一种电子电镀综合园区废水深度处理系统技术方案

一种电子电镀综合园区废水深度处理系统，包括依次连接的缓冲排放池、第一pH调节池、反应池、第一混凝池、第一絮凝池、第一沉淀池、pH回调池、厌氧池、缺氧池、好氧池、MBR池、MBR产水池、BAF滤池、反硝化滤池、酸化池、氧化池、第二pH调节池、第二混凝池、第二絮凝池、第二沉淀池、MCR膜池、MCR产水池、镍离子交换塔、氟离子交换塔。本实用新型专利技术解决了传统的污水深度处理工艺处理电子电镀综合废水的运行效果稳定性差，难以保障出水水质等问题。难以保障出水水质等问题。难以保障出水水质等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种电子电镀综合园区废水深度处理系统


[0001]本技术涉及污水净化领域，尤其涉及一种电子电镀综合园区废水深度处理系统。

技术介绍

[0002]电子电镀综合园区受入园企业的影响，排放的废水不仅有电镀废水，还有线路板废水，废水种类多，污染浓度高，排放要求严。对于环境敏感地区，排放要求执行《地表水环境质量标准》(GB3838
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2002)IV类标准和《电镀水污染物排放标准》(DB44/1597
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2015)表3水污染物特别排放限值中较严者。
[0003]目前常用的处理工艺是将园区废水进行分类，各分类废水经预处理系统处理后，再进行综合处理。综合处理方法有化学沉淀法、生化处理法等，化学沉淀法，是以药剂使废水中重金属离子形成沉淀后，再以通过沉淀分离方式去除。生化处理法是利用水中的微生物细菌分解水中的有机物。但是电子电镀园区排放废水中，废水成份复杂且受产品种类影响，含有非常难氧化的络合剂及其它添加成份。因而在对出水要求较高的情况下，传统的化学沉淀及生化处理法无法有效的保障出水水质，导致出水浓度超标。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种电子电镀综合园区废水深度处理系统，解决传统的污水深度处理工艺处理电子电镀综合废水的运行效果稳定性差，难以保障出水水质等问题。
[0005]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0006]一种电子电镀综合园区废水深度处理系统，包括依次连接的缓冲排放池、第一pH调节池、反应池、第一混凝池、第一絮凝池、第一沉淀池、pH回调池、厌氧池、缺氧池、好氧池、MBR池、MBR产水池、BAF滤池、反硝化滤池、酸化池、氧化池、第二pH调节池、第二混凝池、第二絮凝池、第二沉淀池、MCR膜池、MCR产水池、镍离子交换塔、氟离子交换塔；所述缓冲排放池的进口连接至预处理系统，所述缓冲排放池的出口连接至第一pH调节池的进口，所述第一pH调节池的出口连接至第一混凝池的进口，所述第一混凝池的出口连接至第一絮凝池的进口，所述第一絮凝池的出口连接至第一沉淀池的进口，所述第一沉淀池的出水口连接至pH回调池的进口，所述pH回调池的出口连接至厌氧池的进口，所述厌氧池的出口连接至缺氧池的进口，所述缺氧池的出口连接至好氧池的进口，所述好氧池的出口连接至MBR池的进口，所述MBR池的出水口连接至MBR产水池的进口，所述MBR产水池的出口连接至BAF滤池的进口，所述BAF滤池的出口连接至反硝化滤池的进口，所述反硝化滤池的出口连接至酸化池的进口，所述酸化池的出口连接至氧化池的进口，所述氧化池的出口连接至第二pH调节池的进口，所述第二pH调节池的出口连接至第二混凝池的进口，所述第二混凝池的出口连接至第二絮凝池的进口，所述第二絮凝池的出口连接至第二沉淀池的进口，所述第二沉淀池的出水口连接至MCR膜池的进口，所述MCR膜池的出水口连接至MCR产水池的进口，所述MCR
产水池的出口连接至镍离子交换塔的进口，所述镍离子交换塔的出口连接至氟离子交换塔的进口。
[0007]进一步地，所述的第一沉淀池和pH回调池之间设置有第一中间水池，所述的第一中间水池的进口连接至第一沉淀池的出口，所述第一中间水池的出口连接至pH回调池的进口。
[0008]进一步地，所述的镍离子交换塔和氟离子交换塔之间设置有第二中间水池，所述第二中间水池的进口连接至镍离子交换塔的出口，所述第二中间水池的出口连接至氟离子交换塔的进口。
[0009]进一步地，所述第一沉淀池、MBR池、BAF滤池、第二沉淀池、MCR膜池的排泥口均连接至综合污泥池。
[0010]进一步地，在缓冲排放池、第一pH调节池、反应池、第一混凝池、第一絮凝池、第一中间水池、pH回调池、厌氧池、缺氧池、好氧池、酸化池、氧化池、第二pH调节池、第二混凝池、第二絮凝池、第二中间水池中均设置有搅拌设备。
[0011]进一步地，所述的第一pH调节池、pH回调池、酸化池、第二pH调节池中均设置有pH在线调节装置。
[0012]进一步地，在氟离子交换塔的出水口连接有排放水池。
[0013]本技术提供的系统，通过采用混凝沉淀、生化反应、MBR、BAF、芬顿氧化、MCR、镍吸附和氟吸附等工艺，能很好地将电子电镀综合园区的废水进行深度处理，保证了出水达标。本技术系统具有应用普遍、运行稳定有效、操作管理方便等优点，能保证各类排放指标要求较高的条件下保证出水稳定达标。
[0014]以下将结合附图和实施例，对本技术进行较为详细的说明。
附图说明
[0015]图1为本技术一种电子电镀综合园区废水深度处理系统流程图。
具体实施方式
[0016]如图1所示的一种电子电镀综合园区废水深度处理系统，包括依次连接的缓冲排放池、第一pH调节池、反应池、第一混凝池、第一絮凝池、第一沉淀池、pH回调池、厌氧池、缺氧池、好氧池、MBR池、MBR产水池、BAF滤池、反硝化滤池、酸化池、氧化池、第二pH调节池、第二混凝池、第二絮凝池、第二沉淀池、MCR膜池、MCR产水池、镍离子交换塔、氟离子交换塔；所述缓冲排放池的进口连接至预处理系统，所述缓冲排放池的出口连接至第一pH调节池的进口，所述第一pH调节池的出口连接至第一混凝池的进口，所述第一混凝池的出口连接至第一絮凝池的进口，所述第一絮凝池的出口连接至第一沉淀池的进口，所述第一沉淀池的出水口连接至pH回调池的进口，所述pH回调池的出口连接至厌氧池的进口，所述厌氧池的出口连接至缺氧池的进口，所述缺氧池的出口连接至好氧池的进口，所述好氧池的出口连接至MBR池的进口，所述MBR池的出水口连接至MBR产水池的进口，所述MBR产水池的出口连接至BAF滤池的进口，所述BAF滤池的出口连接至反硝化滤池的进口，所述反硝化滤池的出口连接至酸化池的进口，所述酸化池的出口连接至氧化池的进口，所述氧化池的出口连接至第二pH调节池的进口，所述第二pH调节池的出口连接至第二混凝池的进口，所述第二混凝
池的出口连接至第二絮凝池的进口，所述第二絮凝池的出口连接至第二沉淀池的进口，所述第二沉淀池的出水口连接至MCR膜池的进口，所述MCR膜池的出水口连接至MCR产水池的进口，所述MCR产水池的出口连接至镍离子交换塔的进口，所述镍离子交换塔的出口连接至氟离子交换塔的进口。
[0017]进一步地，为了便于收集第一沉淀池的出水，控制污水流量，所述的第一沉淀池和pH回调池之间设置有第一中间水池，所述的第一中间水池的进口连接至第一沉淀池的出口，所述第一中间水池的出口连接至pH回调池的进口。
[0018]进一步地，为了便于收集镍离子交换塔的出水，控制污水流量，所述的镍离子交换塔和氟离子交换塔之间设置有第二中间水池，所述第二中间水池的进口连接至镍离子交换塔的出口，所述第二中间水池的出口连接至氟离子交换塔的进口。
[0019]进一步地，为了便于污泥的排放，所述第一沉淀池、MBR池、BAF滤池、第二沉淀池、MCR膜池的排泥口均连接至综合污泥池。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子电镀综合园区废水深度处理系统，其特征是，包括依次连接的缓冲排放池、第一pH调节池、反应池、第一混凝池、第一絮凝池、第一沉淀池、pH回调池、厌氧池、缺氧池、好氧池、MBR池、MBR产水池、BAF滤池、反硝化滤池、酸化池、氧化池、第二pH调节池、第二混凝池、第二絮凝池、第二沉淀池、MCR膜池、MCR产水池、镍离子交换塔、氟离子交换塔；所述缓冲排放池的进口连接至预处理系统，所述缓冲排放池的出口连接至第一pH调节池的进口，所述第一pH调节池的出口连接至第一混凝池的进口，所述第一混凝池的出口连接至第一絮凝池的进口，所述第一絮凝池的出口连接至第一沉淀池的进口，所述第一沉淀池的出水口连接至pH回调池的进口，所述pH回调池的出口连接至厌氧池的进口，所述厌氧池的出口连接至缺氧池的进口，所述缺氧池的出口连接至好氧池的进口，所述好氧池的出口连接至MBR池的进口，所述MBR池的出水口连接至MBR产水池的进口，所述MBR产水池的出口连接至BAF滤池的进口，所述BAF滤池的出口连接至反硝化滤池的进口，所述反硝化滤池的出口连接至酸化池的进口，所述酸化池的出口连接至氧化池的进口，所述氧化池的出口连接至第二pH调节池的进口，所述第二pH调节池的出口连接至第二混凝池的进口，所述第二混凝池的出口连接至第二絮凝池的进口，所述第二絮凝池的出口连接至第二沉淀池的进口，所述第二沉淀池的出水口连接至MCR膜池的进口，所述MCR膜池的出水口连接至MCR产...

【专利技术属性】
技术研发人员：林国宁，赖日坤，张建华，
申请(专利权)人：广东水清环保科技有限公司，
类型：新型
国别省市：