金刚石合成用晶种位打孔钼片制造技术

本实用新型专利技术提供了金刚石合成用晶种位打孔钼片，包括一钼片底座，所述钼片底座的上端面开设有第一凹槽，所述第一凹槽内环形阵列开设有第二凹槽，所述第一凹槽内环形阵列开设有第三凹槽，所述第三凹槽位于所述第二凹槽的外侧，所述第三凹槽的长度和宽度均大于第二凹槽的长度和宽度，所述第一凹槽内设置有若干个用于限位种晶的第一限位条和第二限位条；本实用新型专利技术结构简单，操作便捷，能够调节种晶的温度差，便于种晶的生长。便于种晶的生长。便于种晶的生长。

【技术实现步骤摘要】
金刚石合成用晶种位打孔钼片


[0001]本技术涉及金刚石生产
，特别是金刚石合成用晶种位打孔钼片。

技术介绍

[0002]人造金刚石，用人工方法使石墨或气相碳原子发生相转变成为金刚石结构而成的金刚石。其性能与天然金刚石类似。合成金刚石的方法多达十几种。按合成技术的特点可分为静态超高压法、动态超高压高温法和低压高温法。按晶体生成的特点可分为直接法、熔媒法和外延法。
[0003]金刚石在气相沉积炉内合成的过程中需要将种晶放置在钼片上进行沉积生长，由于微波放电的“边缘效应”，种晶的面中心的受热温度小于边角的温度，容易导致种晶生长面不平整，不利于种晶的生长，且钼片内圈上的种晶温度大于钼片外圈上的种晶温度，无法调节钼片上种晶的温度,这样容易导致同一批次的种晶合成情况差别较大，不利于金刚石的合成。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术的目的是提供金刚石合成用晶种位打孔钼片，能够解决上述
技术介绍
问题。
[0005]本技术采用以下方法来实现：金刚石合成用晶种位打孔钼片，其特征在于：包括一钼片底座，所述钼片底座的上端面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.金刚石合成用晶种位打孔钼片，其特征在于：包括一钼片底座，所述钼片底座的上端面开设有第一凹槽，所述第一凹槽内环形阵列开设有第二凹槽，所述第一凹槽内环形阵列开设有第三凹槽，所述第三凹槽位于所述第二凹槽的外侧，所述第三凹槽的长度和宽度均大于第二凹槽的长度和宽度，所述第一凹槽内设置有若干个用于限位种晶的第一限位条和第二限位条。2.根据权利要求1所述的金刚石合成用晶种位打孔钼片，其特征在于：所述钼片底座的直径为Φ1，所述Φ1为50mm。3.根据权利要求1所述的金刚石合成用晶种位打孔钼片，其特征在于：所述第二凹槽的长度和所述第二凹槽的长度均为L1，所述L1为4mm。4.根据权利要求1所述的金刚石合成用晶种位打孔钼片，其特征在于：所述第三凹槽的长度和所述第三凹槽的长度均为L2，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈涛，张能健，陈秀华，杨张泉，杨雄，
申请(专利权)人：福建鑫德晶新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：