银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法包括：将第一银源、还原剂、保护剂以及极性溶剂混合得到第一混合物并进行反应，得到银纳米晶种分散液，其中，还原剂为含醛类酸酐；将银纳米晶种分散液、第二银源与热固化树脂混合得到第二混合物并采用紫外光进行照射，得到银纳米线的第一分散液，其中，第二混合物的粘度小于或等于200Pa.s；去除第一分散液中的极性溶剂，然后加入固化促进剂，分散得到银纳米线的第二分散液；将透明衬底进行表面活化，然后将第二分散液置于活化后的透明衬底上，固化得到银纳米线透明导电薄膜。本发明专利技术制备方法得到的银纳米线透明导电薄膜具有优异的光电性能，能够广泛应用于摄像机等领域。用于摄像机等领域。

【技术实现步骤摘要】
银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及透明导电薄膜
，特别是涉及一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]银纳米线透明导电薄膜具有光电性能优异、制备工艺简单、较易实现大面积成膜以及可弯折不易碎等优点，使其成为ITO的最佳替代产品。但是，银纳米线透明导电薄膜的化学稳定性和热稳定性相对较差，传统工艺通常会在其表面沉积一层保护层，以提高银纳米线透明导电薄膜的可靠性。然而，保护层的制备会增加操作流程，导致工艺时间增加，不利于产业化，同时，复合界面间还存在结合力的问题。
[0003]为此，传统工艺也有将银纳米线直接分散于树脂中，通过一步涂敷等工艺得到银纳米线透明导电薄膜，但是，银纳米线在树脂中容易发生团聚，从而影响银纳米线透明导电薄膜的光电性能。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述问题，提供一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法得到的银纳米线透明导电薄膜具有优异的光电性能，能够广泛应用于摄像机等领域。
[0005]一种银纳米线透明导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将第一银源、还原剂、保护剂以及极性溶剂混合，得到第一混合物，将所述第一混合物进行反应，制备得到银纳米晶种分散液，其中，所述还原剂为含醛类酸酐；将所述银纳米晶种分散液、第二银源与热固化树脂混合，得到第二混合物，将所述第二混合物采用紫外光进行照射，得到银纳米线的第一分散液，其中，所述第二混合物的粘度小于或等于200Pa.s；去除所述第一分散液中的极性溶剂，然后加入固化促进剂，分散得到银纳米线的第二分散液；以及将透明衬底进行表面活化，然后将所述第二分散液置于活化后的所述透明衬底上，固化得到银纳米线透明导电薄膜。2.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述还原剂选自5
‑
醛基
‑2‑
吩噻硼酸或2
‑
醛基呋喃
‑5‑
硼酸中的至少一种，所述还原剂在所述第一混合物中的质量分数为1%
‑
10%。3.根据权利要求1或2所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一银源选自硝酸银、醋酸银、高氯酸银或氟化银中的至少一种，所述第一银源在所述第一混合物中的质量分数为0.08%
‑
2%；及/或，所述保护剂选自聚乙烯吡咯烷酮或十六烷基三甲基溴化铵中的至少一种，所述保护剂在所述第一混合物中的质量分数为0.2%
‑
4%。4.根据权利要求1或2所述的银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述银纳米晶种分散液中，银纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑博达，陈洁，汪聪，陈鸿武，
申请(专利权)人：浙江大华技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：