一种基于MOS压降的新型电流采样方法技术

一种基于MOS压降的新型电流采样方法，包括以下步骤：利用热仿真推算不同使用条件下，温度采样点和MOS管结温之间的关系表，运行中根据实测或工作实际的损耗、电流、温度条件获取MOS管结温，基于MOS管结温获取导通电阻Rdson，采样获取对应的桥臂电压并与导通电阻计算获得电流。基于对MOS管结温与采样设备采集的MOS管工作环境温度的不同以及不同损耗、电流对MOS管结温带来的不同影响的考虑相较于直接使用温度采样器的温度采样结果来作为MOS管内阻计算基础来说更加符合电流的真实值，消除了大量的误差，对后续的计算处理控制工作提供了很好的基础数值保障。供了很好的基础数值保障。供了很好的基础数值保障。

【技术实现步骤摘要】
一种基于MOS压降的新型电流采样方法


[0001]本专利技术涉及数据采样领域，尤其涉及一种基于MOS压降的新型电流采样方法。

技术介绍

[0002]在电机驱动器电流采样方案中，为考虑成本，一般会采用桥臂中串联电阻或者基于MOS管压降电流计算方式，但是当电流过大时，电阻上发热情况越发严重，影响整机的效率，MOS管压降的方式如果不进行补偿，采样精度往往很难得到保证。第二种方案精度差的原因是，在使用中，由于MOSFET自身温度特性导致内阻变化，从而导致压降的变化，使得采样电流与实际电流出现较大的偏差，无法通过采样电流值实现正常的控制。
[0003]中国专利CN 108768139A公开了一种压降型功率级电路中电流检测误差补偿方法及电路，采样抵消电压，并作为反馈信号反馈到电流采样模块；所述抵消电压作为输入信号补偿抵消功率MOS器件上的寄生电感带来的干扰信号。将抵消电压作为反馈信号反馈到电流采样模块，作为输入信号补偿，能够用于抵消由于功率级电路寄生电感所带来的干扰，从而得到更准确的电流过O检测信号和电流过大信号。
[0004]中国专利CN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于MOS压降的新型电流采样方法，其特征在于，包括以下步骤：利用热仿真推算不同使用条件下，温度采样点和MOS管结温之间的关系表，运行中根据实测或工作实际的损耗、电流、温度条件获取MOS管结温，基于MOS管结温获取导通电阻Rds.on，采样获取对应的桥臂电压并与所述导通电阻计算获得电流。2.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述使用条件至少包括损耗、电流、温度条件，其中所述结温至少不同于温度检测器检测的温度数值。3.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述“运行中根据实测或工作实际的损耗、电流、温度条件获取MOS管结温”是基于查找表的方式实施的。4.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在桥臂下管驱动时，通过对所述桥臂下管进行采样获取对应的所述桥臂电压。5.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述实...

【专利技术属性】
技术研发人员：王川，李飞，姚欣，
申请(专利权)人：河南嘉晨智能控制股份有限公司，
类型：发明
国别省市：