裂缝停止结构制造技术

本申请公开了一种裂缝停止结构，包括：第一裂缝停止线，包括相对设置的第一阻塞线组和第二阻塞线组；其中，第一阻塞线组和第二阻塞线组均包括多个阻塞线；每个阻塞线在竖直方向上包括至少一个互连线；在同一水平面的所述第一阻塞线组的互连线与所述第二阻塞线组的互连线交错设置，以在第一阻塞线组的互连线与第二阻塞线组的互连线之间形成从第一裂缝停止线的一侧延伸到另一侧的弯曲通道。本申请的裂缝停止结构，包括两条裂缝停止线，从而对裂缝形成双重阻止；第一裂缝停止线包括相对设置的第一阻塞线组和第二阻塞线组，第一阻塞线组的阻塞线与第二阻塞线组的阻塞线交错设置，能够有效阻止裂缝延伸前进，减少削片破裂等情况的发生。发生。发生。

【技术实现步骤摘要】
裂缝停止结构


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种裂缝停止结构。

技术介绍

[0002]随着半导体器件设计的复杂化和精细化，设计中互连线的使用持续增加另外，为了减少BEOL产生的电容，使用low-k时，IMD的机械特性被弱化，在分离芯片的切割(sawing)阶段经常发生削片破裂等情况，造成产品损伤。互连线的尺寸被设计的越来越小，为了实现芯片的各种进阶功能，互连线密度也被设置的越来越大。为改善由于金属导线间距变窄所导致的RC延迟，现在越来越多地使用物理强度低、介电系数小的Low-k物质。在从晶圆中切割分离出各个芯片时，由于变弱的膜质产生的破裂和破损等情况导致的芯片损伤的情况越来越多。

技术实现思路

[0003]本申请的目的是提供一种裂缝停止结构。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。
[0004]根据本申请实施例的一个方面，提供一种裂缝停止结构，包括：
[0005]第一裂缝停止线，包括相对设置的相对设置的第一阻塞线组和第二阻塞线组；
[0006]其中，所述第一阻塞线组和所述第二阻塞线组均包括多个阻塞线；每个所述阻塞线在竖直方向上包括至少一个互连线；在同一水平面的所述第一阻塞线组的互连线与所述第二阻塞线组的互连线交错设置，以在所述第一阻塞线组的互连线与所述第二阻塞线组的互连线之间形成从所述第一裂缝停止线的一侧延伸到另一侧的弯曲通道。
[0007]本申请实施例的其中一个方面提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0008]本申请实施例提供的裂缝停止结构，第一裂缝停止线包括相对设置的第一阻塞线组和第二阻塞线组，第一阻塞线组的阻塞线与第二阻塞线组的阻塞线交错设置，能够有效阻止裂缝延伸前进，减少削片破裂等情况的发生。
[0009]本申请的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者，部分特征和优点可以从说明书中推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，
还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1示出了本申请实施例1的裂缝停止结构的结构示意图；
[0012]图2示出了对应于图1的另一视角的结构示意图；
[0013]图3示出了实施例1中的互连线的立体形状；
[0014]图4示出了本申请实施例2的裂缝停止结构的结构示意图；
[0015]图5示出了对应于图4的另一视角的结构示意图；
[0016]图6示出了去掉图5中的两个第三互连线之后的结构示意图；
[0017]图7示出了本申请实施例3的裂缝停止结构的结构示意图；
[0018]图8示出了对应于图7的另一视角的结构示意图；
[0019]图9示出了本申请实施例4的裂缝停止结构的结构示意图；
[0020]图10示出了对应于图9的另一视角的结构示意图；
[0021]图11示出了本申请实施例5的裂缝停止结构的结构示意图；
[0022]图12示出了本申请实施例的裂缝停止结构阻止裂缝延伸的原理示意图。
具体实施方式
[0023]以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
[0024]在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
[0025]在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
[0026]实施例1
[0027]如图1和图2所示，本实施例提供了一种裂缝停止结构，包括第一裂缝停止线1、第二裂缝停止线2和顶层互连线6。
[0028]第一裂缝停止线1与第二裂缝停止线2的顶部均连接到同一顶层互连线6底面上。
[0029]第一裂缝停止线1位于切割线通道(Scribe lane)区域一侧。第二裂缝停止线2位于第一裂缝停止线1的远离切割线通道区域的一侧。
[0030]第一裂缝停止线1包括相对设置的两个阻塞线组，分别为第一阻塞线组和第二阻塞线组。每个阻塞线组均包括若干形状、结构完全相同的阻塞线。
[0031]第一阻塞线组包括若干第一阻塞线1A，第二阻塞线组包括若干第二阻塞线1B。第一阻塞线组的第一阻塞线1A和第二阻塞线组的第二阻塞线1B交错设置。第一阻塞线1A与第二阻塞线1B的结构和形状完全相同。
[0032]每一阻塞线包括交叉层叠设置的四个金属插塞和三个互连线，每相邻两金属插塞
之间夹有一互连线，相邻两互连线之间通过一金属插塞相连接。
[0033]第一阻塞线1A包括由下而上依次层叠设置的第一金属插塞1AV1、第一互连线1AM1、第二金属插塞1AV2、第二互连线1AM2、第三金属插塞1AV3、第三互连线1AM3和第四金属插塞1AV4。
[0034]第二阻塞线1B与第一阻塞线1A的结构相同，包括由下而上依次层叠设置的第一金属插塞1BV1、第一互连线1BM1、第二金属插塞1BV2、第二互连线1BM2、第三金属插塞1BV3、第三互连线1BM3和第四金属插塞1BV4。
[0035]第一金属插塞1AV1和第一金属插塞1BV1分别与半导体基底层7上的有源区8相连接。沿着图2中的A-A
’
得到的剖视结构如图1所示。
[0036]阻塞线的每一互连线均为对称结构，每一互连线均具有一垂直于顶层互连线6底面的对称平面，对称平面能够将互连线分为互相对称的两部分。在本实施例中，阻塞线的三个互连线的对称平面为同一平面。
[0037]互连线的顶视形状为如图2所示的形状，为“[”或“]”的形状。互连线的立体形状如图3所示。每一互连线包括一体成型的背板1-1和两个侧板1-2。两个侧板1-2分别位于背板1-1的两侧且侧板1-2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种裂缝停止结构，其特征在于，包括：第一裂缝停止线，包括相对设置的第一阻塞线组和第二阻塞线组；其中，所述第一阻塞线组和所述第二阻塞线组均包括多个阻塞线；每个所述阻塞线在竖直方向上包括至少一个互连线；在同一水平面的所述第一阻塞线组的互连线与所述第二阻塞线组的互连线交错设置，以在所述第一阻塞线组的互连线与所述第二阻塞线组的互连线之间形成从所述第一裂缝停止线的一侧延伸到另一侧的弯曲通道。2.根据权利要求1所述的裂缝停止结构，其特征在于，所述阻塞线包括由下而上依次层叠设置的第一金属插塞、第一互连线、第二金属插塞、第二互连线、第三金属插塞、第三互连线和第四金属插塞。3.根据权利要求2所述的裂缝停止结构，其特征在于，所述第三互连线为对称结构，包括一体成型的背板和两个侧板；所述两个侧板分别位于所述背板的两侧且所述侧板与所述背板互相垂直；所述背板和所述两个侧板围成一凹槽；所述第一阻塞线组各侧板分别伸入所述第二阻塞线的对应凹槽内，所述第二阻塞线组各侧板分别伸入所述第一阻塞线的对应凹槽内。4.根据权利要求3所述的裂缝停止结构，其特征在于，所述第二互连线的结构与所述第三互连线的结构相同。5.根据权利要求4所述的裂缝停止结构，其特征在于，所述第二互连线的...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳圣浩，高建峰，刘卫兵，白国斌，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：