效的检测晶闸管两端电压的变化，并进行过零比较，检测得到晶闸管的过零点，极大地提高了检测的准确度。测的准确度。测的准确度。

【技术实现步骤摘要】
一种晶闸管串联逆变电流过零点检测电路


[0001]本技术涉及电器件过零检测电路领域，尤其涉及一种晶闸管串联逆变电流过零点检测电路。

技术介绍

[0002]串联逆变电路是具有串联谐振式负载的逆变电路，过零检测指的是在交流系统中，当波形从正半周向负半周转换时，经过零位时，系统作出的检测，驱动大功率交流器件一般需要使用晶闸管进行功率控制，控制过程需要对零点进行检测，因为晶闸管的特性就是导路交流的零点会自动关闭输出，检测零点的目的就是在晶闸管零点关闭输出后，可以根据功率的需求选择时间重新触发晶闸管，现有的检测方式主要采用电流互感器做检测，缺点是过零点受到电流互感器本身耦合的影响，过零点反映速度慢，准确度不够准确。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题是：提供一种晶闸管串联逆变电流过零点检测电路，能够通过数字电路有效的检测晶闸管两端电压的变化，并进行过零比较，检测得到晶闸管的过零点，极大地提高了检测的准确度。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种晶闸管串联逆变电流过零点检测电路，包括晶闸管SCR，晶闸管SCR的接地端与GND相连，还包括保护电路、电压比较电路I、电压比较电路II、单向导通电路I、单向导通电路II、三极管电平翻转电路I、三极管电平翻转电路II光耦合器I和光耦合器II；晶闸管SCR的输出端连接保护电路后分别接入电压比较电路I的正向输入端和电压比较电路II的异向输入端；电压比较电路I的输出端串联单向导通电路I后与电压比较电路II的输出端串联单向导通电路II后的电路进行并联，之后与三极管电平翻转电路I相连，三极管电平翻转电路I与光耦合器I相连；电压比较电路II的输出端连接三极管电平翻转电路II后与光耦合器II相连。
[0005]优选的，所述保护电路包括两个反向串联的二极管D1、二极管D2，晶闸管SCR输出端依次串联电阻R1、电阻R2、二极管D1、二极管D2后接GND，两个反向串联的二极管D1、二极管D2两端并联有电阻R3。
[0006]优选的，电压比较电路I包括电压比较器IC1A，电压比较器IC1A的异向输入端分别串联电阻R4和电阻R5后连接VCC2和GND。
[0007]优选的，电压比较电路II包括电压比较器IC1B，电压比较器IC1B的同向输入端分别串联电阻后连接VEE2和GND。
[0008]优选的，所述三极管电平翻转电路I包括三极管Q1、三极管Q2，电压比较电路I的输出端串联单向导通电路I后与电压比较电路II的输出端串联单向导通电路II后的电路进行并联，之后串联电阻R11后接入三极管Q1的基极，三极管Q1的基极串联电阻R12后与GND相连，三极管Q1的发射极与GND相连，三极管Q1的集电极接入三极管Q2的基极，三极管Q1的集电极串联电阻R13后接VCC2，三极管Q2的发射极与GND相连，三极管Q2的集电极与光耦合器I
相连。
[0009]优选的，三极管电平翻转电路II包括三极管Q3,电压比较电路II的输出端串联电阻R10后连接三极管Q3的基极，三极管Q3的发射极与GND相连，三极管Q3的集电极串联电阻R15后与光耦合器II相连。
[0010]根据上述技术方案，本技术的有益效果是：
[0011]本电路能够通过数字电路有效的检测晶闸管两端电压的变化，并进行过零比较，检测得到晶闸管的过零点，便于在晶闸管零点关闭输出后，根据功率的需求选择时间重新触发晶闸管，极大地提升了检测的准确度，本电路增设两个反向串联的二极管，对电路进行过压保护、静电保护，提升电路整体稳定性，晶闸管所在的电路是交流强电回路，电压较高，电流较大，不易与微机直接相连，本电路通过光耦合器将微机控制信号与可控硅触发电路进行隔离，对输入、输出电信号进行良好的隔离。
附图说明
[0012]图1为本技术的电路连接图。
具体实施方式
[0013]下面结合附图及具体实施例对本技术作进一步的详细说明。
[0014]如图1所示，一种晶闸管串联逆变电流过零点检测电路，包括晶闸管SCR，晶闸管SCR的接地端与GND相连，晶闸管SCR输出端依次串联电阻R1、电阻R2和两个反向串联的二极管D1、二极管D2后接GND，两个反向串联的二极管D1、二极管D2两端并联有电阻R3，晶闸管SCR输出端依次串联电阻R1、电阻R2后分别接入电压比较器IC1A的同向输入端和电压比较器IC1B的异向输入端,电压比较器IC1A的异向输入端分别串联电阻后连接VCC2和GND,电压比较器IC1B的同向输入端分别串联电阻后连接VEE2和GND,电压比较器IC1A的输出端串联二极管D3后与电压比较器IC1B的输出端串联二极管D4后的电路进行并联，之后串联电阻R11后接入三极管Q1的基极，二极管D3的正极串联电阻R6后接VCC2，二极管D4的正极串联电阻R9后接VCC2，三极管Q1的基极串联电阻R12后与GND相连，三极管Q1的发射极与GND相连，三极管Q1的集电极接入三极管Q2的基极，三极管Q1的集电极串联电阻R13后接VCC2，三极管Q2的发射极与GND相连，三极管Q2的集电极与光耦合器I相连，电压比较器IC1B的输出端串联电阻R10后连接三极管Q3的基极，三极管Q3的发射极与GND相连，三极管Q3的集电极串联电阻R15后与光耦合器II相连。
[0015]在具体工作中，二极管D1和二极管D2的型号选用1N4733,二极管D3和二极管D4的型号选用1N4148，三极管Q1、三极管Q2和三极管Q3的型号选用MPS8050，电阻R4、电阻R7和电阻R13的阻值选用10K，电阻R5和电阻R8的阻值选用220，电阻R11和电阻R15的阻值选用1K，电阻R12的阻值选用100K,光耦合器I和光耦合器II的型号选用A3150。
[0016]本电路对晶闸管SCR两端电压进行检测，当晶闸管SCR两端电压为正的时候(此时是晶闸管SCR导通或者截止的状态)，电压经两个反向串联的二极管D1、二极管D2进行过压保护、静电保护后送入电压比较器IC1A和电压比较器IC1B，电压比较器IC1A的比较电压为+0.35v，电压比较器IC1B的比较电压为
‑
0.35v，此时晶闸管SCR两端电压高于0.35V，电压比较器IC1A输出高电平，然后经二极管D3进行稳压整流后送入三极管Q1翻转为低电平，再经
三极管Q2翻转为高电平，流入光耦合器I后不导通，当晶闸管SCR两端电压为负值的时候(此时是晶闸管换流结束后，关断的时刻)，当晶闸管SCR两端电压低于
‑
0.35V，电压比较器IC1B输出高电平，一路送入三极管电平翻转电路I进行直通保护，另一路经三极管Q3进行电平翻转后输出低电平，流入光耦合器II后导通，输出高电平，检测了到了上升沿，就是过零点。
[0017]需要说明的是，上述实施例仅用来说明本技术，但本技术并不局限于上述实施例，凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均落入本实用新本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶闸管串联逆变电流过零点检测电路，包括晶闸管SCR，晶闸管SCR的接地端与GND相连，其特征在于：还包括保护电路、电压比较电路I、电压比较电路II、单向导通电路I、单向导通电路II、三极管电平翻转电路I、三极管电平翻转电路II光耦合器I和光耦合器II；晶闸管SCR的输出端连接保护电路后分别接入电压比较电路I的正向输入端和电压比较电路II的异向输入端；电压比较电路I的输出端串联单向导通电路I后与电压比较电路II的输出端串联单向导通电路II后的电路进行并联，之后与三极管电平翻转电路I相连，三极管电平翻转电路I与光耦合器I相连；电压比较电路II的输出端连接三极管电平翻转电路II后与光耦合器II相连。2.根据权利要求1所述的一种晶闸管串联逆变电流过零点检测电路，其特征在于：所述保护电路包括两个反向串联的二极管D1、二极管D2，晶闸管SCR输出端依次串联电阻R1、电阻R2、二极管D1、二极管D2后接GND，两个反向串联的二极管D1、二极管D2两端并联有电阻R3。3.根据权利要求1所述的一种晶闸管串联逆变电流过零点检测电路，其特征在于：电压比较电路I包括电压比较器IC1A，电压比较器IC1A的异向输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭光辉，
申请(专利权)人：洛阳冉益电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：