P型SnS纳米颗粒、P型SnS薄膜及其制备与应用制造技术

本发明专利技术涉及P型半导体纳米材料制备技术领域，尤其是涉及P型SnS纳米颗粒、P型SnS薄膜及其制备与应用。本发明专利技术采用价格低廉的氯化亚锡作为锡源，以硫化铵水溶液作为硫源，在N2气氛下，绿色环保的形成前体溶液(第一混合溶液)，此过程并无有害气体产生，再通过160

【技术实现步骤摘要】
P型SnS纳米颗粒、P型SnS薄膜及其制备与应用


[0001]本专利技术涉及P型半导体纳米材料制备
，尤其是涉及P型SnS纳米颗粒、P型SnS薄膜及其制备与应用。

技术介绍

[0002]SnS由地球中储量丰富且无毒的锡和硫元素组成，出现在罕见的硫锡矿中,是一种环境友好的P型窄带隙半导体材料，禁带宽度为1.2
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1.5eV，具有良好的载流子迁移率、光学透明和机械等性能，与太阳辐射中的可见光体验很好的光谱匹配，非常适合用作太阳能电池中的光吸收层，是一种非常有潜力的太阳能电池材料。然而，目前存在的问题是：(1)通过简单方法较难获得小尺寸、比表面积大的SnS材料；(2)分散性差，无法充分凸显纳米材料的优势，限制了材料的应用范围。因此，采用低温方法制备超细SnS纳米颗粒具有重要意义。
[0003]硫化亚锡是一种灰黑色立方或单斜系晶体。常规制备SnS晶体的方法是通过将锡单质和硫单质直接化合得到。但这种制备方法得到的普遍是几十微米的大颗粒；也有将硫化氢气体通锡(如硫化亚锡)溶液中，得到水合物。在2013年，Shen(沈海滨.聚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种P型SnS纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在氮气保护下，将硫源加入到氯化亚锡水溶液中，与醛类还原剂混匀，得到第一混合溶液；(2)将步骤(1)得到的第一混合溶液转移至反应釜进行水热反应，反应后得到湿沉淀；(3)将步骤(2)得到的湿沉淀通过去离子水和乙醇洗涤后离心，得到SnS纳米颗粒。2.根据权利要求1所述的一种P型SnS纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氯化亚锡为无水氯化亚锡或二水氯化亚锡；所述醛类还原剂为甲醛、乙醛或丙醛；所述硫源选自CH4N2S、(NH4)2S或CH3CSNH2中的任意一种。3.根据权利要求1所述的一种P型SnS纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，氯化亚锡的浓度为0.05
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0.2mol/L；优选地，氯化亚锡的浓度为0.05mol/L；氯化亚锡与硫源的摩尔比为0.5
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2：1；优选地，氯化亚锡与硫源的摩尔比为1：1；氯化亚锡水溶液与醛类还原剂的体积比为25
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100：1；优选地，氯化亚锡溶液与醛类还原剂的体积比为50：1。4.根据权利要求1所述的一种P型SnS纳米颗粒的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐雨田，芮一川，朱博雅，丁改琴，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：发明
国别省市：