一种晶体生长槽及槽底杂晶去除方法技术

本申请提供了一种晶体生长槽及槽底杂晶去除方法，属于晶体生长领域。晶体生长槽包括杂晶溶解罩、移动式连接管、加热器、槽体、连续过滤装置、搅拌电机、载晶架；连续过滤装置设于槽体外部；载晶架设于槽体内部；杂晶溶解罩位于载晶架与槽体的底部之间；杂晶溶解罩的罩体开口朝向槽体的底部；杂晶溶解罩设有溶液进口和溶液出口；移动式连接管的一端与溶液进口连通，另一端与连续过滤装置连通；移动式连接管靠近连续过滤装置的一端设有加热器；晶体生长溶液通过连续过滤系统进入杂晶溶解罩，移动式连接管可移动杂晶溶解罩，以达到定向溶解杂晶的目的，从而解决晶体生长过程中的杂晶问题，提高晶体生长成功率。提高晶体生长成功率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长槽及槽底杂晶去除方法


[0001]本专利技术涉及的是一种晶体生长槽及槽底杂晶去除方法，属于晶体生长


技术介绍

[0002]磷酸二氢钾晶体(KDP)和磷酸二氘钾晶体(DKDP)是惯性约束核聚变装置中使用的重要光学元件，具有能同时满足较宽的透过波段、较大的电光系数和非线性光学系数、高的损伤阈值、较大口径、适当的双折射率和低的折射率不均匀性等优点。
[0003]现阶段KDP/DKDP晶体生长主要采用快速生长以及传统慢速生长的方法，在晶体快速生长的过程中，由于过饱和度大、溶液中细微的杂质问题包括空气中的灰尘等，容易导致晶体生长溶液的自发成核，从而产生杂晶，由于杂晶的生长速度过快，导致晶体生长过程的停止。

技术实现思路

[0004]本申请所提供的晶体生长槽通过加热器加热晶体生长溶液，随后溶液进入杂晶溶解罩中，移动式连接管可移动杂晶溶解罩，以达到定向溶解杂晶的目的，从而解决晶体生长过程中的杂晶问题，提高晶体生长成功率。
[0005]根据本申请的一个方面，提供了一种晶体生长槽，包括杂晶溶解罩、移动式连接管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长槽，其特征在于，所述晶体生长槽包括杂晶溶解罩(3)、移动式连接管(4)、加热器(5)、槽体(6)、连续过滤装置(8)、搅拌电机(9)、载晶架(10)；所述连续过滤装置(8)设于槽体(6)外部，用于晶体生长溶液的循环过滤；所述载晶架(10)设于槽体(6)内部，用于提供晶体生长的平台；所述杂晶溶解罩(3)位于所述载晶架(10)与槽体(6)的底部之间；所述杂晶溶解罩(3)的罩体开口朝向槽体(6)的底部；所述杂晶溶解罩(3)设有溶液进口(12)和溶液出口(2)；所述移动式连接管(4)的一端与溶液进口(12)连通，另一端与连续过滤装置(8)连通；所述移动式连接管(4)靠近连续过滤装置(8)的一端设有加热器(5)。2.根据权利要求1所述的晶体生长槽，其特征在于，所述溶液出口(2)高于溶液进口(12)。3.根据权利要求2所述的晶体生长槽，其特征在于，所述杂晶溶解罩(3)的罩体开口周边设有可与槽体(6)底部密封连接的密封件；优选的，所述密封件选自硅胶吸盘、橡胶圈中的一种。4.根据权利要求1所述的晶体生长槽，其特征在于，所述槽体(6)的侧壁底部设有观察口。5.根据权利要求1所述的晶体生长槽，其特征在于，所述移动式连接管(4)与槽体(6)侧壁的接口处设有不锈钢波纹管，所述不锈钢波纹管位于槽体(6)外侧，接口处采用硅胶垫...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑国宗，胡子钰，林秀钦，李静雯，李鹏飞，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：