显示装置制造方法及图纸

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一像素电极；堤层，限定暴露第一像素电极的至少一部分的第一开口；第一中间层，在第一开口中布置在第一像素电极上，并且发射包括第一波长的光的光；对电极，布置在第一中间层上，并且包括在平面图中与第一中间层叠置的第一区域；以及上基底，布置在对电极上。第一区域与上基底之间的第一光学距离满足以下等式：D1＝A+(λ1)/2

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本申请要求于2020年10月15日提交的第10
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2020
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0133732号韩国专利申请的优先权和从中获得的全部权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。


[0002]一个或更多个实施例涉及显示装置和制造该显示装置的方法。

技术介绍

[0003]有机发光显示装置可以在低电压下驱动，是薄且轻的，并且具有宽的视角、优异的对比度和快的响应速度，因此已经作为下一代显示装置而受到关注。
[0004]有机发光显示装置具有宽的发光波长，因此具有降低的发光效率和降低的颜色纯度。另外，由于从有机发射层发射的光不具有特定的方向性，因此在任意方向上发射的大量光子由于有机发光器件的全内反射而未到达实际观察者，从而使有机发光元件的光提取效率劣化。因此，使用通过控制有机发射层的厚度形成谐振结构来提高光提取效率的方法。然而，仅通过使用谐振结构，存在提高包括使用印刷方法形成的有机发射层的有机发光显示装置的光提取效率的限制。

技术实现思路

[0005]一个或更多个实施例包括具有改善的光提取效率的显示装置和制造该显示装置的方法。
[0006]附加的方面将在以下的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述明显，或者可以通过实践公开的所呈现的实施例来获知。
[0007]根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底；像素电路层，布置在基底上，并且包括至少一个薄膜晶体管；过孔绝缘层，布置在像素电路层上；第一像素电极，布置在过孔绝缘层上；堤层，布置在过孔绝缘层上，并且限定暴露第一像素电极的至少一部分的第一开口；第一中间层，在第一开口中布置在第一像素电极上，并且发射包括第一波长的光的光；对电极，布置在第一中间层上，并且包括在平面图中与第一中间层叠置的第一区域；以及上基底，布置在对电极上，其中，第一区域与上基底之间的第一光学距离满足以下等式：
[0008]D1＝A+(λ1)/2
×
n，其中，D1表示第一光学距离，A表示在λ1的光具有最大强度的点处第一区域与上基底之间的最小光学距离，n是等于或大于0的整数，并且λ1表示第一波长。
[0009]显示装置还可以包括：第二像素电极和第三像素电极，布置在过孔绝缘层上；以及第二中间层和第三中间层，第二中间层布置在第二像素电极上并且发射包括第二波长的光的光，第三中间层布置在第三像素电极上并且发射包括第三波长的光的光，其中，堤层限定分别暴露第二像素电极的一部分和第三像素电极的一部分的第二开口和第三开口，并且对电极还包括在平面图中分别与第二中间层和第三中间层叠置的第二区域和第三区域。
[0010]在厚度方向上第二区域与上基底之间的第二光学距离和第三区域与上基底之间的第三光学距离可以分别满足以下等式：
[0011]D2＝B+(λ2)/2
×
n2
[0012]D3＝C+(λ3)/2
×
n3
[0013]这里，D2表示第二光学距离，D3表示第三光学距离，B是在λ2的光具有最大强度的点处第二区域与上基底之间的最小光学距离，C是在λ3的光具有最大强度的点处第三区域与上基底之间的最小光学距离，n2和n3是等于或大于0的整数，并且λ2和λ3分别表示第二波长和第三波长。
[0014]第一波长的光、第二波长的光和第三波长的光可以分别包括红光、绿光和蓝光。
[0015]第一中间层、第二中间层和第三中间层可以具有彼此不同的厚度。
[0016]过孔绝缘层的分别与第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极叠置的区域可以具有彼此不同的厚度。
[0017]过孔绝缘层的上表面的分别接触第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极的部分可以具有圆顶形状。
[0018]显示装置还可以包括：虚设绝缘层，在第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极中的至少一个与过孔绝缘层之间。
[0019]第一虚设绝缘层、第二虚设绝缘层和第三虚设绝缘层可以分别布置在第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极与过孔绝缘层之间，并且第一虚设绝缘层、第二虚设绝缘层和第三虚设绝缘层可以具有彼此不同的厚度。
[0020]虚设绝缘层的上表面可以具有圆顶形状。
[0021]显示装置还可以包括：盖层，在对电极与上基底之间。
[0022]空气可以填充在对电极与上基底之间的空间中。
[0023]填料可以填充在对电极与上基底之间的空间中，并且第一区域与上基底之间的第一光学距离满足以下等式：
[0024]D1＝n
f
×
D1p，其中，n
f
表示填料的折射率，并且D1p表示第一区域与上基底之间的物理距离。
[0025]根据一个或更多个实施例，制造显示装置的方法包括以下步骤：在基底上形成包括至少一个薄膜晶体管的像素电路层；在像素电路层上形成过孔绝缘层；在过孔绝缘层上形成第一像素电极；在过孔绝缘层上形成堤层，堤层限定暴露第一像素电极的至少一部分的第一开口；通过喷射包括发射包括第一波长的光的光的发光材料的墨在第一像素电极上形成第一中间层；在堤层和第一中间层上形成包括在平面图中与第一中间层叠置的第一区域的对电极；以及在对电极上形成上基底，其中，第一区域与上基底之间的第一光学距离满足以下等式：
[0026]D1＝A+(λ1)/2
×
n，其中，D1表示第一光学距离，A表示在λ1的光具有最大强度的点处第一区域与上基底之间的最小光学距离，n是等于或大于0的整数，并且λ1表示第一波长。
[0027]该方法还可以包括以下步骤：在过孔绝缘层上形成第二像素电极和第三像素电极；以及形成布置在第二像素电极上并发射包括第二波长的光的光的第二中间层和布置在第三像素电极上并发射包括第三波长的光的光的第三中间层。
[0028]形成过孔绝缘层的步骤可以包括通过使用半色调掩模形成过孔绝缘层，过孔绝缘层在分别与第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极叠置的部分中具有不同厚度。
[0029]在形成过孔绝缘层的步骤中，可以以圆顶形状形成过孔绝缘层的上表面的部分，
所述部分分别接触第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极。
[0030]该方法还可以包括以下步骤：在形成过孔绝缘层的步骤之后且在形成第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极的步骤之前，在过孔绝缘层上形成第一虚设绝缘层、第二虚设绝缘层和第三虚设绝缘层，其中，第一虚设绝缘层在过孔绝缘层与第一像素电极之间，第二虚设绝缘层在过孔绝缘层与第二像素电极之间，并且第三虚设绝缘层在过孔绝缘层与第三像素电极之间，其中，第一虚设绝缘层、第二虚设绝缘层和第三虚设绝缘层的厚度彼此不同。
[0031]在形成第一虚设绝缘层、第二虚设绝缘层、第三虚设绝缘层的步骤中，可以以圆顶形状形成第一虚设绝缘层、第二虚设绝缘层和第三虚设绝缘层的上表面。
[0032]该方法还可以包括以下步骤：在形成上基底的步骤之后，在对电极与上基底之间填充填料。
附图说明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；像素电路层，布置在所述基底上，并且包括至少一个薄膜晶体管；过孔绝缘层，布置在所述像素电路层上；第一像素电极，布置在所述过孔绝缘层上；堤层，布置在所述过孔绝缘层上，并且限定暴露所述第一像素电极的至少一部分的第一开口；第一中间层，在所述第一开口中布置在所述第一像素电极上，并且发射包括第一波长的光的光；对电极，布置在所述第一中间层上，并且包括在平面图中与所述第一中间层叠置的第一区域；以及上基底，布置在所述对电极上，其中，所述第一区域与所述上基底之间的第一光学距离满足以下等式：D1＝A+(λ1)/2
×
n，其中，D1表示所述第一光学距离，A表示在λ1的光具有最大强度的点处所述第一区域与所述上基底之间的最小光学距离，n是等于或大于0的整数，并且λ1表示所述第一波长。2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：第二像素电极和第三像素电极，布置在所述过孔绝缘层上；以及第二中间层和第三中间层，所述第二中间层布置在所述第二像素电极上并且发射包括第二波长的光的光，所述第三中间层布置在所述第三像素电极上并且发射包括第三波长的光的光，其中，所述堤层限定分别暴露所述第二像素电极的一部分和所述第三像素电极的一部分的第二开口和第三开口，并且所述对电极还包括在平面图中分别与所述第二中间层和所述第三中间层叠置的第二区域和第三区域。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在厚度方向上所述第二区域与所述上基底之间的第二光学距离和所述第三区域与所述上基底之间的第三光学距离分别满足以下等式：D2＝B+(λ2)/2
×
n2D3＝C+(λ3)/2
×
n3，其中，D2表示所述第二光学距离，D3表示所述第三光学距离，B是在λ2的光具有最大强度的点处所述第二区域与所述上基底之间的最小光学距离，C是在λ3的光具有最大强度的点处所述第三区域与所述上基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗艺瑟，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：