微波加热制备复合薄膜的方法、复合薄膜及电子元器件技术

本申请公开微波加热制备复合薄膜的方法、复合薄膜及电子元器件，包括：对单晶晶圆执行离子注入处理，采用的注入离子为极性离子，获得包含余质层、极性注入层和薄膜层三层结构的单晶晶圆注入片；在与所述单晶晶圆预匹配的非同质衬底晶圆的其中一面制作绝缘层得到衬底晶圆；将所述单晶晶圆注入片与所述衬底晶圆的绝缘层键合，得到键合界面含有极性分子的键合体；对所述键合体使用微波发生器执行预设工艺参数的加热处理，直至所述极性注入层与所述薄膜层分离，得到剥离所述余质层后的单晶压电复合薄膜；所述预设工艺参数包括：加热所述键合体至预设温度，并保持预设时长。采用上述制备方法，避免复合薄膜某一层或整体断裂，降低复合薄膜的生产成本。合薄膜的生产成本。合薄膜的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
微波加热制备复合薄膜的方法、复合薄膜及电子元器件


[0001]本专利涉及离子注入
，特别涉及微波加热制备复合薄膜的方法、复合薄膜及电子元器件。

技术介绍

[0002]铌酸锂或钽酸锂等单晶晶圆由于具有居里温度高、自发极化强、机电耦合系数高、优异的电光效应等优点，而被广泛的应用于非线性光学、铁电、压电、电光等领域。目前，用于制备铌酸锂或钽酸锂薄膜的方法主要包括外延生长法、离子注入和键合分离法、研磨抛光法。
[0003]其中，离子注入和键合分离法制备薄膜的方法主要包括如下步骤：首先，向铌酸锂或钽酸锂等单晶晶圆内注入离子，将单晶晶圆分为薄膜层、分离层和余质层，然后，将单晶晶圆的离子注入面和衬底层键合，形成键合体，最后，对键合体热处理，使余质层与薄膜层分离，将薄膜层保留在衬底层上，从而制备出性能接近单晶晶圆的薄膜层。
[0004]但是，如果单晶晶圆与衬底层采用不同的两种材质，则对非同质的单晶晶圆与衬底层的键合体热处理时，由于单晶晶圆和衬底层在退火分离时热膨胀系数不一样，键合在衬底层上的单晶晶圆会发生翘曲，当达到分离的临界条件发生分离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.微波加热制备复合薄膜的方法，其特征在于，包括：对单晶晶圆执行离子注入处理，采用的注入离子为极性离子，获得包含余质层、极性注入层和薄膜层三层结构的单晶晶圆注入片；将所述单晶晶圆注入片与所述单晶晶圆预匹配的衬底晶圆键合，得到键合界面含有极性分子的键合体；对所述键合体使用微波发生器执行预设工艺参数的加热处理，直至所述极性注入层与所述薄膜层分离，得到剥离所述余质层后的单晶压电复合薄膜；所述预设工艺参数包括：加热所述键合体至预设温度，并保持预设时长。2.根据权利要求1所述的微波加热制备复合薄膜的方法，其特征在于，所述微波发生器产生的微波的频率为300MHz
‑
30000MHz。3.根据权利要求2所述的微波加热制备复合薄膜的方法，其特征在于，所述预设温度在100℃
‑
600℃。4.根据权利要求3所述的微波加热制备复合薄膜的方法，其特征在于，所述预设时长为1分钟至48小时。5.根据权利要求1所述的微波加热制备复合薄膜的方法，其特征在于，所述极性离子选择为CO
+
或H2O
+
。6.根据权利要求5所述的微波加热制备复合薄膜的方法，其特征在于，所述极性离子参数为：注入量为1
×
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【专利技术属性】
技术研发人员：韩智勇，胡文，李真宇，张秀全，薛海蛟，刘亚明，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：