一种含有中间连接电极的串联光电子器件和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种含有中间连接电极的串联光电子器件和显示装置，将中间连接电极串联在相邻光电子器件单元之间，中间连接电极具有良好的电荷产生和分离能力并实现电子和空穴的有效注入，提高了串联光电子器件的稳定性、电流效率和功率效率。电流效率和功率效率。电流效率和功率效率。

【技术实现步骤摘要】
一种含有中间连接电极的串联光电子器件和显示装置


[0001]本技术涉及光电子器件领域，特别是涉及一种含有中间连接电极的串联光电子器件和显示装置。

技术介绍

[0002]在有机光电子二极管(organic light
‑
emitting diodes，OLEDs)器件中，具有一个发光单元的器件叫做OLED单元器件。单元器件的正常工作需要较稳定的电流密度，通常经过光电子器件的电流密度在毫安范围内，要提高器件的工作亮度需要不断加大流经OLED器件的电流密度。然而，流经器件的电流比较大时，会带来器件过热和有机材料降解等不良后果，从而导致器件的寿命下降。
[0003]在实际的照明和显示应用中，OLED器件需要同时满足高亮度和长寿命两个条件。单元OLED很难同时满足上述两个条件。除此之外，在显示应用中，过高的电流会对驱动该像素点的晶体管产生不利影响。为了实现在较低的电流驱动下得到更高亮度的OLED器件，可以将两个或者多个发光单元连接在一起，这样的器件叫做串联OLED器件。像这样具有N(N>1)个发光单元的串联OLED器件加电后N个发光单元同时发光，因此电流效率可达到单元OLED器件的N倍。而由多个发光单元直接堆叠构成的串联OLED器件稳定性较差、电流效率和功率效率低，因此，目前亟需一种稳定性更高、更高效的串联OLED器件。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种含有中间连接电极的串联光电子器件和显示装置，以提高串联光电子器件的稳定性、电流效率和功率效率。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
[0006]一种含有中间连接电极的串联光电子器件，所述串联光电子器件包括：阳极、阴极、至少两个串联在阳极和阴极之间的光电子器件单元和至少一个中间连接电极；
[0007]阳极、所有光电子器件单元和阴极从下至上依次连接；
[0008]在相邻光电子器件单元之间设置一个中间连接电极。
[0009]可选的，所述串联光电子器件还包括：基底；
[0010]所述基底设置在阳极的下方。
[0011]可选的，所述中间连接电极为由稀土氧化物层与过渡金属氧化物层构成的叠层结构。
[0012]可选的，所述中间连接电极为由稀土氧化物层与有机材料层构成的叠层结构。
[0013]可选的，所述光电子器件单元包括从下至上依次连接的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
[0014]一种显示装置，所述显示装置包括前述的含有中间连接电极的串联光电子器件。
[0015]根据本技术提供的具体实施例，本技术公开了以下技术效果：
[0016]本技术公开一种含有中间连接电极的串联光电子器件和显示装置，将中间连
接电极设置在相邻光电子器件单元之间，中间连接电极具有良好的电荷产生和分离能力并实现电子和空穴的有效注入，提高了串联光电子器件的稳定性、电流效率和功率效率。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本技术实施例提供的一种含有中间连接电极的串联光电子器件的结构图；
[0019]图2为本技术实施例提供的能级结构图。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]本技术的目的是提供一种含有中间连接电极的串联光电子器件和显示装置，以提高串联光电子器件的稳定性、电流效率和功率效率。
[0022]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0023]本技术提供了一种含有中间连接电极的串联光电子器件，串联光电子器件包括：阳极、阴极、至少两个串联在阳极和阴极之间的光电子器件单元和至少一个中间连接电极。
[0024]阳极、所有光电子器件单元和阴极从下至上依次连接；
[0025]在相邻光电子器件单元之间设置一个中间连接电极。
[0026]串联光电子器件还包括：基底；基底设置在阳极的下方。
[0027]中间连接电极有两种结构，且中间连接电极具有良好的电荷产生和分离能力并实现电子和空穴的有效注入。
[0028]第一种，中间连接电极为由稀土氧化物层与过渡金属氧化物层构成的叠层结构。
[0029]过渡金属氧化物层的材料为高功函数的MoO3、WO3、NiO、Co3O4、Ta2O5、TiO2、CrO3、CuO、ReO3或V2O5，过渡金属氧化物层的厚度的取值范围为2～10nm。
[0030]第二种，中间连接电极为由稀土氧化物层与高功函数的有机材料层构成的叠层结构。
[0031]有机材料层为HAT
‑
CN。
[0032]稀土氧化物层的材料为Yb2O3、La2O3、Ce2O3、CeO2、Sm2O3、Gd2O3、Er2O3、Y2O3或Sc2O3。
[0033]光电子器件单元包括从下至上依次连接的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
[0034]优选的，光电子器件为发光二极管。发光二极管的发光单元为有机发光材料、量子
点材料或钙钛矿材料。
[0035]发光二极管既可以为底发射型发光二极管，也可以是顶发射型发光二极管，或者双边发射型发光二极管装置。发光二极管为底发射型装置时，与基底接触的阳极为透明导电材料，阴极为不透明导电材料。发光二极管为顶发射型装置时，与基底接触的阳极为透明或不透明导电材料，阴极为透明导电材料。发光二极管为双边发射型装置时，与基底接触的阳极为透明导电材料，阴极也为透明导电材料。发光二极管也可以为倒置结构，即与基底接触的电极为阴极，远离基底的电极为阳极。
[0036]与基底接触的不透明阳极导电材料为金属金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)铝(Al)、镁(Mg)及其合金中的一种，厚度不低于80nm。
[0037]与基底接触的透明阳极导电材料为透明导电氧化物AZO、ITO、SnO、ZnO、IZO中的一种。
[0038]不透明阴极导电材料为金属金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)及其合金中的一种，厚度不低于80nm。
[0039]透明阴极导电材料为金属金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)铝(Al)、镁(Mg)及其合金中的一种，所述透明阴极导电材料的厚度通常不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含有中间连接电极的串联光电子器件，其特征在于，所述串联光电子器件包括：阳极、阴极、至少两个串联在阳极和阴极之间的光电子器件单元和至少一个中间连接电极；阳极、所有光电子器件单元和阴极从下至上依次连接；在相邻光电子器件单元之间设置一个中间连接电极。2.根据权利要求1所述的含有中间连接电极的串联光电子器件，其特征在于，所述串联光电子器件还包括：基底；所述基底设置在阳极的下方。3.根据权利要求1所述的含有中间连接电极的串联光电子器件，其特征在于，所述中间连接电极为由稀土氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕正红，满佳秀，胡俊涛，王登科，吴迪，
申请(专利权)人：江苏联视控股集团有限公司，
类型：新型
国别省市：