MOS晶体管的制作方法技术

本发明专利技术提供一种MOS晶体管的制作方法。所述MOS晶体管的制作方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括源漏区和位于源漏区之间的沟道区，半导体衬底上形成有自下而上叠设的栅绝缘层和虚设栅极，栅绝缘层和虚设栅极覆盖所述沟道区且露出所述源漏区；以及执行离子注入工艺，在沟道区的半导体衬底顶部形成应力层，以增加所述沟道区的应力。在沟道区的半导体衬底顶部形成应力层能够增加沟道区的应力，进而有助于提高MOS晶体管的电性能。助于提高MOS晶体管的电性能。助于提高MOS晶体管的电性能。

【技术实现步骤摘要】
MOS晶体管的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种MOS晶体管的制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，MOS（Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor，金属
‑
氧化物
‑
半导体）晶体管的尺寸不断缩小，器件和系统的速度随之提高。当MOS晶体管的沟道区缩短到一定程度时，沟道区就会出现短沟道效应等电性能问题。
[0003]在先进制程中，为了改善MOS晶体管的电性能，一种方法是形成外延结构的MOS晶体管，但是外延结构的MOS晶体管的金属栅极下方的沟道区应力不足，改善MOS晶体管的电性能的效果不足。另一种常用方法是通过MOS晶体管的源漏区向沟道区施加应力来改善MOS晶体管的电性能，但是如此MOS晶体管的电性能还是无法得到较大程度的改善。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种MOS晶体管的制作方法，可以增加MOS晶体管沟道区的应力，有助于提高MOS晶体管的电性能。
[0005]为了实现上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括源漏区和位于所述源漏区之间的沟道区，所述半导体衬底上形成有自下而上叠设的栅绝缘层和虚设栅极，所述栅绝缘层和所述虚设栅极覆盖所述沟道区且露出所述源漏区；以及执行离子注入工艺，在所述沟道区的半导体衬底顶部形成应力层，以增加所述沟道区的应力。2.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述执行离子注入工艺，在所述沟道区的半导体衬底顶部形成应力层的方法包括：执行离子注入工艺，从所述源漏区靠近所述栅绝缘层和所述虚设栅极的位置倾斜地向所述沟道区的半导体衬底顶部注入掺杂剂；进行热处理，所述掺杂剂扩散并在所述沟道区的半导体衬底顶部形成所述应力层。3.如权利要求2所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述离子注入工艺的注入角度为30
°
~60
°
。4.如权利要求1所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述执行离子注入工艺，在所述沟道区的半导体衬底顶部形成应力层的方法包括：形成保护层，所述保护层覆盖所述源漏区，所述保护层的上表面与所述虚设栅极的上表面齐平；去除所述虚设栅极，露出所述栅绝缘层；执行离子注入工艺，向所述沟道区的半导体衬底顶部注入掺杂剂，以在所述沟道区的半导体衬底顶部形成所述应力层。5.如权利要求4所述的MOS晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，吴志楠，郑志成，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：